射频CO2激光陶瓷基板划片机

介绍了RF CO2激光器及陶瓷基板划片的特点。分析了RF CO2激光陶瓷基板划片的机理；给出了整机总体设计方案。对导光系统的激光束进行了模拟，给出了导光系统的光路图及聚焦镜焦平面处的光斑尺寸及能量分布图。整机性能指标达到国外进口机的水平。     

射频CO2激光陶瓷基板划片机光路设计及分析

介绍了RFCO2激光陶瓷基板划片的特点。分析了导光系统的设计原则,讨论了圆偏振镜和伽利略离焦望远镜的作用和特点。对导光系统进行了优化和模拟,给出了导光系统的光路图及成像质量图。试验结果和理论相符。利用该陶瓷划片机加工的氧化铝陶瓷基片可与国外同类划片机相媲美。     

射频激光对氧化铝陶瓷基片划片的研究

分析了RFCO2激光陶瓷基板划片的机理及工艺参数选择的原则。通过数值模拟和实验,分析了脉冲频率、脉冲宽度、划片速度、辅助气压大小、离焦量等工艺参数对激光划片质量的影响。     

YAG调Q激光陶瓷基板划片机

分析了YAG调Q激光陶瓷基板划片的机理.提出了较完善的整机总体设计方案，解决了百瓦级YAG激光的声光调Q、工件走位高定位精度高重复精度与高速进给等关键技术，整机达到了预定指标和实用效果。     

LTCC基板砂轮划片工艺研究

通过正交试验确认了导致LTCC(低温共烧陶瓷)基板砂轮划片背面崩边的主要因素,基于对各个主要因素的分析,优化了砂轮划片方案,有效地解决了背面崩边问题,获得了高质量的划片效果。     

CO2激光在陶瓷划片,切割及打孔上的应用研究

研制了一台ＣＯ２激光陶瓷划片，切割，打孔机，确定了不同厚度陶瓷片的划片、切割、打孔工艺。     

蓝宝石片的皮秒激光划片工艺研究

由于具有硬度高、热导低及脆性大的特点,蓝宝石材料的精细加工较为困难。对皮秒脉冲激光用于蓝宝石片划片的特点进行了分析和讨论。在此基础上,对用于红外焦平面组件封装的蓝宝石片的皮秒激光划片参数进行了研究,并得到了一系列优化参数。对于红外焦平面阵列封装中常用的厚度为0.4 mm的蓝宝石过渡电极板,在组合划片参数为P(100) X(0.01/20) Y&Z(12) Z(0.1/3)时达到了最佳划片效果。分析了激光功率参数变化对划片的影响,并对实际划片操作中的一些问题进行了探讨。     

MCM-C集成技术的缓变数据采集器

介绍了采用先进的MCM－C技术集成的缓变数据采集器MCM组件的设计方法和制造技术。该组件采用28层陶瓷电路基板、双面裸芯片贴装、超大腔体封装,集成度高,满足了整机系统小型化、高可靠的要求。     

半导体封装领域的晶圆激光划片概述

介绍了半导体行业的发展,晶圆激光划片技术的特点、激光划片系统的组成与其在实际过程中应用。     

圆片等离子划片工艺及其优势

等离子划片是近年来兴起的一项新型圆片划片工艺。与传统的刀片划片、激光划片等工艺不同,该工艺技术可以同步完成一张圆片上所有芯片的划片,生产效率明显提升,是对现有划片工艺的一个颠覆。介绍了圆片划片工艺的工作原理、技术特点及其优势,并对其在解决圆片划片应用中的典型问题和不足之处进行了讨论。     

CO_2激光辅助等离子体激励式化学气相沉积非晶形低氢氮化硅薄膜

利用CO2 激光辅助等离子体激励式化学气相沉积系统 (Laser assistedPlasma enhancedChemicalVaporDeposition ,orLAPECVD) ,在硅 (Si)基片上沉积出非晶形含氢较低的氮化硅 (a∶Si Nx∶H)薄膜。这些薄膜的折射率增加、膜致密性及平整度良好 ,其抗腐蚀性亦明显提升。LAPECVD沉积法是在电容式RF放电解离反应气体的同时 ,以输出功率密度 3 3W cm2 的CO2 激光斜向照射在硅基片上。因为激光斜照在硅基片上所提升的温度只有 5 5℃ ,且可大量减少膜中的氢含量 ,以波长 10 5 8μm激光照射获得的薄膜品质较波长 9 5 2 μm更佳 ,将此一非热效应的发生原因提出推论     

