超高亮度蓝色LED

超高亮度蓝色ＬＥＤ方志烈（教授级高工）（复旦大学测试中心，上海２００４３３）编者按：蓝色ＬＥＤ的研究已有２０余年历史，但进展不大，是全色显示的主要障碍。日本日亚公司最近开发成功并投入批量生产的超高亮度ＧａＮ蓝色ＬＥＤ，在２０ｍＡ下比超高亮度ＧａＡＩＡ...     

超高亮度蓝色铟镓氮单量了阱发光二极管

介绍了ＩｎＧａＮ单量子阱超高亮度蓝色ＬＥＤ的结构和性能，其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为２０ｍＡ时分，分别为８ｃｄ、４５０ｎｍ和２５ｎｍ。     

超高亮度蓝色铟镓氮单量子阱发光二极管

介绍了ＩｎＧａＮ单量子阱超高亮度蓝色ＬＥＤ的结构和性能，其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为２０ｍＡ时，分别为８ｃｄ、４５０ｎｍ和２５ｎｍ。     

可见光LED的进展——超高亮度LED及应用(二)

可见光ＬＥＤ的进展——超高亮度ＬＥＤ及应用（二）张万生梁春广（电子工业部第十三研究所，石家庄，０５００５１）４超高亮度发光管的发展［９～１４］４．１ＩｎＧａＡｌＰＤＨＬＥＤ发光强度达到坎德拉级发光管的高亮度化一直是半导体材料和器件的前沿课题之一，超高...     

超亮度InGaN单量子阱结构绿光发光二极管

制造出了发光强度为１２ｃｄ的超高亮度ＩｎＧａＮ单量子阱结构绿光发光二极管。这些ＩｎＧａＮＳＱＡＷ绿光ＬＥＤ的发光强度大约比常规的ＧａＰ绿光ＬＥＤ（０．１ｃｄ）高１００倍。     

蓝光LED的新进展和GaN蓝光激光二极管的诞生

本文综述了蓝光ＬＥＤ和激光二极管的新进展。氮化镓材料系作为未来短波半导体光源的优质日益明显，以ＧａＮ为基的超高亮度的蓝，绿光ＬＥＤ获得重大进展，以ＧａＮ为基的蓝光激光二极管也已诞生。本文着重了介绍了ＧａＮ蓝光器件衬底的种类和制备方法，对量子阱ＬＥＤ和新诞生的多量子阱ＩｎＧａＮ蓝光激光二极管的结构及特性也进行了重点介绍。     

可见光LED的进展——发展趋势及蓝色LED(一)

较为详细地叙述了可见光ＬＥＤ的进展，包括发展趋势、蓝色ＬＥＤ、超高亮度ＬＥＤ的研制及应用领域的拓宽     

可见光LED的进展

较为详细地叙述了可见光ＬＥＤ的进展，包括发展趋势、蓝色ＬＥＤ、超高亮度ＬＥＤ的研制衣应用领域的拓宽。     

铟镓氮超高亮度蓝色发光二极管

从材料、器件、结构、特性及其应用等方面介绍了ＩｎＧａＮ超高亮度蓝色发光二极管，这种器件峰值波垂为４５０ｎｍ，外量子效率是２．７％，在正向电流２０ｍＡ时，亮度达１．２ｃｄ，正向压降为３．６Ｖ，比市售的其它蓝色发光二极管的亮度提高１００倍，其在上全色显示方面具有广阔的应用前景。     

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．     

超高亮度InGaN单量子阱结构绿色LED

发光强度为１２ｃｄ的超高亮度绿色ＩｎＧａＮ单量子阱（ＳＱＷ）结构发光二极管已研制成功。该器件的输出功率、外量子效率、峰值波长和光谱半宽在正向电流２０ｍＡ下分别为３ｍＷ、６．３％、５２０ｎｍ和３０ｎｍ。这种绿色ＩｎＧａＮ单量子阱发光二极管的Ｐ－Ａｌ－ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ｎ－ＧａＮ是用ＭＯＣＶＤ方法生长在蓝宝石衬底上。     

