高反压管BVCBO击穿特性发挥现象的机理分析与解决

通过对某型高反压管ＢＶｃｂｏ击穿特性发辉现象实验对比分析和物理机理的研究，找出了产生此现象的直接原因，进而对晶体管安全工作方面的实验和研究提出了解决发辉现象的措施及测试ＢＶｃｂｏ单结特性时应注意的问题。     

单层有机半导体微腔效应的研究

制作了ＤＢＲ／ＩＴＯ／ＰＰＶ／Ａ１微腔结构，研究了这种结构ＰＰＶ发光器件的光致发光和电致发光特性。实验结果表明，由简单地调节夹于两金属电极镜面之间的ＰＰＶ层厚度可实现微腔效应。     

高纯GaAs的非线性伏安特性

报道了４．２Ｋ下Ｎ型高纯ＭＢＥＧａＡｓ的非线性伏安（Ｉ－Ｖ）特性．在第一个Ｓ形负阻区的高场侧，发现了另外三个Ｓ形负阻区．建立了新的产生－复合模型，给出了多个负阻现象的微观物理机制．进一步的实验结果表明，非线性Ｉ－Ｖ特性的滞后现象与外电场变化的历史有关．     

硼含量对50SiMnVB钢冲击功的影响

硼含量对５０ＳｉＭｎＶＢ钢冲击功的影响赵金茹殷涛王新瑞（内蒙古金属材料研究所，包头０１４０３４）本文用透射电镜研究分析了５０ＳｉＭｎＶＢ钢加入不同少量的硼后，再经各种不同热处理制度处理碳化物形状、分布状态对冲击功的影响。５０ＳｉＭｎＶＢ钢也是近几年发...     

Au／a—Ge双层膜分形晶化及其V—I非线性研究

本文报道了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜的分形晶化现象，测量了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜在分形晶化后的Ｖ－Ｉ特性。实验结果表明：Ｗ发形晶化后的Ａｕ／Ａ－Ｇｅ双层膜具有反常的非线性Ｖ－Ｉ特生，应用隧道结网络（ＲＴＪＮ）。模型对该合理的解释。     

（100）和（111）BGaAs衬底上的In_（0．14）Ga_（0．86）As／GaAs量子阱的发光特性和光跃迁能量计算

在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ衬底上，同时用ＭＯＣＶＤ生长出Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ａｓ多量子阱结构．对两种晶向的样品进行了低温（２Ｋ）光致发光谱特性对比研究，测量与理论计算的光发射能量对比表明：（１００）面样品两者一致，而（１１１）Ｂ样品计算值比测量值高出１０～１５ｍｅＶ．这一差别用（１１１）Ｂ面量子阱中的压电效应产生的自建电场引起的发射能量红移作出解释．     

双极型静电感应晶体管的温度特性

通过双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）与普通双极型晶体管（ＢＪＴ）温度特性的对比，研究ＢＳＩＴ的温度特性。由实验看出，影响ＢＳＩＴ温度特性的主要因素是载流了迁移率μ和邮源极越过势垒的电子数目ｎ。以盯可解释几个在观察ＢＳＩＴ温度特性时所遇到的现象。     

硅上超高真空CVD生长硅锗外处层及其特性研究

我们利用自行研制的ＵＨＶ／ＣＶＤ技术在直径３英雨的硅衬底上生长了锗硅外延层，并进行了实时掺杂生长，采用Ｘ射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外延层的质量与组分，利用扩展电阻仪对外延层电阻率进行了表征，研究了生长特性和材料特性。由此获得了生长速率及组分与源气体流量的关系曲线，发策生长速率随Ｇｅ组分的增加而降低，以氢气为载气的Ｂ２Ｈ６对锗硅合金的生长速率有促进作用。     

VBR背景业务下的ABR拥塞特性

ＡＢＲ业务的拥塞控制方案是当前ＡＴＭ研究方面的热点,本文首先分析了存在ＶＢＲ背景业务时,ＡＢＲ拥塞控制方案的动态特性,然后将此分析模型用于研究明确速率反馈交换机的排队性能,并研究了ＴＣＰｏｖｅｒＡＢＲ的拥塞特性。     

AM—CATV光纤传输系统中BBI外调制器的非线性及其预失真补偿技术

对ＡＭ－ ＣＡＴＶ（调幅有线电视）光纤传输系统中平衡桥干涉型（ＢＢＩ： Ｂａｌａｎｃｅｄ ＢｒｉｄｇｅＩｎｔｅｒｆｅｒｏｍ ｅｔｅｒ）外调制器的非线性特性进行了理论分析,在此基础上介绍了最佳偏置点的稳定控制技术以消除ＣＳＯ项,对三阶非线性项ＣＴＢ,则给出了电子预失真补偿的理论分析、电路设计及实验结果。     

