用VOLTERRA 级数精确分析 MESFET 功率放大器的副谐波负载牵引特性

为了分析CDMA类宽带信号激励下MESFET功放的副谐波负载牵引特性,推导了一组基于MESFET非线性模型的功放电路Volterra转移函数解析式,利用此解析式,建立了三阶交调分量与副谐波负载的解析关系,分析了不同副谐波负载情况下副谐波牵引特性;并推导出了最优副谐波负载的表达式。该文还从两个三阶交调幅度的差异着手,证明了电抗性副谐波负载是造成这一差异的主要因素,上述推导得到的结果与采用ADS软件谐波平衡法仿真得到的结果吻合得很好。     

考虑频率效应的微带宽度跳变模型

目前所见的跳变等效电路及其元件计算公式都没考虑频率的因素,因此误差较大。本文采用场匹配法计算了微带跳变区的散射参数,计算了跳变区附近的8次高模场,然后用网络模拟得出等效电路模型,再用非线性函数曲线逼近,得出一组包含频率因素的准确计算公式。     

MEMSE类放大器

对采用 MEMS开关的 E类放大器进行了原型仿真 ,并且通过工艺流片制作 MEMS开关 ,搭建 E类放大器电路进行测试 .测试结果显示 ,这种机械式的放大器同样能实现有源放大器的功能 .测试得到的放大器实际效率与原型模拟结果一致 ,而放大器的功率增益高达 2 0 0 0 .     

MEMS E类放大器

对采用MEMS开关的E类放大器进行了原型仿真,并且通过工艺流片制作MEMS开关,搭建E类放大器电路进行测试.测试结果显示,这种机械式的放大器同样能实现有源放大器的功能.测试得到的放大器实际效率与原型模拟结果一致,而放大器的功率增益高达2000.     

串联MEMS开关的瞬态电磁场分析

提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型，并且应用该模型，对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关，采用全波分析方法，进行了瞬态电磁场分析。由于开关尺寸为微米量级，而驱动电压高达40～60V，这样的瞬态高压有可能对开关上的信号产生影响。理论仿真结果显示，开关驱动路对信号路有很强的耦合场存在。实验结果同样显示，耦舍到信号路的信号可以输入信号产生最大值为60％的失真。     

应用于超导接收机前端的相位匹配技术

提出了超导接收机前端的相位匹配技术,其原理是调节低噪声放大器的输入阻抗,使其相位与超导滤波器的输出阻抗相位相匹配,从而提高超导接收机前端的反射损耗性能。此技术用于集群通信的超导接收机前端,使反射损耗性能提高了3.7dB。     

2.5-10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数

对高速调制器驱动电路HEMTIC中器件参数进行了研究,着重讨论了HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响,给出了满足电路性能要求的器件参数范围;对2.5-10Gb/sPHEMTIC光驱动电路进行了计算机仿真,眼图模拟结果表明满足2.5-10Gb/s高速光纤通信系统需要.     

波导带通滤波器的设计

波导带通滤波器是一种选频电路,应用在通信、电子战（EW）、雷达、自动测量设备（ATE）等的微波设备中。它易与波导天线的馈电装置连接。适于高功率的应用并且性能良好,在小信号电平上,它基本上是用在8到100GHz的频率范围,波导滤波器的主要功能是通带插入损耗和失真很小的前提下,提供足够的阻带选择性。例如,在微波接收机中,波导带通滤波器滤掉不需要的带外信号,保持前端噪声特性。在微波发射机中,减小不需要的频谱,抑制发射机噪声传到接收机。波导带通滤波器还应用在各种微波多工器上,本文对波导带通滤器的设计、研制和制造的关键技术进行了讨论。     

单模半导体激光器噪声特性预测

本文在Harder小信号半导体激光器噪声等效电路模型的基础上,与直接求解单模速率方程相结合,给出了一个等效噪声网络模型,并且利用该模型对LD的噪声特性进行了预测。