LED的技术发展与应用

１ＬＥＤ的发展早在１９６２年 ,贝尔实验室、惠普、ＩＢＭ等公司就着手开发商用型发光二极管 (ＬＥＤ) ,并于１９６８年利用ＧａＡｓＰ研制出了商用６５５ｎｍ红色ＬＥＤ ,１９７１年 ,ＨＰ公司推出了利用ＧａＡｓＰＬＥＤ作为显示器的５３００Ａ５００ＭＨｚ便携式频率计。由于七十年代ＨＰ公司、德州仪器公司出产的便携式计算器普遍采用数字显示器 ,ＬＥＤ显示器便进入了它的兴盛时期。然而 ,数字手表的出现 (更倾向于采用ＬＣＤ显示器 )使ＬＥＤ的用量大大减少。但是 ,由于ＬＥＤ是主动发光器件 ,它具有体积小、全固体化、色彩丰富、低…     

InGaAlP超高亮度发光二极管

介绍了ＩｎＧａＡｌＰ超高亮度发光二极管的材料．器件、特性、结构及其应用。现已发展和生产坎德拉级的超高亮度橙红色、黄色和绿色发光二极管。     

InGaA1P超高亮度发光二极管

介绍了ＩｎＧａＡ１Ｐ超高亮度发光二级管的材料、器件、特性、结构及其应用。现已发展和生产坎德拉级的超高亮度投红色、黄色和绿色发光二极管。     

瑞利信标自适应光学系统的波长选择与信标亮度

从大气特性出发对以瑞利散射作为信标的自适应光学系统的激光波长选择与信标的亮度作了分析，并以昆明地区应用６１单元自适应光学系统为例作了计算，结果表明在３０８－３２５ｎｍ的五种激光以及３５０ｎｍ附近的准分子激光和三倍频ＹＡＧＧ激光中所需的能量最少，但若顾及应用的方便性，倍频效率的差异以及大气的色散和相干性，采用５３２ｎｍ倍频Ｎｄ：ＹＡＧ激光也值得考虑，在接收的选通距离与星标厚度相当时应采用质量较好的激     

AlGaInP橙色发光二极管的研制

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ橙色发光二极管，２０ｍＡ工作条件下发光波长峰值在６２８ｎｍ，ＦＷＨＭ为２６ｎｍ，１５°（２θ１／２）视角封装后亮度达到３１０ｍｃｄ；８０ｍＡ工作条件下亮度达到１０００ｍｃｄ。并且分析了生长过程中杂质向有源区扩散对发光光谱的影响。     

AlGaInP橙色发交二极管的研制

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰ ＤＨ橙色发光二极管，２０ｍＡ工作条件下发光波长峰值在６２８ｎｍ，ＦＷＨＭ为２６ｎｍ，１５°（２θ１／２）视角封装后亮度达到３１０ｍｃｄ；８０ｍＡ工作条件下亮度达到１００ｍｃｄ。并且分析了生长过程中杂质向有源区扩散对发光光谱的影响。     

百屏群显电子信息发布系统

百屏群显电子信息发布系统□马玉江姚仁修张东魁（济南电视台广告部２５００１４）１百屏群显系统百屏群显系统是一种城市户外电子信息发布媒体。该系统由显示屏和控制中心两大部分组成。显示屏群是分布于市区繁华地段的几十块（或更多）超高亮度ＬＥＤ显示屏，控制中心的...     

超高亮度InGaAlP590nmLED管芯设计

根据发光波长，化合物半导体能带隙和晶格常数三者的关系和实验数据，研究设计了ＩｎＧａＡｌＰ双异质结合各层的ｘ，ｙ值组成，掺杂浓度，厚度等整个ＬＥＤ的管芯结构，这种新颖的ＧａＰ（电流扩散层）／ＩｎＧａＡｌＰ（双异质结）／ＧａＰ（衬底）管芯结构，对５９０ｎｍ峰值波长全透明，比ＧａＰ或ＧａＡｌＡｓ（电流扩散层）／ＩｎＧａＡｌＰ（双异质结）／ＧａＡｓ（衬底）管芯结构的出光率高出两倍其外量子效率小于６％。     

撷取光明 点亮生活——中电科技集团十三所在LED研制及产业化的新进展

中国电子科技集团公司第十三研究所（简称十三所）是国内最早开展超高亮度LED研制的单位．曾于1996年率先在国内引进了第一台生产型（2400型）MOCVD设备．成立了河北汇能公司光电部，于1998年率先在国内建立了InGaAlP超高亮度LED生产线．建立了河北立德电子有限公司。多年来一直承担国家863计划课题，率先实现了InGaAlP超高亮度LED外延片和芯片的产业化，于2000年完成了InGaAlP超高亮度LED芯片的产品设计定型鉴定，并完成了863“超高亮度LED外延片和芯片的产业化基地”的建设。