适用于200mm太阳能电池片的闭管扩散/氧化系统设计

介绍了适用于太阳能电池生产线闭管磷扩散设备,着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制。     

ZnO薄膜晶体管真空退火设备的研究

针对退火工艺能够改善ZnO薄膜晶体管性能及稳定性的问题,研究了ZnO-TFT真空退火设备。介绍了该设备的结构特征、电控系统及达到的指标。设备研发后对ZnO-TFT器件进行真空退火工艺处理,退火工艺提升了ZnO-TFT器件电学性能和偏压稳定性,设备达到满足工艺要求的效果。     

双极晶体管的杂质扩散行为及其BiCMOS工艺优化

双极晶体管的杂质扩散行为及其ＢｉＣＭＯＳ工艺优化王界平编译１　引言各种仪器、设备性能的改进，要求集成电路进一步提高其集成度。随着集成度的提高，一方面可以改善性能、提高可靠性；另外也能降低成本、方便维修。提高集成度可以着眼于以下三个方面：（１）缩小器件...     

运用PLC取代扩散炉8016工艺控制器

本文主要介绍了运用PLC取代扩散炉8016工艺控制器的原因、方法和效果，详细阐述了PLC的性能、优点、结构以及工作原理等。     

数字通信对称电缆生产工艺及设备探讨

主要介绍了数字通信对称电缆主要生产工艺流程、各工序主要工艺控制点,比较了国内外常用数字通信电缆生产设备性能以及设备主要技术参数。     

新型高精密真空扩散焊炉的研制及应用

本文介绍了新型高精密真空扩散焊炉的工艺原理及技术特点,并以一台已经研制成功的新型高精密真空扩散焊炉为例,详细阐述了该设备的相关设计思路及特点.该设备采用伺服电机拖动丝杠加压技术,并通过闭环控制实现了工艺过程的自动控制,具有压力精度高、控制灵活、生产效率高、清洁可靠等优点.     

精密零件氢气保护扩散钎接焊工艺研究

本文阐述的是,铜及其合金精密零件氢气保护扩散钎接焊工艺问题。这是一种界于TLP扩散焊和钎焊工艺之间的一种新型先进工艺,兼有两者之长。文中对扩散元素,共晶相系的选取、筛选和扩散——共晶反应过程机理分析作了重点论述,并对其接头组织,性能和焊接质量及本工艺的应用情况作了简要介绍。     

InP基光电探测器材料的MOCVD锌扩散

锌(Zn)扩散是制作InP基光电探测器(PD)的重要工艺过程.分析了锌扩散的机制,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备对InP基PD及雪崩光电探测器(APD)材料进行了锌扩散,由于MOCVD设备具有精确的温度控制系统,所以该扩散工艺具有简单、均匀性好、重复性好的优点.对于扩散后的样品,采用电化学C-V方法和扫描电子显微镜(SEM)等测试分析手段,研究了退火、扩散温度、扩散源体积流量和反应室压力等主要工艺参数对InP材料扩散速率和载流子浓度的影响,并将该锌扩散工艺应用于InP基光电探测器和雪崩光电探测器的器件制作中,得到了优异的器件性能结果.     

高速自隔离三重扩散技术研究

本文介绍双极IC中自隔离的三重扩散(3D)技术的特点和工艺路线,给出了采用全离子注入工艺制作的器件特性,探讨了工艺技术中的关键问题,指出,浅结离子注入与退火条件的选择是影响器件性能的主要因素。     

铝散热器空气炉中钎焊工艺及设备

介绍了一种铝散热器的钎焊工艺和设备,并对钎焊接头性能进行分析,结果表明,该工艺能获得良好的钎焊质量,且操作方便。     

石英MEMS陀螺的结构特性分析

介绍了石英微机电系统(MEMS)陀螺的工作原理及敏感芯片的音叉结构特点,采用有限元法分析了敏感芯片的结构特性,并对结构进行优化。利用石英晶体的压电效应,设计了合理的电极布局,并结合敏感芯片结构特点介绍了其微机械加工工艺。通过结构优化和合理的电极布局,提高了石英MEMS陀螺的性能。     

基于Credence Gemini500的内嵌式AD转换器测试方法研究

本文中应用Credence公司的Gemini500测试系统对某一SoC芯片内嵌模数转换器进行了测试。根据芯片功能分析和封装形式,对测试板进行了优化设计。根据内嵌式ADC的时序特点进行了测试向量的设计。     

声体波谐振器压控振荡器

声体波谐振器(FBAR)压控振荡器(VCO)技术探讨了高品质因数Q谐振器并实现宽频率调谐难题,完成了声体波谐振器MBVD模型参数建立、电路的选择与布局,以及最优化的设计与制作,尽量消除了FBAR与IC之间的引线产生的影响,克服了频率调整问题.研制了中心频率2.1GHz的VCO振荡器,研究结果表明,其输出功率为5～10 dBm,调谐范围为2.044‰,边带相噪为-143 dBc/1 Hz@1 MHz.     

