利用辉光放电制作非晶硅光电导层的CCD图象传感器

引言虽然单片固体图象传感器(包括目的在于取代视象管的MOS、CCD和CID)已获得了显著的进步,但仍要继续改进诸如光电灵敏度、图象拖影(smearing)及强光下开花等光电性能。看来,单片固体图象传感器的上述缺点有可能被最新出现的、由光电导体和固体扫描器结合的新型固体图象传感器所克服。     

采购集市

Micron发布130万像素SOCCMOS图象传感器Micron发布全新的MT9M111 130万像素CMOS图象传感器,该传感器专门为市场速度发展最快的手机相机和PDA而设计。新型MT9M111 SOC将相机模块的所有功能集中到单硅传感器上,使用了Micron最先进的CMOS活动像素技术,在弱光环境下表现出最佳性能。该产品的主要优点包括:较低的暗电流、串音和瞬时噪音。复杂处理功能包括色彩恢复与校正、自动曝光、白平衡、镜头色调校正、锐化、黑电平偏移校正、避免闪烁等等。这些功能被直接应用于芯片设计。由于MT9M111需要较少的部件,因而可最大限度地减少芯…     

CMOS图像传感器的三种新技术

介绍了CMOS传感器的发展现状及应用新技术，阐述了C3D技术、Aramis技术和超小型CMOS传感器技术对CMOS传感器性能的改善，并预示了CMOS传感器的未来发展趋势。     

单片集成CMOS电阻真空传感器

设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电阻的微传感器单芯片集成工艺模式,制定了相应的工艺流程.采用0.6μm CMOS数模混合集成电路工艺,结合牺牲层腐蚀技术实现了单片集成真空传感器的加工,测试结果显示该芯片能够测量2～105Pa范围内的气压大小,且输出电压范围可调,验证了单片集成工艺的可行性.     

智能传感器SHT11及其在便携式温湿度检测仪中的应用

介绍了新一代单片全校准温湿度传感器SHT11．采用CMOS芯片技术与传感器技术结合在一起构成了高集成度、小体积的数字式温湿度传感器，对传感器的性能参数、信号输出、非线性及温度补偿、I^2C的接口方式、便携式温湿度检测仪中的应用进行了研究。研究结果表明：该传感器具有稳定可靠，体积小，量化误差小，响应速度快，适用面广的特点。     

单片集成CMOS电阻真空传感器

设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电阻的微传感器单芯片集成工艺模式,制定了相应的工艺流程.采用0.6μm CMOS数模混合集成电路工艺,结合牺牲层腐蚀技术实现了单片集成真空传感器的加工,测试结果显示该芯片能够测量2～10^5Pa范围内的气压大小,且输出电压范围可调,验证了单片集成工艺的可行性.     

CMOS图像传感器的发展现状及关键技术探讨

介绍了国外CMOS图像传感器技术的发展状况，比较了CMOS图像传感器技术与CCD图像传感器技术的优缺点，分析了国内CMOS图像传感器技术的研究现状，探讨了CMOS图像传感器研究的关键技术。     

体硅热膜传感器单片集成工艺的研究

针对MEMS热膜式传感器的发展趋势和在实用化过程中存在的问题,提出了一种新型的单片电路和体硅MEMS热膜式传感器实现集成制造的嵌入式CMOS工艺技术,解决了MEMS制造工艺和CMOS集成电路工艺之间存在的兼容性问题。通过这种嵌入式CMOS工艺技术,可以实现具备最小体积、最低成本的MEMS器件。通过这种嵌入式热膜式传感器和CMOS处理电路的单片集成制造工艺,实现了一款热膜式传感器和IC放大电路的集成部件,并完成了相关基本电性能测试和传感器功能的演示验证,证明了设计的工艺路线的可行性。     

低照度CMOS图像传感器技术

与其他固体微光器件相比,低照度CMOS图像传感器具有成本、功耗及体积优势,是固体微光器件发展的重要方向。但目前低照度CMOS图像传感器的微光性能还不能满足夜视应用要求。本文介绍了低照度CMOS图像传感器及提高其灵敏度的几种技术途径,采用低照度技术后CMOS图像传感器性能已接近实用要求。随着CMOS工艺技术的不断发展及低照度CMOS图像传感器研究的不断深入,在不远的将来,低照度CMOS图像传感器将成为固体微光器件的重要一员。     

CMOS图像传感器研究

结合CMOS图像传感感器的研究背景,从5个方面对CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点进行了比较,重点分析了CMOS图像传感器的结构、工作原理以及影响传感器性能的主要因素,并给出了相应的解决方法。最后,预测CMOS图像传感器的技术发展趋势。     

CMOS active pixel image sensors fabricated using a 1.8-V,0.25-μm CMOS technology

This paper reports the experimental results of the first CMOS active pixel image sensors (APS) fabricated using a high-performance 1.8-V, 0.25-μm CMOS logic technology. No process modifications were made to the CMOS logic technology so that the impact of device scaling on the image sensing performance can be studied. This paper highlights the device and process design considerations required to enable CMOS as an image sensor technology     

一种应用于CMOS图像传感器的片上内插式ADC设计

设计了一种用于1024×1024CMOS图像传感器的内插式模数转换器（ADC）结构。转换采用并行处理方式,采用内插式结构,与流水线ADC相比速度更快。电路采用失调纠正技术和衬底驱动技术设计了1个低失调电压的前置全差分两级跨导运算放大器（OTA）,PMOS管作为电阻产生与锁存阈值电压相交的基准电压,具有较高的精度。基于0．35μmCMOS工艺的仿真结果表明,该ADC的DNL=0．45LSB,INL=0．65LSB,可以满足CMOS图像传感器芯片级ADC的高速高精度要求。     

