基于级联式偏置锁相环的低相噪宽带频率合成器*

为提高锁相环的相位噪声性能,本文设计了一种级联式偏置锁相环来实现宽带低相噪频率合成器,通过理论分析得到其相位噪声模型,证明了该技术能够有效地降低锁相环路中鉴相器的噪声基底,并且混频交互调产生的所有杂散可由环路滤波器抑制,从而将窄带高频谱纯度信号扩展为宽带高频谱纯度信号。基于该技术提出了2GHz ~5GHz 的低相噪宽带频率合成器方案,并对其相位噪声指标进行了分析。理论与实验结果表明,相比于传统的小数分频式锁相环方案,该方案的带内相位噪声有明显改善。     

基于ADF4106的低噪声频率合成器的设计

频率合成器对通信系统性能有着重要的影响。本文设计了一种基于锁相环芯片ADF4106的低相噪频率合成器,该方案简单易行且易于调试,具有较高的实用价值。     

基于锁定时间分析的锁相环频率合成器

提出了一种新的针对采用二阶无源滤波器的锁相环频率合成器锁定时间的估算公式,并通过仿真软件及实测结果对该公式进行了验证。基于该估算公式,设计了一种具有快速锁定功能的锁相环频率合成器。实验结果表明该锁相环频率合成器锁定时间小于7μs,具有快速锁定的功能。同时该锁相环还具有良好的相位噪声性能,对于32GHz输出信号相位噪声为-72dBc/Hz@1kHz以及-90dBc/Hz@1MHz。     

一种低功耗快速锁定简易锁相式频率合成器

采用0.5 μm CMOS工艺,设计了一种简易锁相式频率合成器。采用“类锁相环”结构,在传统锁相环频率合成器的基础上,去除了电荷泵和低通滤波器。利用鉴频鉴相器的输出结果作为开关信号,控制压控振荡器的工作状态,使压控振荡器的输出信号在第N个周期返回鉴频鉴相器后立即被关断,直到下一个参考时钟周期来临。分析了电路的结构和工作原理,并对每个模块进行了理论分析。该频率合成器能够快速地产生固定的时钟频率,具有结构简单、功耗低、锁定时间短等优点。仿真结果表明,输入参考时钟为4 MHz时,该频率合成器的输出频率为15.96 MHz,功耗为2.96 mW,锁定时间小于1 μs。     

宇航用高可靠性频率合成器的设计

频率合成器是雷达设备的关键组成部分,该文对一种宇航用高可靠性频率合成器的方案进行了分析,着重对从设计上提高频率合成器的可靠性进行了介绍。本方案采用了锁相环方式,产生Ku波段输出信号,经验证,信号频率源准确度≤1×10-7,在Ku波段输出信号相位噪声可达-84 dBc/Hz@1 kHz。按应力法预计,工作时间内可靠度指标满足0.999 66的要求。     

基于ADF4350锁相频率合成器的频率源设计与实现

介绍了ADF4350锁相频率合成器的内部结构,在此基础上,分析和探讨了ADF4350锁相频率合成器的基本原理和工作特性.结合ADF4350的工作特性,给出了一种用AVR单片机控制ADF4350锁相频率合成器的频率源设计方法.对于环路滤波器,运用ADIsimPLL软件进行仿真和设计.通过对锁相环硬件电路的调试和编写相关单片机控制程序,实现了一个性能较好的频率源.     

一种基于DDS和PLL技术本振源的设计与实现

现代频率合成技术正朝着高性能、小型化的方向发展,应用最为广泛的是直接数字式频率合成器(DDS)和锁相式频率合成器(PLL).介绍直接数字频率合成器和锁相环频率合成器的基本原理,简述用直接数字频率合成器(AD9954)和锁相环频率合成器(ADF4112)所设计的本振源的实现方案,重点阐述了系统的硬件实现,包括系统原理、主要电路单元设计等,并且对系统的相位噪声和杂散性能做了简要分析,最后给出了系统测试结果.     

CPT铷原子钟锁相环频率合成器设计和分析

基于CPT(相干布局囚禁)87铷原子钟设计出输出频率为3417 MHz的锁相环频率合成器,通过ADIsimPLL仿真出最佳环路带宽,环路滤波器参数以及相位噪声等,并通过STM32对锁相环芯片进行控制。对频率合成器进行了测试,电路尺寸为40 mm×40 mm,输出信号功率范围为-4 dBm^+5 dBm可调,输出信号噪声满足要求-88.65 dBc/Hz@1 kHz,-92.31 dBc/Hz@10 kHz,-104.63 dBc/Hz@100 kHz,杂散和谐波得到抑制,设计的频率合成器能很好的应用于原子钟的射频信号源。     

一种小体积X波段频率合成器设计

介绍了一种小体积频率合成器的设计，该频率合成器通过直接数字频率合成器（DDS）产生线性调频信号，通过锁相环产生固定二本振信号，通过锁相环（PLL）与2 倍频器产生一本振信号，通过变频部分完成二次混频产生射频激励信号。同时采用现场可编程门阵列（FPGA）完成DDS 控制以及与系统通讯，电源控制部分产生各种电源。     

某型多调制方式低相噪毫米波频率源设计

介绍了一种低相噪、多调制方式毫米波频率源方案,采用直接数字频率合成(DDS)+锁相环(PLL)技术,通过引入FPGA解决了同时产生多调制编码单元的难题。详细分析了数字调制编码单元,给出了软件控制流程、m序列Modelsim仿真结果以及环路滤波器设计参数。实测结果表明,调制信号中心频率30 GHz,输出功率大于4 dBm,相位噪声优于-100 dBc/Hz@100 kHz。     