射频激励CO_2激光器综述

综述了射频激励 CO2 激光器的发展历史和优异性能。对扩散冷却全金属结构射频激励 CO2 激光器的技术要点 ,从射频激励技术 ,实验原则 ,装置结构 ,扩散冷却 ,射频激励特征等几个方面进行了全面的论述。     

脉冲绿激光划切蓝宝石基片的工艺参量研究

为了提高划切蓝宝石的成品率和划切效率,研究了脉冲绿激光（波长532nm）的偏振性、脉冲激光能量、激光焦点位置、扫描速率、扫描次数等工艺参量对蓝宝石基片划切质量的影响。结果表明,脉冲绿激光划切蓝宝石基片时,扫描方向平行于入射面线偏振方向,焦点位置为负离焦50μm,可以获得良好的微划槽;脉冲激光能量增加,划槽深度和宽度增加;扫描速率增加,切槽深度减小,划槽宽度先增加后减小;扫描次数增加,划槽深度和宽度增加。这些结果对合理选择激光划切蓝宝石基片工艺参量以获得较好质量的刻槽有一定帮助。     

激光脉冲重复频率对InSb划片的影响

激光划片是半导体工业中一种有效的划片方法。目前在半导体材料划片中多采用调 Ｑ Ｎｄ： Ｙ Ａ Ｇ 激光器。脉冲重复频率是这种激光器的一个重要参数,它影响着激光器的平均输出功率、脉冲峰值功率以及脉冲宽度等特性。因此,脉冲重复频率对激光划片效果有重要影响。研究了利用调 Ｑ Ｎｄ： Ｙ Ａ Ｇ 激光对 Ｉｎ Ｓｂ 的激光划片,得出了刻槽深度和宽度与脉冲重复频率之间的关系。还从理论上探讨了划片时激光束和材料的相互作用过程,分析了各种刻槽形成的原因。     

摆动反射镜实现高功率激光束的平滑化

为了获得均匀化、平顶的高功率激光束，设计了一种以平面镜为输出镜、凹面镜为全反镜的新型谐振腔结构，由于凹面镜的周期摆动使得输出光束强度分布得到一个时间上的均匀化，得到近似的“平顶”高斯型。建立了理论模型，并对该整形方式进行理论分析与数值模拟。理论计算和实验结果都表明．采用这种新型的整形方式，CO2激光器输出光束光强的空间分布得到了明显的均匀化。此方法避免了传统高功率激光光束整形的弊端，提高了系统的可靠性，简化了结构设计。     

稀土陶瓷对激光涂敷蒙乃尔合金涂层组织性能的影响

本文用２ｋＷ横流ＣＯ２激光器在４５＃钢表面上激光涂敷蒙乃尔合金与稀土陶瓷混合粉末,利用ＨＸ－１０００型显微硬度计及金相显微镜来分析观察涂层表面硬度分布情况及涂层与基体之间的金相显微组织形貌。结果表明,由于稀土陶 粉末的加入,涂层表面的化学成份、显微组织发生了根本性的变化,涂层与基体之间的冶金结合强度大幅度提高,对实际应用具有重大意义。     

双束CO2激光切割玻璃的实验研究

为了寻求更加有效的激光切割玻璃的方法,提高玻璃的切割质量,在激光热应力切割玻璃的基本原理的基础上,比较了单束聚焦CO2激光与单束非聚焦CO2激光切割玻璃的优劣,提出了双束CO2激光热应力切割的方法.先用一束低功率聚焦的CO2激光在玻璃表面划线.而后用非聚焦的CO2激光沿着该划线进行扫描,在热应力的作用下使玻璃沿着该划线分离,从而实现玻璃的切割.实验分析了单束和双束CO2激光热应力切割玻璃的切割效果.结果表明,相对于单束CO2激光切割的方法,利用双束CO2激光进行玻璃的切割,既可以保证切缝沿既定方向扩展又可以提高切面的光洁度,是一种比较理想的玻璃切割方法.