新型软光电材料-离子液体电光调制特性

采用实验方法研究了新型软光电材料离子液体的电光调制特性。研究表明外加低频交流电信号时, 光功率输出与电信号相同频率振荡, 振幅受调制信号幅度和频率的共同影响, 电压幅度越大, 电压频率越低, 光输出振荡幅度越大; 外加直流电信号时, 光功率输出呈光开关状态。对影响光功率变化的因素, 如离子液体种类、调制部分物理尺寸以及离子液体折射率、电导率等进行了研究分析, 并对实验现象进行初步解释。     

与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟

采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件.讨论了该器件的光发射机理.利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟,包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等.结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件,在光互连等领域具有广阔的应用前景.     

与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟

采用工业标准 0 6 μmCMOS工艺设计了以反向击穿硅 p n结为基础的光发射器件 .讨论了该器件的光发射机理 .利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟 ,包括器件的正向和反向I V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等 .结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件 ,在光互连等领域具有广阔的应用前景.     

光电反馈半导体激光器调相特性的研究

本文研究了光锁相环(OPLL)式光电反馈半导体激光器(LD)的相位调制特性,特别研究了引起相位调制特性曲线振荡的原因以及抑制振荡的方法.     

激光器对光电振荡器相位噪声的影响

为了改善光电振荡器相位噪声特性、提高光电振荡器性能,采用理论分析和实验验证的方法,研究了激光器线宽、光功率与光电振荡器相位噪声之间的关系.测试了激光器在功率相等、线宽不等情况下,光电振荡器所产生的微波信号的频谱特性和相位噪声特性;测试了给定线宽激光器在不等功率情况下,所产生的微波信号的相位噪声特性.结果表明,激光器线宽越窄、光功率越大,光电振荡器产生微波信号的频谱特性和相位噪声特性就越好;在频偏1kHz以外,相位噪声受激光器线宽影响较小,受光功率影响较大.这一结果对改善光电振荡器相位噪声有一定的帮助.     

MSM光探测器直流特性的二维分析

基于有限差分方法对金属-半导体-金属(MSM)光探测器进行了二维分析,得到有明确物理意义的模拟曲线和结论,并结合模拟结果对MSM光探测器的光电直流特性进行了分析.全部模拟工作都是基于半导体物理的基本微分方程完成的,这对于未来优化设计探测器的性能和结构有很大的意义.     

用于CMOS图像传感器的双极结型光栅晶体管特性的数值模拟与分析

提出一种用于CMOS图像传感器的新型光电检测器--双极结型光栅晶体管,并建立了其解析模型.基于0.6μm CMOS工艺参数的模拟结果表明双极结型光栅晶体管具有传统光栅晶体管的特性,但与传统光栅器件相比,随着入射光功率的增加,双极结型光栅晶体管的光电流密度呈指数式增长,且其蓝光响应特性得到改善.     

用于CMOS图像传感器的双极结型光栅晶体管特性的数值模拟与分析

提出一种用于CMOS图像传感器的新型光电检测器———双极结型光栅晶体管 ,并建立了其解析模型 .基于0 6 μmCMOS工艺参数的模拟结果表明双极结型光栅晶体管具有传统光栅晶体管的特性 ,但与传统光栅器件相比 ,随着入射光功率的增加 ,双极结型光栅晶体管的光电流密度呈指数式增长 ,且其蓝光响应特性得到改善 .     

受抑全反射光调制器的实验研究

推导了受抑全反射条件下透射光波的透过率与厚度d(d<λ)之间的函数关系式.基于受抑全反射原理和理论计算,研制了受抑全反射光调制器,并进行了实验研究.实验装置包括半导体激光器、受抑全反射光调制器、压电晶体、调制电源、光电探测器和示波器.由调制电源发出一定频率的电脉冲信号,控制压电晶体,使受抑全反射光调制器的透过率随着调制电脉冲信号而改变,实现了对连续波半导体激光的调制. 本文分析了正弦波调制和方波调制连续波半导体激光的实验结果,得到了光脉冲幅度和频率与电脉冲幅度和频率相一致的结论,证明了通过受抑全反射可实现光调制.(OC7)     

一维0.18μm CMOS光电二极管量子效率的研究与模拟

为了建立更精确的CMOS光电二极管SPICE模型,使之在像素电路模拟中能够更好地反映实际的光电转换物理现象.使用连续性方程和不同的边界条件对CMOS光电二极管建立了一维物理模型,然后代入普通 CMOS 0.18工艺参数在温度为300 K、反偏电压为2.2 V时,对N-diff/P-epi, N-well/P-epi两种结构的二极管量子效率进行了模拟.其中考虑了表面复合速率、外延层厚度、P 衬底与P外延同质结等因素对模拟结果的影响.在此基础上,还对CMOS光栅二极管的量子效率进行了计算. 模拟结果符合这些器件已知的特性.     

