电容耦合三结单电子晶体管特性分析

本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型，研究了三结单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较．结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结单电子晶体管与两结单电子晶体管相比较，具有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力     

单电子晶体管的制备、集成与电路研究

我们制备出了高温Si单电子晶体管,研究了单电子晶体管的集成原理,实现了14个单电子晶体管的串联集成和2个单电子晶体管的并联集成。同时也研究了单电子晶体管与传统高迁移率晶体管的集成和技术,发现可用单个电子来调控传统晶体管的栅对源漏极电流的控制能力（跨导）,利用单电子晶体管的集成方法,建立了对电荷超敏感的探测技术（包括超敏感的库尔计）,实现了单电子存储器中的单电子过程的探测,并设计了一种新型的多值存储器。     

纳米器件与单电子晶体管

报道了一种非常重要的纳米器件———单电子晶体管,介绍了它的原理、基本特性、制备方法及其集成,着重分析讨论了两种新型的单电子晶体管即波导型单电子晶体管和点接触栅型单电子晶体管。     

国内外大功率晶体管发展动态

本文所指的大功率晶体管是指普通型双极大功率晶体管。包括低频大功率晶体管、功率开关晶体管、高反压晶体管和功率达林顿晶体管四部分。功率场效应晶体管VDMOS、功率晶体管模块GTR、绝缘栅晶体管IGBT、静电感应晶体管SIT、静电感应晶闸管SITH及     

后CMOS器件的候选者

介绍了几种后CMOS器件可能的候选器件:谐振隧道器件、单电子晶体管、碳纳米管晶体管、分子器件和自旋晶体管。     

基于主方程法单电子晶体管的Verilog-A行为模型

 基于单电子晶体管的主方程算法,在简化Lientschnig的单电子晶体管模型基础上,建立了基于Verilog-A的单电子晶体管行为描述模型,并利用Cadence Spectre 仿真器对该模型进行了验证.通过单电子晶体管逻辑电路的设计和仿真,表明该模型具有合理的精确度,且速度快,为单电子晶体管电路及混合电路的仿真提供了一种有效的方法.     

基于单电子晶体管的动态全加器电路设计

基于单电子晶体管的I-V特性,运用CMOS动态电路的设计思想,提出了一种基于单电子晶体管的全加器动态电路,利用SPICE对设计的电路进行了仿真验证,分析了电荷分享问题.相对于静态互补逻辑电路的设计方法,基于单电子晶体管的动态逻辑电路不仅克服了单电子晶体管固有的电压增益低的缺点,而且器件数目也大幅减少.多栅SET的使用可以减少电荷分享问题对动态电路的影响.     

单电子晶体管放大器的数值分析

本文基于单电子隧道效应晶体管的半经典模型，研究了电容耦会单电子隧道晶体管放大器的静态特性和小信号特性．结果表明：单电子晶体管放大器具有灵敏度高，功耗低等优点，缺点是由于几率工作，工作条件受到严格的限制．     

电容耦合三结高温超导单电子晶体管数值模拟

基于单电子隧道效应的半经典模型，研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程，分析了其I－V特性，并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结高温超导单电子晶体管比两结高温超导单电子晶体管有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力。     

纳米器件与单电子晶体管(续)

6单电子晶体管的集成单电子晶体管的集成化将依赖于各元器件的无线耦合[3],这与传统的大规模集成电路原理不同.基于这种单电子器件的集成原理,Nakazato等人[4,5]实现了有存储功能的单电子存储器和单电子逻辑电路.它们通过单电子晶体管间的隧穿耦合和电容耦合来实现单电子器件的集成.     

The Complete Semiconductor Transistor and Its Incomplete Forms

This paper describes the definition of the complete transistor.For semiconductor devices,the complete transistor is always bipolar,namely,its electrical characteristics contain both electron and hole currents controlled by their spatial charge distributions.Partially complete or incomplete transistors,via coined names or/and designed physical geometries,included the 1949 Shockley p/n junction transistor（later called Bipolar Junction Transistor,BJT）,the 1952 Shockley unipolar ＇field-effect＇ transistor（FET,later called the p/n Junction Gate FET or JGFET）,as well as the field-effect transistors introduced by later investigators.Similarities between the surface-channel MOS-gate FET（MOSFET） and the volume-channel BJT are illustrated.The bipolar currents,identified by us in a recent nanometer FET with 2-MOS-gates on thin and nearly pure silicon base,led us to the recognition of the physical makeup and electrical current and charge compositions of a complete transistor and its extension to other three or more terminal signal processing devices,and also the importance of the terminal contacts.     