介电型EAP驱动的转动关节研究

基于介电型电活性聚合物(EAP)的优点,设计、实现了该材料驱动的转动关节。根据介电型EAP的变形原理设计、制作了圆柱形驱动器,其输出最大位移约为11mm,伸长应变达到33.8%,并对输出力-位移特性进行测试。基于该型驱动器实现了转动关节,转角约为±13°,堵转力矩为19.6mN.m,将转动关节应用于爬行机器人,并对试验结果进行分析。     

Carrier-concentration dependence of velocity-field characteristics in ln0.53Ga0.47 as

The doping dependence of the velocity-field characteristic in InGaAs has been investigated by an analysis of measurements with transferred-electron devices. The electron peak velocity has been determined directly as a function of electron concentration and low-field mobility. The carrier-concentration dependence of the velocity-field characteristic has been deduced by comparing experimental and theoretical transient device behaviour. The experimental results support a theoretical approach for the velocity-field characteristic which has been proposed recently.     

基于LTCC工艺双频GPS陶瓷微带天线研究

在空腔模型理论基础上,利用微扰法对切角矩形微带天线进行严密的数学推论.并设计了GPS双馈点双频圆极化陶瓷微带天线.根据设计公式计算出结构参数,在Ansoft-HFSS软件中建立天线模型,通过参数优化得到天线参数,并利用LTCC工艺进行样品制作.结果表明:样品天线工作在1575 MHz和1 227 MHz时,10 dB带宽均大于10 MHz,回波损耗均小于-15 dB,轴比均小于4 dB,仿真结果与测试结果相似.总结了天线小批量生产的经验,提出了进一步小型化的研究方向.     

压电混凝土结构健康监测系统的开发与应用

基于压电陶瓷传感器的混凝土结构裂缝损伤监测技术已取得了丰硕成果。但该项技术目前还未能广泛用于实际工程,缺乏相应的监测系统开发是其主要原因之一。该文以基于压电陶瓷传感器的波动法主动健康监测技术为理论基础,结合混凝土结构裂缝损伤监测特点,利用虚拟仪器技术开发了一套便携式压电混凝土结构裂缝损伤健康监测系统。通过荷载作用下的混凝土梁的损伤监测试验完成了对系统的测试,并将该系统应用到实际工程中。结果表明,该系统运行稳定可靠,可实时在线地对混凝土结构的不同裂缝损伤状态作出识别,并进行声光预警。     

Design and development of a novel high-transconductance pH-ISFET (ion-sensitive field-effect transistor)-based glucose biosensor

A glucose biosensor based on a high-transconductance ISFET transduction element with aspect ratio (channel width/length) of 400 has been developed. This biosensor is an N-channel enhancement mode device with interdigitated drain-source geometry, fabricated by the NMOS process, in which glucose oxidase (GOD) enzyme has been immobilized over the silicon dioxide-silicon nitride dual-dielectric gate. The device has been operated in the active mode by applying a gate voltage through Ag/AgCl reference electrode. Electrical characterization has been performed in terms of I-V characteristics like output characteristics and leakage current. The pH response characteristics have been measured and the pH sensitivity factor has been found to be?≥?50?mV/decade. Device characterization has also been performed by a signal conditioning circuit developed for direct readout of pH from the ISFET device. Temperature behaviour and drift phenomenon have been investigated.

The glucose response characteristics of the ISFET have been determined, without and with the glucose oxidase enzyme layer. Improvement of the glucose sensitivity by deposition of the enzyme layer has been studied and cross-sensitivity of the device towards urea has been examined. The advantage of the high transconductance was evident from the ability of the sensor to detect small glucose concentrations without the enzyme layer. The paper describes the design, fabrication and characterization of the sensor.     

VME总线数据上行中断传输及从设备接口设计

介绍了VME总线数据的传送方式,分析了VME总线中优先中断总线的相关功能模块,研究了VME总线数据中断方式传输的机制,提出了一种基于中断方式数据上行传输的从设备VME接口的设计方法,给出了设计实例。     

H表达的ECLD双稳环环宽的研究

采用H参量简化模型研究光栅调谐外腔半导体激光器的双稳特性,导出以H参量表达的双稳环环宽解析式,给出了其适用范围,得到剩余反射率减小时导致双稳环消失的临界值,然后数值模拟了光栅反射率、谱线展宽因子、H参量、剩余反射率对载流子密度与频率关系曲线的影响,从中发现了剩余反射率增大时也存在双稳环环宽为零的情况,数值计算了剩余反射率极限值,并指出了环宽极大值的位置。