1.55微米mInGaAsP低阈值掩埋新月型注入激光器

在沟道衬底上用两步 LPE(液相外延)生长可以制造1.3μm 和1.55μm 的低阈值电流注入激光器。在1.3μmBC(掩埋新月型)激光器中控制掺杂浓度可以降低 InGaAsP激光器的分路漏电流,并给出低阈值电流,良好的光——电流线性、高工作温度和长寿命。本文报告了1.55μmInGaAsPBC 激光器性能的显著进展。1.55μm BC 激光器是早期1.3μm BC 激光器结构的改进型,它的性     

波长1.3μm的低阈值InGaAsP脊型波导激光器的性能

我们已经研制成不用再生长过程的平面多层结构脊型波导激光器。它仍然具有无源横模限制和电流限制的作用。前不久,我们曾报导过用带隙1.3μm的p型缓冲层制成的1.55μm激光器。后来又发表了采用带隙为1.1μm的对称P型和n型限制层制成的波长1.3μm激光器。最近由于材料质量的提高和制作技术的改进,我们制成了脊型宽度只有5μm的波长1.3μm激光器,在21℃下连续工作阈值电流     

武邮院单模光纤的新突破

邮电部武汉邮电科学研究院在单模光导纤维研制工作中突破了技术难关,取得了优异成绩,并拉制出一批光纤样品。光纤的有效截止波长为1.1—1.28μm;光纤衰减在1.3μm和1.55μm波长都降到1dB/km以下。直到1984年底,波长在1.3μm时,衰减达到0.8dB/km,在1.55μm时,衰减达到0.5dB/km。这一新进展为我国单模光纤通信研究工作创造了必要     

1.3μm Nd:YAG脉冲激光器

Nd:YAG激光器大都工作于1.06μm波长,为了扩展Nd:YAG激光器的输出波长,我们研究了Nd:YAG激光晶体在室温下另一四能级系统4F_(3/2)→4I_(13/2)发射波长1.3μm的激光特性。关于该波长的连续运转特性,国内、外都曾有过研究报道。这里报道的是脉冲运转特性的实验研究。 一、实验装置 由于室温下Nd:YAG晶体中1.06μm谱线的荧光强度比1.3μm谱线大,所以一般总是1.06μm谱线首先起振。要获得1.3μm激光振荡输出,必须抑制1.06μm激光振荡,并选择适当的谐振腔镜透过率,使1.3μm激光获得足够的增益,实现其振荡输出。     

垂直入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.     

垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.     

长波长铟置换铋钙钒石榴石单晶光隔离器

本文采用铟置换铋钙钒石榴石单晶研制了新型非稀土元素石榴石单晶光隔离器。有1.3μm和1.5μm波段两种器件;在1.3μm波长时,隔离度≥40 dB,插入损耗1.0 dB;在1.523μm波长时,隔离度>43 dB,插入损耗1.1 dB,其中插入损耗中包括两个偏振棱镜的Fresnel反射损耗约0.8 dB。     

1.3μm固体激光器研究进展

1.3μm波段固体激光器在多领域均有着重要作用,本文介绍了近20年来国内外不同晶体材料输出1.3μm波段激光的研究进展,包括几种常用的晶体如YAG、YVO₄、GdVO₄以及其他晶体。通过分析认为,对新材料、新机制的探索与应用是未来1.3μm波段激光器的主要发展方向。     

1.3μm光电子集成

NEC公司光电研究实验室已制作出1.3μm的光电子集成,该光电集成电路是在InP衬底上光电集成LD和光电二极管,它可用于Gbit/s系统。1.3μm发射机由条形LD和双极驱动晶体管组成,按收机由PIN光电管和FET组成。该组件工作于1.3μm波     

为苏格兰法因湖海底光缆系统制造的单模光纤

引言单模光纤作为海底光缆用的长距离传输媒介是有特殊吸引力的,已报导其损耗在1.3及1.55μm分别低达0.5dB/km及0.2dB/km。对较长波长具有兴趣是因为在1.3μm时硅的材料色散达到零,还有可能总的色散为零,并且在1.55μm于最低损耗窗口附近能得到最宽带宽。在1.3μm和1.55μm波长,光纤的损耗、带宽与接头损耗之间的折衷数及系统的最终性能尚不清楚。本文描述了5海里(9.5km)海底光缆系统中用的单模光纤的研制和生产情     

中心凹陷较小的单模光纤

用MCVD法制造GeO_2-P_2O_5-SiO_2系单模光纤,减小了中心凹陷。对主要参数进行了测量,在波长0.82μm处的衰减为2.12dB/km,1.3μm为1.29dB/km,1.55μm为0.8dB/km,1.3μm的色散为10PS/km·nm。成功地进行了二次被复,并作了非线性光学试验。     

