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相似文献
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1.
电气设备红外诊断相对温差判别法影响因素分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
杨宝东  杨立 《激光与红外》2007,37(4):341-343
根据红外辐射理论和红外热像仪的测温原理,推导了相对温差影响因素的计算公式;分析了环境温度、物体表面发射率和红外热像仪工作波段对相对温差的影响,得出了环境温度对相对温差影响较小,设备表面发射率对相对温差有一定影响,在相同条件下,使用长波热像仪测温对相对温差影响较小的结论.  相似文献   

2.
《红外技术》2016,(12):1067-1072
根据红外辐射理论和红外热成像仪的测温原理,考虑环境、大气、物体透射辐射等多方面影响,建立了红外热像仪对半透明体后被测物体测温的数学模型,分析了半透明体反射率、透射率及其误差、被测物体发射率及其误差对热像仪测温误差的影响,提出了减少半透明体后被测物体红外辐射测量误差的几种对策,提出了提高带红外检测窗口电气柜中带电部件的红外测温准确性的方法。  相似文献   

3.
为了更好地利用红外检测技术来诊断电气设备的热故障,根据金属电阻理论和红外成像仪测温原理分别推导了相对温差与接触电阻相对偏差的关系以及相对温差判别影响因素的计算公式.研究结果表明:在相对温差与接触电阻相对偏差的关系中应考虑参照体未通电(设备)相的接触电阻;环境温度和物体表面发射率对相对温差有一定的影响,DL/T664<带...  相似文献   

4.
红外测温仪器由于快速、非接触等特点,广泛用于对活动目标的快速、非破坏性测温上。红外部分辐射(或全辐射)测温仪器的结构简单,制造容易,目前国内制造的绝大部分是这种红外测温仪。但由于被测物体的发射率(ε)的影响,以及红外接收光路的变化,如聚焦情况,空气中的灰尘、目标的大小都将影响测量结果的准确性。尤其测量动态的物体,以及温度变化剧烈的金属物体时,将使测量的结果产生相当大的误差。因此部分辐射测温仪  相似文献   

5.
在基于参考温度的二次测量法数学模型的基础上,提出了无需假设光谱发射率模型的可见-红外多光谱辐射测温迭代递推算法,并对4种发射率假设模型进行了仿真计算。结果表明:新算法的温度绝对误差小于20 K,发射率趋势也与假设模型的发射率趋势吻合较好。进一步完善了可见-红外多光谱辐射测温理论。  相似文献   

6.
红外辐射相对温度测量法的新研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
通过分析红外热像仪测温的基本原理,由被测物体表面真实温度的通用计算公式推导出红外辐射相对温度测量的新公式,利用此公式可以消除环境温度对测量结果的影响,并用实验的方法对此公式进行了验证.  相似文献   

7.
基于环境辐射的现场目标发射率测量方法研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
目标发射率测量是目标红外辐射特性测量的基础。介绍了一种基于环境辐射改变的目标发射率的测量方法。分析及推导了到达探测器上的辐射量,通过改变环境辐射的方法测定目标的反射率,进而得到物体的发射率。在实验室内采用黑体作为主动辐射源改变环境辐射,对三种物质分别进行发射率测量,与直接测量的发射率进行比较,结果最大误差为0.017,达到了实际需要,验证了该测量方法的可行性和准确性。该方法为红外辐射非接触精确测量物体温度提供了必要参量。  相似文献   

8.
《红外技术》2017,(2):173-177
为了减少红外测温仪的测量误差,提高红外测温仪的测温精度,分析了距离、发射率和外界环境温度等因素对红外测温仪测温的影响;建立了红外测温实验系统采集测温数据,并对采集到的实验数据进行了分析验证,通过分析验证可得距离因素对红外辐射测温精度有较大的影响,并且存在一定的关系,从而为提高红外测温精度的提供了依据;设计了一套提高红外测温仪测量精度的系统,该系统能够测出被测物与红外测温仪之间的距离,根据测出的结果得到距离补偿公式,然后依据公式得出温度的距离补偿,从而得到物体的实际温度。最后分析可得,红外测温仪的测量精度能够大幅提高。  相似文献   

9.
人们用测量辐射亮度来计算物体的表面温度时,常将表面近似地视为黑体。但是,假如要精确评价被动红外探测系统,就必须考虑密封体表面的反射,这就相当于用辐射率和反射率来表示物体的辐射亮度特性。现在提供一种方法,它能估算5微米和10微米范围内各种材料的红外发射率,发射率为0.9左右时,精度高于1%。这种方法对环境温度进行了有效和精确的控制,用一种温差技术,不需要知道被测材料的表面温度,就能测出它的发射率大小。  相似文献   

10.
雷渡民 《红外》2020,41(5):30-35
针对常用的红外热成像仪受周围高温物体热辐射影响而导致测温不准的问题,根据测温原理和红外热辐射理论,设计出了一种基于该类型红外热成像仪的高温补偿测量方法。结果表明,选用发射率为0.5的遮挡材料时,可以完全补偿高温辐射的影响;当发射率等于1时,相当于忽略了高温物体的热辐射,没有起到补偿作用;发射率越大于0.5,测量温度就越高于真实温度;发射率越小于0.5,测量温度就越低于真实温度。  相似文献   