A novel composite UV/blue photodetector based on CMOS technology: design and simulation

A novel composite ultraviolet （UV）/blue photodetector is proposed in this paper. Lateral ring-shaped PN junction is used to separate photogenerated carriers and inject the non-equilibrium excess carriers to the bulk, changing the bulk potential and shifting the threshold voltage of the metal-oxide-semiconductor field-effect transistor （MOSFET） as well as the drain current. Numerical simulation is carried out, and the simulation results show that the composite photodetector has the enhanced responsivity for UV/blue spectrum. It exhibits very high sensitivity to weak and espe- cially ultra-weak light. A responsivity of 7000 A/W is obtained when the photodetector is illuminated under incident optical power of 0.01 μW. As a result, this proposed combined photodetector has great potential for UV/blue and ul- tra-weak light applications.     

内调制光探测器的研究(英文)

This paper reports a new photodetector exhibiting intramodulated characteristics. When constant illuminance radiates on the divice, a modulated alternating photo current can be exported, directly proportional to the intensity of the incident light, and directly be amplified by a lock-in amplifier or a selective amplifier; hence the device has a very high SNR and becomes a new device detecting weak light to replace the photodetecting system made up of a chopper and a conventional photodetector. In this paper, we have theoretically and experimentally studied the characteristics of the intramodulated photodetector.     

对"四论注入光敏器件的物理基础"一文的商榷

利用受光PN 结伏安特性方程,分别对受光PN 结的光电流输出、注入电流输出和零电流输出三种情况进行了讨论,进一步对注入光敏器件的物理基础进行探讨,并对一些实验问题进行讨论。     

四论注入光敏器件的物理基础

叙述了从现象的发现到理论分析，然后用实验进行验证，最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程，从而证明注入光敏器件有牢靠的物理基础。本文还分析了文献（１￣５，１０）中的几个主要不同论点及欠妥的讨论方法。     

光栅棱镜内调制比色测温仪研究

探讨了在内调制光电管的基础上使用光栅棱镜作为前端分色设备进行比色测温的方法,结果表明：与使用光纤分束作为前端分色设备的方法相比,其设备简单,并具有工作波长及其带宽选择灵活的优点,安全可以达到实用化的要求。     

内调制光敏管的可靠性分析和设计

介绍了内调制光敏管的可靠性试验及其失效模式和失效机理的分析。寿命试验结果表明内调制光敏管的平均寿命超过１９４９６小时。     

注入光敏器件是一种新型的光电探测器

注入光敏器件的理论是建立在公认的ｐｎ结光伏公式基础上的，有着可靠根据。严格的理论分析和实验证明抽取受光结的注入电流是可行的。注入光敏三极管与普通光敏三极管比较中可以看出它们之间有许多不同之处并显示出注入光敏器件的优良性能。     

内调制光敏管的可靠性分析和设计

介绍了内调制光敏管的可靠性试验及其失效模式和失效机理的分析。寿命试验结果表明内调制光敏管的平均寿命超过19496小时。     

内调制光敏管非线性及温度特性的补偿系统

介绍一种在内调制光探测器的基础上采用单片机系统对其输出信号进行收集并处理，构成二次仪表的实现方法。该方法大大地改善了内调制光敏管探测器的非线性及温度特性，且避免了常规硬件补偿的弊端。     

无平面结敏感区及其栅控光探测器

研制了在平面结内无敏感区的光探测器,测量结果表明其光电流是显著的。在这种器件的基础上,研制了受栅极控制的无平面结敏感区光探测器,实验测量说明这种器件的光电流输出不仅依赖于受光信号,还受到栅极电压信号的控制。这种输出信号受到光与电信号双重控制的特性,扩大了光探测器件的应用领域。