用V—MOS管改进行输出电路

本文给出了用V-MOS管代替双极型晶体管作行输出管的实用电路,并且从热损耗和截止损耗出发分析了这种电路的优越性。     

VDMOS管的特性及在电子镇流器中的应用

本文主要介绍VDMOS管的制造工艺与结构,并将VDMOS管的特性与双极晶体管作比较,突出了VDMOS管在电子镇流器中作为开关管的优势,对VD－MOS管在电子镇流器中的具体使用条件作了说明。     

The Complete Semiconductor Transistor and Its Incomplete Forms

This paper describes the definition of the complete transistor. For semiconductor devices, the complete transistor is always bipolar, namely, its electrical characteristics contain both electron and hole currents controlled by their spatial charge distributions. Partially complete or incomplete transistors, via coined names or/and designed physical geometries, included the 1949 Shockley p/n junction transistor (later called Bipolar Junction Transistor,BJT), the 1952 Shockley unipolar 'field-effect' transistor (FET, later called the p/n Junction Gate FET or JGFET), as well as the field-effect transistors introduced by later investigators. Similarities between the surface-channel MOS-gate FET (MOSFET) and the volume-channel BJT are illustrated. The bipolar currents, identified by us in a recent nanometer FET with 2-MOS-gates on thin and nearly pure silicon base, led us to the recognition of the physical makeup and electrical current and charge compositions of a complete transistor and its extension to other three or more terminal signal processing devices, and also the importance of the terminal contacts.     

纳米晶体管研究进展

纳米晶体管是尺寸小于100nm的晶体管。纳米晶体管大大提高了晶体管、集成电路、计算机以及其他电子器件的性能。Intel公司正在进行50nm以下Si晶体管的研制,他们研制的THzCMOS平面晶体管克服了小尺度给纳米晶体管制作所带来的诸如栅极漏电流、关闭状态下的漏电流、电阻增加以及开通电压升高等一系列困难。目前,Si纳米晶体管的小型化并没有停止的趋势,除此以外,碳纳米管晶体管、Mott转变纳米晶体管以及有机纳米晶体管都在受到大力关注和正在研制之中。     

双极场引晶体管:I.电化电流理论(双MOS栅纯基）

本文描述双极场引晶体管(BiFET)及其理论.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,得到解析方程.以表面势为参变量,采用电化(准费米)势梯度驱动力计算电流.提供实用电极直流电压及器件参数范围,随直流电压变化,输出和转移电流和电导.电子和空穴表面沟道同时存在,这新特点可以用来在单管实现CMOS电路倒相和SRAM存储电路.     

简易晶体管特性图示仪设计

设计了简易晶体管特性图示仪。设计模拟电路产生合适的阶梯电压加至被测小功率晶体管的基极,产生若干级大小不等的基极电流,在每级基极电流的作用下,取出对应的Uce、Ic、Ib等所需量加至示波器,用EWB分析波形,判断晶体管的性能。     

光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特性，设计和制造了在光强度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ，     

热电子晶体管及其研究进展

热电子晶体管是依靠热电子携带输入信息,并使之在器件中放大的。这种器件具有工作速度高,使用一个元件就可以完成某种复杂的逻辑功能等优点。本文首先介绍热电子晶体管的基本原理,然后介绍几种重要的热电子晶体管,包括隧道热电子输运放大(THETA)器件,共振隧道热电子晶体管(RHET)和电荷注入晶体管(CHINT)等。     

提高功率晶体管封装性能的技术措施

在对功率晶体管封装方式进行技术分析的基础上,提出了一种改善功率晶体管封装性能的技术措施,并介绍了利用这种技术措施研制的功率晶体管的功能特征。