低玻璃化转变温度掺杂有机聚合物体系的光折变效应

报道了一种低玻璃化转变温度掺杂有机聚合物体系中的光折变效应。研究了ＰＶＫ－Ｃ６０薄膜的光电导特性，测量了ＰＶＫ－硝基偶氮苯的电光系数。在ＰＶＫ－Ｃ６０－硝基偶氮苯－邻苯二甲酸二丁胸（ＤＢＰ）厚膜中实现了光学简并四波混频和两束耦合，在较低的场强下（１６．４Ｖ／ｕｍ），获得高达１．５％的四波混频衍射效率。实验表明了ＤＢＰ增塑剂的引入有效地增加了取向对光折变效应的贡献．提高了材料的光折变性能。     

低温形成栅介质膜电特性的容—压法分析

采用准静态Ｃ－Ｖ特性和高频Ｃ－Ｖ特性测试技术，结合温偏（Ｂ－Ｔ）实验，测试了等离子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、固定电荷密度、介电常数、可动离子密度），结果表明，制备出的栅介质膜性质优良。     

细水雾与射流卷吸现象的LDV/APV测量研究

本文利用三维激光多普勒测 计和自适性相位移普勒速度计系统（三维ＬＤＶ／ＡＰＶ系统）,通过观察和测量细水雾被射郑吸的现象,获取了细水雾的平均速度,平均粒径和雾能量等特性参数,深化认识细水雾被射流卷吸的机理,为下一步进行细水雾被火焰卷吸现象的实验研究打下了良好的基础。     

三维LDV/APV系统研究细水雾与射流卷吸现象

利用三维激光多普勒测速计和自适性相位多普勒速度计系统（三维ＬＤＶ／ＡＰＶ系统）,通过观察和测量劝水雾被射流卷吸的现象,获取了细水雾的平均速度、平均粒径和雾通量等特性参数,深化认识细水雾被射流卷吸的机理,为下一步进行细水雾被火焰卷吸现象的实验研究打下了良好的基础。     

混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究

本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中的ＮＸ和ＮΓ发光带进行了研究．在选择激发条件下,实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮΓ→ＮＸ的带间能量转移现象．从变温光致发光谱得到在温度Ｔ＜５０Ｋ时,ＮΓ和ＮＸ的激活能分别为Ｅａ（ＮΓ）＝５．８ｍｅＶ和Ｅａ（ＮＸ）＝１１．２ｍｅＶ;在温度Ｔ＞５０Ｋ时,ＮΓ和ＮＸ的激活能分别为Ｅａ（ＮΓ）＝６７ｍｅＶ和Ｅａ（ＮＸ）＝３２ｍｅＶ．根据实验结果,我们提出,ＮＸ和ＮΓ中心分别来自孤立Ｎ中心和Ｎ束缚激子分     

制备工艺对BaTiO3陶瓷性能的影响

分别采用化学共沉淀法和水热法制备铁电四方相和顺电立方相ＢａＴｉＯ３粉体，然后将它们按一定比例混合，在低氧压条件下烧结成ＢａＴｉＯ３陶瓷。较详细地研究了这种ＰＴＣ效应很低的ＢａＴｉＯ３陶瓷的Ｒ－Ｔ特性、Ｉ－Ｖ特性与制备工艺的关系，并对其导电机理进行了探讨     

光电负阻晶体管的初步研究

本文对“λ”双极晶体管型光电负阻晶体管，首次给出了完整的等效电路，并以此等效电路为基础，用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对ＰＬＢＴ的Ｉｐｈ－ＶｃＥ特性进行了模拟。模拟结果与从ＰＬＢＴ实验性器件实测的Ｉｐｈ－ＶＣＥ特性吻合得很好，初步研究还表明，此器件除了作为光探测器外，还具有光生振荡和光控调频等功能。     

未来宽带接入网的VB 5接口

本文介绍了ＶＢ５接口的基本概念和ＶＢ５协议,对ＶＢ５接口的协议结构和功能体系进行了详细的描述,并对ＶＢ５接口的发展前景进行了展望。     

分子束外延Hg0.68Cd0.32Te薄膜光致发光和喇曼散射的研究

对利用ＭＥＢ技术生长的Ｈｇ０．６８Ｃｄ０．３２Ｔｅ薄膜进行了光致发光和喇曼光谱的研究，拟合薄膜光致发光谱得到的禁带宽度，与红外透射谱得到的薄膜带宽相近；其半宽仅为５ｍｅＶ，带尾能量小于１．３ｍｅＶ，显示了较高的薄膜质量。     

快速热氮化SiO_xN_y薄介质膜的电荷特性与光学性质

对于快速热氮化（ＲＴＮ）的ＳｉＯｘＮｙ薄膜（ＲＴＮＦ），本文不仅采用Ｂ－Ｔ处理高频Ｃ－Ｖ测试研究了它的电荷特性，而且还借用椭圆偏振谱技术和俄歇电子能谱分析研究了它的光学性质和微结构组分，同时还讨论了电学特性与光学性质间的相关性．实验结果表明：氮化后再氧化退火是减少ＲＴＮＦ中固定电荷的有效途径，结合Ｂ－Ｔ处理高频Ｃ－Ｖ测试技术仍适用于这种薄膜中碱金属可动离子密度的测量．研究结果还给出：类似于禁带中央界面陷阱密度，该薄膜折射率随氮化时间呈现出“回转效应”变化关系．测试分析结果并初步提出一个直接与膜的微结构组分