1.3 μm波长区用的渐变型光纤制造技术

在材料色散为零的1.3μm 波长区,实现低损耗宽带宽的渐变型光纤是当前要达到的目标。在本文中,为了确立1.3μm 波长区用的渐变型光纤的制造技术,进行了组分的探讨,以及折射率分布控制法的改善、最佳折射率分布系数的探讨等。结果,弄清了纤芯组分以 GeO_2—P_2O_5—SiO_2系,包层组分以 GeO_2—B_2O_3—P_2O_5—SiO_2系为宜,波长在1.27μm 时的最佳折射率分布系数为1.88±0.01。而就所内传输实验(TL_3)而言,制作了11根预制件,并拉制成21.4公里长,得到平均损耗为0.70分贝/公里(在1.3μm 下),平均带宽为1080兆耕·公里(在1.27μm 下)的1.3μm 波长用渐变型光纤。此外,还制造成了1.27μm 下为2.1千兆赫·公里,1.06μm 下为3.5千兆赫·公里的超宽带渐变型光纤。     

具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器

利用表面微机械技术,成功制作了1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器.原型器件在50V的调谐电压下,调谐范围为90nm.该技术可以用于制作1.3μm Si基可调谐光探测器.     

具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器

利用表面微机械技术,成功制作了1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器.原型器件在5 0 V的调谐电压下,调谐范围为90 nm.该技术可以用于制作1.3μm Si基可调谐光探测器.     

日立公司市售的1.3μm、1.55μm、5mW功率DFBLD

日立公司最近开始出售1.3μm、1.55μm DFB-LD,其规格: 型号:HL 1341A(1.3μm),HL1541A(1.55μm) 功率:5mW 结构:DFB型BH结构模式性能:单纵模稳定(高速调制时) 频谱半宽:0.1nm(1.53～1.57μm时)     

长波长1.3μm光纤放大器的探索

本文对光纤通信长波长1.3μm运用的掺镨氟化物光纤放大器在国外探索实验的现状作了简单介绍。首先简介光纤放大器作用的原理,着重说明1.3μm光纤放大器如何选择纤芯的掺离子和玻璃成份。然后介绍小信号放大器和功率放大器及抽引光源在实验室测量的典型性能数据。文束估计不久的将来,这种1.3μm光纤放大器有把握制成产品,供数字通信网和模拟有线电视网使用。     

1.3微米波长InGaAsP/InP双异质结面发光二极管

石英光纤在1.3μm波长处的损耗低达0.5dB/km,色散几乎为零。因此,工程实用系统广泛采用1.3μm波长的光纤传输系统。在可用的光源器件中,1.3μm面发光管是一种高可靠性、低成本的实用器件,能满足中、短距离光纤通信的要求。使用这种器件已建成了工作速率为274Mb/s、无中继传输距离8公里和400Mb/s、5公里的梯度多模光纤通信系统。近年来,具有1～2Gb/s超高速调制能力的面发光1.3     

用于单模光纤的小面积Ge——APD

研究并试用了光敏面为30μm的Ge—APD。室温下,倍增暗电流低到5nA。装配了由二极管与球面透镜构成的组件并与芯径为10μm的单模光纤作了耦合。在1.3μm波长下,该组件的量子效率为90%。在45Mb/S和1.3μm波长下,测量了接收灵敏度,在10~(-11)误码率、25℃和50℃下,获得的最小探测功率分别为-51.9dBm和-50.7dBm。     

1.3μm和1.55μm半导体激光器俄歇速率及阈值与温度的依赖关系

本文介绍了直接禁带半导体中辐射速率和俄歇速率的一组归一化计算结果,重点是1.3μm和1.55μm波长所对应的禁带材料。根据可得到的发射1.3和1.55μm波长材料带结构之最佳数据,对于这些激光器材料在阈值时寿命的辐射成分和俄歇成分进行了计算。发现算得的这些材料的T_0值在49K—92K之间。     

光纤技术的现状及其发展预测

一、发展现状在光纤技术领域内,技术发展最成熟、使用也最广泛的是石英光纤。国外石英光纤技术的发展现状是:短波长(0.8～0.9μm)的石英光纤系统和1.3μm的长波长多模光纤系统已经处于实用阶段;1.3μm的单模长波长石英光纤系统已进入实用化阶段;1.55μm的长波长单模石英光纤技术虽仍处于研究开发、试验和试用阶段,但近年也已开始了其实用化的进程。随着石英光纤技术实用化的进展,近几年来,石英光纤已逐步向产业化的阶段过渡,现已初步实现了产业化。我国石英光纤技术发展也很迅速。目前,短波长和1.3μm的长波长多模光纤系统已逐步从现场试用向实用化阶段过渡;单模光纤的研制开发工作也已取得相当成果,例如武汉邮电研究院研制的单模光纤在1.3μm及1.55μm时的损耗已分别达到0.8和0.5dB/km,均低于1dB/km。为适应我国光纤