基于ZnO/Al2O3缓冲层制备耐高温SAW器件电极

为了声表面波(SAW)器件能在高温环境(不小于1 000 ℃)中工作,该文设计并在La3Ga5SiO14压电衬底上制作Pt/ZnO/Al2O3多层复合薄膜电极,利用ZnO/Al2O3组合缓冲层增强了Pt薄膜电极在极端高温条件下的导电稳定性。制备的SAW器件在经历3次1 000 ℃高温热处理后仍保持稳定的回波损耗系数S11。实验结果表明,ZnO/Al2O3组合缓冲层结构在提高SAW器件电极高温导电稳定性方面具有一定的潜在应用价值。     

声表面波谐振器传播状态的ANSYS仿真

为描述声表面波的传播状态,利用ANSYS软件对声表面波(SAW)谐振器进行了仿真。在对声表面波产生机理和SAW谐振器工作原理分析的基础上,建立了SAW谐振器仿真模型,讨论了网格划分不同对仿真结果精度的影响,得出了在每个SAW波长尺寸内划分30～40个网格可以得到较精确的仿真结果。对不同长度声孔径的声表面波谐振器进行了仿真分析,得出了声表面波只在固体表面1～2个波长深度范围内传播的仿真效果图,与理论分析有很好的一致性。最后对IDT/ZnO/金刚石/Si结构的声表面波器件进行了仿真,得出该结构声表面波器件SAW传播速度与ZnO的厚度成反比,其大小是IDT/ZnO结构器件SAW传播速度的2～3倍。     

基于ZnO/Si结构的声表面波器件设计研究

微机电系统(MEMS)工艺已被广泛用于制造各种硅基薄膜器件.声表面波(SAW)器件是性能优良的MEMS器件.该文利用多物理耦合场软件COMSOL Multiphysics仿真了氧化锌/硅(ZnO/Si)结构SAW谐振器,并得到其S11参数.对应于仿真,该文制造了该种结构的SAW器件.实验所用的ZnO通过射频磁控溅射制备,所制备的ZnO具有良好的(002)取向.实验测得的ZnO/Si结构SAW器件的中心频率为111.6 MHz,与仿真结构接近.     

适用SAW器件的ZnO/Ti/Si薄膜制备及缺陷分析

在Si(100)衬底和Ti/Si(100)衬底上分别制备了ZnO薄膜,探讨了Ti缓冲层对ZnO薄膜结构和缺陷的影响,利用X射线衍射(XRD)测试了ZnO薄膜的晶体结构及择优取向,利用原子力显微镜(AFM)观察ZnO薄膜的表面粗糙度(RMS),利用光致发光(PL)光谱检测了ZnO薄膜的缺陷,利用四探针法测试了ZnO薄膜的电阻率。结果表明,在Ti/Si(100)衬底上、衬底温度350℃的条件下,制备的ZnO薄膜表面光滑、缺陷少、电阻率高且具有高C轴取向。本文这一工作对于压电薄膜缺陷分析及高性能ZnO的声表面波(SAW)器件研制有重要意义。     

声表面波温度传感器的仿真与设计

利用有限元软件COMSOL对声表面波温度传感器进行仿真。声表面波温度传感器基底材料为YX-切石英单晶,并在石英上镀ZnO薄膜,叉指换能器和反射栅采用铝电极。通过仿真研究了叉指换能器的高度、金属化率变化对声表面波温度传感器性能的影响,并根据仿真结果设计和制作了一种镀ZnO薄膜的SAW温度传感器。测试结果表明,制作的传感器灵敏度较高(8.8kHz/℃),误差小,具备良好的温度-频率特性。     

声表面波温度传感器的仿真与设计

利用有限元软件COMSOL对声表面波温度传感器进行仿真。声表面波温度传感器基底材料为YX-切石英单晶,并在石英上镀ZnO薄膜,叉指换能器和反射栅采用铝电极。通过仿真研究了叉指换能器的高度、金属化率变化对声表面波温度传感器性能的影响,并根据仿真结果设计和制作了一种镀ZnO薄膜的SAW温度传感器。测试结果表明,制作的传感器灵敏度较高(8.8kHz/℃),误差小,具备良好的温度-频率特性。     

在兰宝石上射频溅射ZnO单晶薄膜的结构及SAW特性

用射频溅射法已在兰宝石的(O001)和(0112)面上外延生长了ZnO单晶薄膜.研究了这些薄膜的晶体结构和电特性.对兰宝石(0112)面上沿ZnO薄膜C轴传播的SAW测量了包括相速度,耦合系数,传播损耗及延迟温度系数等声表面波(SAW)特性.通过中心频率为1050兆赫的滤波器证明了这种结构对于高频SAW器件的可用性.     

适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析

探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。     

金刚石SAW滤波器的设计和制作

通信系统向高频的发展趋势使声表面波(SAW)滤波器技术面临着越来越多的挑战。利用传统材料制作SAW滤波器的中心频率很难达到GHz频段,因此探索在高声速材料基础上制作SAW滤波器成为一种必然趋势。基于高声速材料金刚石设计了IDT/ZnO/金刚石结构的薄膜SAW滤波器,设计了镜像阻抗连接IDT的结构参数,并采用ADS软件对该结构进行了建模仿真。然后,通过ZnO薄膜制备工艺和IDT电极制备工艺,获得了金刚石SAW滤波器样品。最后,采用RF探针台对所制得的样品进行了性能测试和数据分析。测试结果表明,在金刚石厚膜衬底上获得了频率超过1 GHz的SAW滤波器样品。     