11.
李致远 《现代电子技术》2006,29(19):138-141
随着空间技术、核技术和战略武器技术的发展,各种电子设备已经广泛用于人造卫星、宇宙飞船、运载火箭、远程导弹和核武器控制系统中。构成电子设备的电子元器件不可避免地要处于空间辐射和核辐射等强辐射应用环境之中,辐射作用会对元器件性能造成不同程度的破坏,进而使整个电子设备发生故障。介绍了微电子器件应用中可能遇到的两类辐射环境,着重分析了辐射对半导体材料与器件的作用机理和不同类型器件的辐射诱生失效模式,分别介绍了对双极型器件和MOS器件进行辐射加固的主要方法。  相似文献   

12.
手机辐射问题概要   总被引:3,自引:1,他引:2  
面对用户越来越强烈的关注,本文概论了手机辐射的危害机理、安全限值和防护措施,并结合我国现状指出了加强手机EMC研究试验手段建设的重要性。  相似文献   

13.
王雨飞 《红外》2011,32(1):40-44
对地球面元的方位角和天顶角进行了均匀采样,并将面元位置矢量由球坐标系转化到了地心赤道坐标系中.通过数值积分,计算出了地球反照和地球红外辐射对目标的辐射角系数.计算结果表明,该方法不仅在计算效率和计算精度方面都明显优于随机模拟方法,而且与辐射换热角系数手册数据十分吻合,非常适用于目标热流的计算.  相似文献   

14.
超相对论粒子的晶体摆动场辐射与同步辐射   总被引:1,自引:1,他引:0  
彭小兰  罗诗裕  邵明珠 《半导体光电》2011,32(2):240-242,258
注意到晶体摆动场辐射是基于沟道粒子的横向运动,而晶体的周期弯曲则等效为作用在粒子上的力。把晶体的周期弯曲视为相互作用势,并考虑在周期摆动场中粒子的"同步辐射"。在经典力学框架内和偶极近似下,把粒子的纵向运动方程化为摆方程,并在小振幅近似下,把它进一步化为Duffing方程。用Jacobian椭圆函数和第一类椭圆积分严格地给出了粒子轨道和它的运动周期;讨论了沟道辐射、摆动场辐射和"同步辐射"能量(频率)。结果表明,三种辐射之间的频率差别比较大,在实验上很容易将他们分开。选择如下一组参数V0=0.5eV,波长λp=100nm,能量γ=104,计算结果表明,"同步辐射"频率Ω=8.83×1019,已进入X-能区。  相似文献   

15.
在航天辐射环境中,电离辐射产生的辐射效应会对电子元器件性能产生影响。文章对自主研发的SRAM型FPGA芯片在60Co-γ源辐照下的总剂量辐射效应进行了研究。实验表明:(1)总剂量累积到一定程度后功耗电流线性增大,但只要功耗电流在极限范围内,FPGA仍能正常工作;(2)SRAM型FPGA在配置过程中需要瞬间大电流,故辐照后不能立即配置;(3)总剂量辐照实验时,功耗电流能直观反映器件随总剂量的变化关系,可作为判断器件失效的一个敏感参数。该研究为FPGA的设计提供了基础。  相似文献   

16.
MOS器件在不同源辐照下总剂量效应的异同性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了加固型CMOS电路在^60Co—γ射线源、10MeV以下的质子、1~2MeV的电子等辐射源辐照下的总剂量效应实验。结果表明,在相同吸收剂量和 5V栅压的偏置条件下,1MeV的电子与^60Co—γ射线源对器件的损伤相当。质子与^60Co-γ射线源对器件的辐射损伤,在不同的栅压偏置下有不同的结果。 5V栅压下,能量在10MeV以下的质子对器件的损伤小于^60Co-γ射线源,且质子对器件的辐射损伤随着质子能量的增加而增加;在零栅压的偏置条件下,质子对器件的损伤与^60Co-γ射线源对器件的损伤相当。通过对实验结果的分析认为,用实验室常用的^60Co-γ射线源可以模拟MOS器件在质子、电子辐射环境下的最劣总剂量效应。  相似文献   

17.
文章就激光辐射的测量方法和激光产品分类计算进行了理论上的探讨,找出了实际的操作方法。  相似文献   

18.
An expression is given for the Schelkunoff-Friis radiation influence coefficient for arbitrary orientations of the current elements with respect to the coordinate system.  相似文献   

19.
基于周期性阵列角锥结构星载微波辐射热定标源,运用时域有限差分算法(Finite Difference Time Domain,FDTD),建立有限大辐射体电磁波散射模型,探索该结构下热定标源在6.3~230 GHz 内辐射特性变化趋势,分析热定标源辐射性能(包括反射率r和发射率e)随涂层厚度t、角锥高宽比以及角锥宽度p 的变化规律。研究结果表明:热定标源反射率在低频段主要依赖涂层吸波性能,高频段则主要取决于涂层界面反射率;在低频段内,随涂层厚度的增加,热定标源反射率逐渐减小,发射率有所增大,但在高频处,呈现出较快的震荡趋势;在特定涂层厚度下,随着角锥高宽比增加,热定标源在全工作频段内反射率减小,发射率增大,且随着角锥宽度的增加,反射率增大,发射率减小。综合热定标源辐射性能研究结果,结合型号产品具体应用需求,设计开发出热定标源产品,并进行发射率测量,实测发射率均为0.998。  相似文献   

20.
电磁辐射的环境管理   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了电磁辐射污染源的种类和特点,电磁辐射污染对人体健康的危害以及设备或系统的干扰和影响,简述了电磁辐射环境管理法规、标准及管理现状,特别介绍了江苏省移动通信基站建设项目的环境管理实践,探讨了电磁辐射环境管理控制对策。  相似文献   

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