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2.
本文利用蒙特卡罗模拟的方法计算了Ag/p-InP/p-InAgAsP/InP转移电子光阴极的调制传递函数,计算结果表明转移电子光阴极具有较高的空间分辨率,并与阴极材料的吸收系数,有源层厚度有场助偏压有关,为获得较高的调制传递函数,应当昼降低吸收系数和缩短有源层厚度,提高场助电压。 相似文献
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5.
用1/f噪声表征MOSFET的负温偏不稳定性 总被引:2,自引:1,他引:1
负温偏不稳定性是MOS顺件最重要的可靠问题之一。本文实验上发现MOSFET的A/f噪声与其负温偏不稳定性相关,初始1/f噪声谱密度正比于负温偏应力下的跨导退化量。 相似文献
6.
转移电子光电阴极电子传输特性的蒙特卡罗模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用蒙特卡罗模拟方法计算了转移电子光电阴极的光电子输运特性,其中包括阴极的内部量子效率,电子的能量分布函数,谷间转移效率,同时也给出了阴极的时间响应特性. 相似文献
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ZnO宽带隙半导体及其基本特性 总被引:2,自引:0,他引:2
ZnO半导体是宽带隙半导体领域中继GaN和SiC之后的研究热点.同时,作为一种氧化物半导体,ZnO半导体在能带结构、晶格缺陷、抗辐照特性以及电学性质等方面具有特殊性,已有的研究中还存在一些不同的认识.本工作在阐述ZnO的晶体结构和基本性质基础之上,对其能带结构和缺陷特征、电子输运以及P型掺杂等主要的半导体特性研究现状进行了较为全面综述和分析.由于ZnO半导体具有高的激子束缚能、优良的电子输运性质、强抗辐照特性以及低成本和环境友好等显著特征,它是未来半导体光电子领域极具应用潜力的新一代宽带隙半导体材料,但是到目前为止,p型掺杂技术仍然是ZnO半导体器件面临的最大挑战. 相似文献
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利用532nm的连续激光对烷氧基非对称聚对苯撑乙烯衍生物的氯仿溶液进行诱导衍射实验,通过观察衍射环的个数可以估算出材料的克尔常数及非线性折射率。实验发现,当入射激光功率达到阈值0.77mW而小于3.36mW时,通过在接收屏处观察光克尔效应对激光横截面上的空间自相位调制而产生的衍射环个数,可以估算出样品溶液的克尔常数γ的大小近似为5.55×10-10m2/W及非线性折射率n2的大小为9.21×10-4esu。当入射激光功率继续增大时,由于热效应对激光横截面上的空间自相位调制产生的衍射环逐步淹没光克尔效应引起的衍射环,接收屏上的衍射图案将发生显著的变化。 相似文献
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