半导体放电管多元胞结构模型

在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图 .对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证 ,结果表明合理设计多元胞版图尺寸和 P基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性和提高器件的抗雷电浪涌能力 ,从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据     

半导体放电管多元胞结构模型

在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图.对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证,结果表明合理设计多元胞版图尺寸和P基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性和提高器件的抗雷电浪涌能力,从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据.     

用半导体放电管保护通信设备

用半导体放电管保护通信设备彭延凤,郑小鹿半导体放电管是在最近五、六年中发展起来的新型过电压保护器,它是基于可控硅原理和结构的一种二端负阻器件,用于保护敏感易损的集成电路,使之免遭雷电和突波的冲击。本文以美国Ｔｅｃｃｏｒ电子公司的半导体放电管ＩＳＤＡＣ...     

超高压SiGe HBT器件结构及制作工艺研究

介绍了一种超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构及制作工艺。该器件增大了N型赝埋层到有源区的距离,采用厚帽层锗硅基区及低浓度发射区的制作工艺,以提高SiGe HBT的击穿电压;在基区和发射区之间利用快速热处理提高工艺稳定性,并使HBT的电流增益(β)恢复到原来水平,以弥补厚帽层锗硅基区及低发射区浓度造成的电流增益降低。基区断开时,发射区到集电区的击穿电压(BVCEO)提高至10V,晶体管特征频率达到20GHz。     

提高半导体放电管抗浪涌能力的研究

半导体放电管是新一代抗浪涌保护器件，抗浪涌能力是其最重要的特性参数之一。文中分析了浪涌条件下器件失效的高温物理机制，讨论了器件功耗与传热对抗浪涌能力的影响，指出采用多元胞结构可降低由热量集中造成的最高结温，从而提高了器件的抗浪涌能力。     

半导体放电管

介绍了用于通信保安单元中的新一代过压保护器件——半导体放电管，简述了它的特点、工作原理、结构及应用。     

倾斜结构InGaAsP/InP集成超辐射光源

为提高半导体超辐射器件的输出功率 ,在原有的将超辐射发光管 (SLD)与半导体光放大器 (SOA)单片集成的基础上 ,将器件电流注入区中心轴线倾斜 6° ,制得了 1 5 μm倾斜结构的InGaAsP InP集成超辐射光源。发现这种新型结构的单片集成器件具有抑制激射的功能。在较低的电流注入下 ,得到了 38mW的脉冲超辐射输出功率。其光谱宽度 (FWHM )和平行、垂直于结平面的远场半宽分别为 16nm ,15°和 6 4°。同时 ,通过对该集成器件特性的研究 ,发现如何增加SOA部分的入射光功率是提高该集成器件性能的一个十分关键的因素     

半导体放电管

介绍了用于通信保安单元中的新一代过压保护器件－半导体放电管，简述了它的特点，工作原理，结构及应用。     

多元胞半导体电涌吸收器件的研究

设计并试制了一种多元胞结构的半导体电涌吸收器件（ＳＳＡＤ），旨在降低器件工作时的最高温度并提高其过浪涌能力。初步实验结果证明器件经历过电涌后，其失效率比单元胞有较显著的降低。     

半导体放电管定量自动注胶装置设计

半导体放电管是一种瞬态过压保护器件,广泛应用于通讯、铁路等行业。为了提高半导体放电管注胶工艺的自动化水平,给出了一种半导体放电管定量自动注胶装置的设计。该装置能够按需调节供胶量,供胶过程中能够自动去除绝缘胶中所混有的气泡,并具有注胶装置自动清洗的特点。该装置的设计解决了半导体放电管涂胶工艺中的关键性技术难题,实现了不同规格放电管的定量自动注胶。