长波红外激光成像雷达技术的研究进展

文中论述了长波红外激光成像雷达国内外最新研究进展。以CO2激光成像雷达为典型代表,分析了长波红外激光成像雷达（与短波红外和中波红外相比）所拥有的技术优势。其中CO2长波红外激光成像雷达已步入技术成熟阶段,现现高帧频、小型化、多用途波导CO2激光成像雷达方向发展。随着近年来最子级联半导体激光器（QCL）迅猛发展,全固化QCL激光成像雷达,将是未来长波经外激光成像雷达技术研究的热点之一。     

国外军用大功率半导体激光器的发展现状

由于半导体激光器具有体积小、结构简单、质量轻、转换效率高、可靠性好、寿命长、易于调制及与其他半导体器件易于集成等特点,可应用于军事、工业、医疗、通信等领域,尤其是在激光制导跟踪、激光雷达、激光引信、激光测距、激光通信、激光模拟武器、激光瞄准告警和光纤陀螺等军事领域得到广泛应用.概述了近年来美国和欧洲等国家在半导体激光器方面的主要研制计划及其所取得的成果,重点介绍了GaAs基和InP基近红外大功率半导体激光器、中远红外及太赫兹量子级联半导体激光器等的发展现状和最新研制成果.随着新型半导体材料、激光器结构和热管理等技术的发展,展望了未来半导体激光器技术的发展趋势.     

二极管泵浦固体激光器研究的一些新进展

对用于材料加工和惯性约束聚变的二极管泵浦固体激光器近年来研究工作的一些进展作了评述和分析。     

LD圆柱形封装焊后位移的定向热补偿研究

针对LD模块的圆柱形激光焊接封装,以LD耦合进尾纤的功率变化为依据,对焊接微变形引起的光纤与LD对准位置偏移进行特征分析.优化减小焊后位移(PWS)的焊接参数,提出PWS方向判定的方法,实现单束激光补焊的定向热补偿,使对准精度提高到0.5 μm内,耦合功率恢复到最佳耦合时的90%以上.     

超快脉冲激光沉积类金刚石膜的研究进展

综述了脉冲沉积(PLD)类金刚石膜(DLC)的优势和局限,对其局限的补偿和突破,以及脉冲沉积法的重要发展方向——超快脉冲激光沉积(Ultra-fast PLD)类金刚石膜(DLC)的研究进展。     

激光经络穴位疗法治疗中耳炎所致耳鸣症

采用激光经络穴位疗法治疗中耳炎所致的耳鸣症病人104例196只患耳，总有效率97．1％例96．9％耳；1～6年随访现察的61例116耳，总有效率为96．7％例97．4％耳，具有进一步研究和推广应用价值．     

分布反馈光纤激光器自放大特性实验研究

通过相位掩膜板移动法,制作了非对称相移结构分 布反馈光纤激光器(DFB-FL)。为了获得更高的激光功率,利 用同样长度的掺铒光纤(EDF),分别采用同向泵浦和反向泵浦结构方式进行了窄线宽激光信 号的自放大实验,结 果表明,两种自放大结构的DFB-FL均可充分利用泵浦光功率,在保证激 光线宽展宽有限的前 提下,实现了激光信号至少23dB的功率放大。同时,实验结果对比 说明,同向泵浦放大结构更有利于保 持原激光信号的噪声特性。这为较大输出功率的DFB-FL提供了一种简单 可行的方案。     

高功率固体激光和相关单元技术研究的新进展

对高功率固体激光和相关单元技术研究的新进展,如高功率二极管泵浦固体激光器,用于惯性约束聚变和惯性聚变能的二极管泵浦固体激光驱动器,TW和PW级高亮度源,以及板条固体激光放大器等研究的新进展作了评述和分析。     

新型战术高能液体激光器

评论了化学激光器和固体激光器的现状和主要问题,介绍和讨论了高能液体激光区域防御系统的特点、任务、发展规化和现状,以及主要组成和关键特性.     

Cu溅射诱导增强量子阱混杂实验研究

在InP基异质结InGaAsP多量子阱(MQW)结构上溅射Cu/SiO2复合层,开展了量子阱混杂(QWI)材料的实验研究。经快速退火(RTA),实现了比常规无杂质空位扩散(IFVD)方法更大的带隙波长蓝移量。在750℃、200s的退火条件下,获得最大172nm的波长蓝移;通过改变退火条件,可实现不同程度的蓝移,满足光子集成技术中不同器件对带隙波长的需求。为了验证其用于光子集成领域的可行性,利用混杂技术分别制备了宽条激光器和单片集成电吸收调制激光器(EML)。在675℃退火温度,80s、120s和200s的退火时间下分别实现了61、81和98nm的波长蓝移;并且,相应的宽条激光器的电激射光(EL)谱偏调量与其材料的光致荧光(PL)谱偏调量基本一致。在675℃、120s退火条件下,制备的EML集成器件中,电吸收调制器(EAM)和分布反馈(DFB)激光器区的蓝移量分别83nm和23.7nm,相对带隙差为59.3nm。EML集成器件在激光器注入电流为100mA、调制器零偏压时出光功率达到9.6mW;EAM施加-5V反向偏压时静态消光比达16.4dB。