国外简讯

新型声表面波器件用材料 最近,日本山梨大学工学院的中川恭彦等人发现了五氧化二钽(Ta_2O_5)单晶薄膜可用作声表面波器件的材料。他们用这种薄膜材料研制成的SAW滤波器,其性能堪与ZnO薄膜SAW滤波器的相比拟。因为Ta_2O_5具有稳定的化学特性,用它制作SAW器件,可以获得优良的时间稳定性。     

利用AgGaS2与AgGaSe2晶体差频获得中红外射线的性能研究

根据差频过程中参量光的三波耦合方程,对非线性晶体AgGaSe2和AgGaS2进行了差频光参量理论分析.经过数值模拟计算,得到了在I类和Ⅱ类相位匹配条件下,泵浦波长分别取不同值时差频调谐波长与调谐角度的理论曲线.在I类相位匹配条件下,当PPLN-OPA的泵浦波长为1064nm时,AgGaS2与AgGaSe2的调谐波长范围,分别是4～13μm和4～18μm,其对应的调谐角度范围分别是31.8-37.3和43.4、61.55度.     

二维调频FDA 雷达特性分析

对频率分集阵列(FDA)雷达的概念进行了延伸,提出了带有脉冲维调制的二维FDA 阵列雷达,分析了二维FDA 雷达天线方向图的形成,研究了波束指向随距离和时间的变化规律。针对其在机载探测领域中的应用,仿真分析了杂波分布特性,给出了在杂波背景下检测目标,提升目标信杂噪比的方法。二维调频FDA 设计理念为机载雷达在杂波背景下检测目标提供了新思路。     

CO_2脉冲激光偏频锁定系统

综述了目前脉冲激光偏频锁定的发展状况 ,总结了各种脉冲激光偏频锁定的方法 ,并提出了宽带全数字鉴频方法 ,带宽达到 2～ 10 0MHz,以及以鉴频器为基础的简单偏频锁定系统设计。介绍了电光外调制CO2 脉冲激光与连续CO2 激光之间的偏频锁定实验 ,光脉冲重复频率为 10kHz ,脉宽为 5 μs。实验频率锁定结果良好 ,频率稳定度为 1 2 7× 10 -7(阿仑方差 )。     

基于非线性AgGaSe2晶体的光纤 SO2传感器

根据SO2气体的吸收光谱,选择波长为1268nm的单极性半导体激光器和波长为1083nm的分布反馈式半导体激光器,经光纤耦合作为泵浦光并通过周期性极化的AgGaSe2晶体叠加,产生对SO2具有强吸收的7.4μm连续差频光,研制出一种光纤传感器,实现了对二氧化硫气体的检测.该传感器具有检测灵敏度高、稳定性好、结构简单及可在线测量等特点.实验结果表明,这种传感器的检测灵敏度为7.5×10-4.     

小型高重复频率TEACO2激光器的研究

本文叙述了一种小型高重复频率TEACO2激光器,其激光模式为TEM00,远场发散全角≤4mard,基模激光能量87.8mJ,脉冲宽度36.5ns,基模激光峰值功率>0.9MW,激光重复频率130Hz(最高重复频率255Hz),能以50Hz的重复频率连续长期工作,其工作寿命>1×107次.     

基于2DPSK 的多载频雷达组网系统

利用现有雷达平台设计了一种基于二进制差分相移键控（2DPSK ）的多载频雷达组网系统,对编队内各部雷达分配对应的频率资源,将雷达组网数据进行2DPSK调制后上变频至对应的载频发送,在各雷达接收端进行解调接收,以实现雷达数据的有效传输。仿真及试验结果表明：采用2DPSK调制解调方法能有效实现组网数据的可靠传输,具有一定的抗干扰能力。     

A 2 GHz Phase-Locked Loop Frequency Synthesizer with On-Chip VCO

This paper discusses the implementation of the building blocks for a 2 GHz phase-locked loop frequency synthesizer in a standard 0.5 m BiCMOS process. These blocks include a low-power optimized dual modulus prescaler which is able to operate with input frequencies up to 2.7 GHz, a phase detector with extremely constant gain throughout the input phase difference range, a chargepump with a rail-to-rail output, and an on-chip voltage-controlled oscillator.     

MgO-TiO2-ZnO系统多层陶瓷电容器微波瓷料频率特性研究

本文研究了ＭｇＯＴｉＯ２ＺｎＯ系统陶瓷，用其制成多层陶瓷电容器（ＭＬＣＣ），其优点是具有正温度系数（αｃ＝９０±２０ｐｐｍ／℃）、高Ｑ（Ｑ１００００）、高频谐振频率达６９０ＭＨｚ（Ｃ＝３１ｐＦ），重点讨论了容量阻抗频谱．     

100kHz高频逆变式CO＿2激光电源的研制

本文描述高频逆变式ＣＯ＿２激光电源，逆变频率为１００ｋＨｚ。该电源在升压高频变压器次级端去掉滤波高压电容和限流电阻的条件下能长期稳定工作，工作电流变化量小于０．１ｍＡ，抗网路波动范围为１６０～２５０Ｖ，调节范围宽，转换效率高。它具有适应性强、稳定性好，以及体积小、质量轻、便携等优点，是一种新型的激光器电源。     

双通道外场RCS测量雷达研究

针对外场雷达目标散射特性测试的需要,设计并实现了一种外场测量雷达。该雷达可在外场以频分的方式在2个固定频段上同时进行雷达散射截面的测量,以及在转台的配合下进行二维成像测试。采用脉间变频技术,避免了线形扫频方法非线性引起的问题,通过现场可编程器件的使用,可灵活设置调制脉冲和硬件距离门,最大限度地消除外场虚假信号和背景杂波的影响,可采用校准支路实时对正交解调的误差进行校准。