CMOS图像传感器辐射损伤导致星敏感器性能退化机理

为了分析恶劣空间辐射环境导致星敏感器性能退化、姿态测量精度降低的原因,深入研究了辐射环境下互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）图像传感器辐射损伤对星敏感器性能退化的影响。该方法通过建立空间辐射和CMOS图像传感器辐射损伤敏感参数、星敏感器性能参数之间的相关性,揭示了CMOS 图像传感器器件参数退化到星敏感器系统参数退化的传递机制。60Co-γ辐照试验表明:辐照后,系统信噪比的降低导致星敏感器星等探测灵敏度的降低,信噪比是联系CMOS图像传感器和星敏感器系统之间的桥梁。质子辐照试验表明:当辐照注量大于3.68×1010 p/cm2时,已无法正确提取星点质心。该研究结果为星敏感器在轨姿态测量误差预测和修正技术的研究奠定了一定的基础,更可以为高精度星敏感器的设计提供一定的理论依据。     

低噪声CMOS图像传感器的研究

近年来CMOS图像传感器在医疗和工业CT等领域中得到了越来越广泛的应用。作为CMOS图像传感器的前端处理电路,多通道积分器阵列的性能参数直接决定了传感器的成像质量并成为该领域的研究热点。本文的主要研究内容是低噪声探测器的研究。对芯片的测试结果表明,低噪声探测器的电路设计和版图设计均取得初步成功,基本达到预期的设计目标。     

CMOS图像传感器及其应用

CMOS图像传感器是近年来市场上出现的一种新的摄像器件,文中对CMOS图像传感器与CCD图像传感器作了比较,分析了CMOS像传感器的工作原理及其优越的性能,提供了CMOS像传感器的应用实例。CMOS成像器在红外成像领域具有广阔的应用前景。     

Scaling and Pixel Crosstalk Considerations for CMOS Image Sensor

With the scaling development of the minimum lithographic size, the scaling trend of CMOS imager pixel size and fill factor has been computed according to the Moore rule. When the CMOS minimum lithographic feature scales down to 0.35 μm,the CCD imagepixel size is not so easy to be reduced and but the CMOS image pixel size benefits from the scaling minimum lithographic feature. However, when the CMOS technology is downscaled to or under 0.35μm,the fabrication of CMOS image sensors will be limited by the standard CMOS process in both ways of shallow trench isolation and source/drain junction, which results in pixel crosstalk. The impact of the crosstalk on the active pixel CMOS image sensor is analyzed based on the technology scaling. Some suppressed crosstalk methods have been reviewed. The best way is that combining the advantages of CMOS and SOI technology to fabricate the image sensors will reduce the pixel crosstalk.     

CMOS image sensors

In this article, we provide a basic introduction to CMOS image-sensor technology, design and performance limits and present recent developments and future directions in this area. We also discuss image-sensor operation and describe the most popular CMOS image-sensor architectures. We note the main non-idealities that limit CMOS image sensor performance, and specify several key performance measures. One of the most important advantages of CMOS image sensors over CCDs is the ability to integrate sensing with analog and digital processing down to the pixel level. Finally, we focus on recent developments and future research directions that are enabled by pixel-level processing, the applications of which promise to further improve CMOS image sensor performance and broaden their applicability beyond current markets.     

紫外增强图像传感器的研究进展

近年来图像传感器在紫外成像的应用越来越广泛,尤其是以CCD（charge coupled device）和CMOS（complementary metal oxide semiconductor）为主的紫外图像传感器受到了研究人员的广泛关注。半导体技术的进步和纳米材料的发展进一步推动了紫外图像传感器的研究。本文综述了国内外紫外增强图像传感器的研究进展,介绍了几种增强器件紫外响应的材料,另外还简要概述了紫外图像传感器在生化分析、大气监测、天文探测等方面的应用,并讨论了CCD/CMOS图像传感器在紫外探测方面所面临的挑战。     

Adaptive-Quantization Digital Image Sensor for Low-Power Image Compression

The recent emergence of new applications in the area of wireless video sensor network and ultra-low-power biomedical applications (such as the wireless camera pill) have created new design challenges and frontiers requiring extensive research work. In such applications, it is often required to capture a large amount of data and process them in real time while the hardware is constrained to take very little physical space and to consume very little power. This is only possible using custom single-chip solutions integrating image sensor and hardware-friendly image compression algorithms. This paper proposes an adaptive quantization scheme based on boundary adaptation procedure followed by an online quadrant tree decomposition processing enabling low power and yet robust and compact image compression processor integrated together with a digital CMOS image sensor. The image sensor chip has been implemented using 0.35-mum CMOS technology and operates at 3.3 V. Simulation and experimental results show compression figures corresponding to 0.6-0.8 bit per pixel, while maintaining reasonable peak signal-to-noise ratio levels and very low operating power consumption. In addition, the proposed compression processor is expected to benefit significantly from higher resolution and Megapixels CMOS imaging technology     

CMOS图像传感器的研究新进展

随着超大规模集成技术的发展,CMOS图像传感器显示出了强劲的发展趋势.简要介绍了CMOS图像传感器的发展历程,在分析CCD和CMOS图像传感器工作原理的基础上,对比了CMOS图像传感器与CCD的特点.重点描述了国外CMOS图像传感器的最新商业化产品状况,同时给出了一些产品的性能参数,最后展望了CMOS图像传感器的未来发展趋势.