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电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料,它能将写入光照射材料后产生的电子(空穴)束缚在材料的某些稳定的高能级(陷阱)上。只有经过合适的读出光照射,被束缚住的电子(空穴)才能脱离陷阱复合发光。发光在空间的强度分布与写入光的分布一致,即再现了写入光的信息。电子俘获材料的种类很多,研究进展各不相同。其中,以作为X光影像存储材料的BaFBr:Eu为代表的碱土金属氟卤化物已经广泛应用于医疗诊断方面。本文分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展,尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。 相似文献
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电子俘获光存储材料的最新研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料,它能将写入光照射材料后产生的电子(空穴)束缚在材料的某些稳定的高能级(陷阱)上。只有经过合适的读出光照射,被束缚住的电子(空穴)才能脱离陷阱复合发光。发光在空间的强度分布与写入光的分布一致,即再现了写入光的信息。电子俘获材料的种类很多,研究进展各不相同。其中,以作为X光影像存储材料的BaFBr:Eu为代表的碱土金属氟卤化物已经广泛应用于医疗诊断方面。本文分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展,尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。 相似文献
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磁光存储系统中,存储信息的介质——磁光材料膜的读/写性能直接影响了系统信噪比和信号质量,直接擦写等性能指标,因此,研制和开发高性能磁光材料是改善系统性能的直接手段.本文介绍了一个磁光材料读/写性能测试系统以及利用该装置对大克尔角磁光材料MnBiAl样品进行的静态读/写试验,测试结果可以为分析和改进这种新型磁光材料的读/写性能及其实用性提供有益的数据. 相似文献
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采用湿法在还原气氛下制备了SrS:Eu,Sm电子俘获光存储材料,研究了制备条件(灼烧温度、灼烧时间、助熔剂含量)对样品光激励发光性能的影响。XRD图谱表明,样品在750°C就可以形成SrS晶格。光谱分析表明,先将样品用紫外光饱和激发后,再用980nm半导体激光照射,具有光激励发光现象,发光峰值位于599 nm。对这种稀土掺杂硫化物材料的光存储机理进行了探讨。 相似文献
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光致变色俘精酸酐用于可擦写全息图像存储的研究 总被引:5,自引:1,他引:5
对一种新型可擦重写有机光致变色材料——俘精酸酐/聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)薄膜的光致变色双稳态吸收光谱进行了测量,呈色态的吸收峰在513nm,无色态的吸收峰在370nm。利用该双稳态特性,在10μm俘精酸酐/PMMA薄膜上进行全息图像光存储。实验用氩离子激光器514.5nm波长作为记录光源,测量了衍射效率与曝光量的关系,最大衍射效率约为1%.最佳曝光量约1J/cm^2。获得了存储于样品上的全息干涉条纹和参考光再现的衍射像,分析了影响衍射图像像质的因素。记录在样品上的全息图在室温下黑暗处可以保存一年以上,用紫外光可以擦除记录的全息图.进行多次记录、读出和擦除操作。结果表明,俘精酸酐可以作为一种性能优良的可擦写全息光存储材料。 相似文献
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《大气与环境光学学报》2005,(6)
综述 谛酸盐系统玻璃的研究进展....……罗丽庆,等1(l) 数字共焦显微技术及其处理算法的进展 ...............................……陈华,等2(l) 电子俘获光存储材料的最新研究进展 ...............................……王欣姿,等2(6) 自由空间光通信中光电子器件的现状分析 相似文献
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光盘系统中的光纤飞行头应用 总被引:2,自引:2,他引:0
叙述了光纤飞行头在计算机存储器中应用的可能性 ,指出由于带光阻透镜的单模光纤 ,其质量轻、光路简单、易于调整及可并行输入等优点 ,可以在光盘驱动器中发挥作用。介绍的光纤飞行头跟踪、伺服的原理和读写光路 ,有可能在光盘驱动器上使用 相似文献
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All‐Optical Operation Cycle on Molecular Bits with 250‐GHz Clock‐Rate Based on Photochromic Fulgides
S. Malkmus F. O. Koller S. Draxler T. E. Schrader W. J. Schreier T. Brust J. A. DiGirolamo W. J. Lees W. Zinth M. Braun 《Advanced functional materials》2007,17(17):3657-3662
The prototype operation of an ultrafast write–readout–erase–readout cycle of an all‐optical system based on photochromic indolylfulgides is demonstrated. In the employed dye the molecular structure is switched using light of different wavelengths between two thermally stable states to allow binary encoding of information. Non‐destructive readout of the bit states using infrared light completes the scheme of an all‐optical memory. For ultrafast operation femtosecond light pulses are applied and it is demonstrated that two consecutive write/erase processes separated by less than 4 ps still allow the defined readout of the bit state. The short time between the write/erase and readout actions demonstrates that an all‐optical data storage system based on indolylfulgides may be operated at memory clock rates that exceed 250 GHz. 相似文献
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基于光致变色原理的多阶存储实验研究 总被引:6,自引:1,他引:5
多阶存储是一种无需减小记录波长或增大数值孔径而显著提高光存储容量的新颖方法。对光致变色材料采用不同的光能量写人,读出时则具有不同的吸收率,该特性可用来实现多阶数据存储。在研究光致变色材料曝光特性的基础上,提出了基于光致变色原理的多阶存储数学模型,该模型反映了光致变色材料吸收率与曝光量之间的非线性关系,为光致变色材料的多阶存储写策略的优化提供了理论依据。在4阶和8阶静态存储实验结果中,各信号峰值之间有明显的阶次变化,且信号之间没有交叠现象,从而验证了利用该材料进行多阶存储的可行性。将该多阶技术应用在实际光盘存储中,可实现两至三倍于普通光盘容量的高密度存储。 相似文献
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详细描述了用光纤耦合、波长复用的全息光盘仔储光路.指出在全息光盘驱动器即将市场化的今天.由于其光路简单、光学元件较少、性价比高.很有可能成为新的全息光盘驱动器的核心技术之一。由于短波长单模光纤及其双波长光纤分束器件的要求比较高.而用多模光纤进行准单模输出调整.以及用分光棱镜进行光束的分光.同时用对双波长敏感的光致聚合物材料进行存储.其光谱灵敏度均匀.光谱范围互不重叠。实验结果表明.光路结构合理.存储效果良好。 相似文献
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为进一步了解缺陷材料的损伤特性,建立了激光诱导缺陷材料场损伤分析模型。基于电子增值理论,分析了单划痕的形状和深度以及交叉划痕对光场的调制作用,并深入分析了划痕对材料损伤特性的影响。研究表明,表面划痕对光场产生调制,使光场分布不均。局部光场增强,使材料损伤阈值降低。相比三角形和圆弧形划痕,矩形划痕缺陷熔融石英的调制光场最强,其损伤阈值随划痕深度的增加而降低。另外,若材料表面存在交叉划痕,划痕交叉角会影响材料的损伤特性。交叉角从0°增加到90°的过程中,划痕对光场的作用先增强再减弱。 相似文献