新型超级结MOSFET器件在PFC应用中的优势

超级结(Super-Junction)MOSFET器件基于电荷平衡技术,在减少导通电阻和寄生电容两方面提供了出色的性能,这通常需要折中权衡。有了较小的寄生电容,超级结MOSFET具有极快的开关特性并因此减少了开关损耗。自然地,这种快速开关特性伴有极高的dv/dt和di/dt,会通过器件和印刷电路板中的寄生元件而影响开关性能。特别地,对于在现代高频SMPS中使用的超级结MOSFET,很难抑制频率噪声     

耐250℃高温的1200V-5A4H-SiC JBS二极管

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1 200 V,封装的器件电流室温达到5 A(正向压降2.1 V).通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温度的变化情况,并验证至少在250℃下依旧能正常工作.研制的1 200 V碳化硅JBS二极管和IXYS公司的600 V硅快恢复二极管(Fast recovery diode)进行了对比:室温动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省92%.这是国内首次报道的250℃高温下正常工作的碳化硅JBS二极管.     

基于功率MOS型场效应管的4 kV纳秒脉冲源

为了用固体开关器件替代国外氢闸流管,开展了大功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高速高压组合电路研究。利用功率MOS型场效应管的开关原理,提出了对功率MOS型场效应管的栅极"过"驱动技术,提高了功率MOS型场效应管的开关速度,研制出基于功率MOS型场效应管的输出脉冲幅度大于4 kV,前沿小于10 ns,脉冲宽度大于100 ns的高压快脉冲驱动源。     

场效应管噪声特性的分析

正 鉴于目前缺乏场效应管的低噪声设计公式,作者通过详细推导得到场效应管(结型)的几组噪声特性表达式,列于表1     

600伏垂直沟结栅高速场效应晶体管

<正> 随着高速毫微秒脉冲技术的迅速发展,原有的电真空器件由于体积大、功耗大、寿命短、可靠性差等缺点,已不能适应当前高速毫微秒脉冲技术发展的需要。整机单位迫切要求实现高压高速脉冲源的固体化、小型化。这就推动了高压大电流高速半导体功率器件的发展。经过多年的努力,取得了很大进展,并已成为当前大功率半导体器件发展的一个引人注目的研究方向。 目前大力推广应用的器件主要有垂直沟道硅MOS场效应管,而高压垂直沟道结栅场效应晶体管的开发研制则近几年才开始。由于结栅场效应管是一种耗尽型器件,极间电容小,器件的开关速度优于MOS器件。在需要产生极窄宽度的高压脉冲场合下,垂直沟道结栅高压场效应晶体管是理想的固体器件。其优越的开关性能、温度特性不是双极型或MOS器件可以轻易取代的。     

M—FET电路的实验研究

本文描述一种改进型场效应管(M—FET)电路。它具有类似FET管的特性,且在热稳定性、频率响应以及大动态范围转移特性的线性化方面均有很大的改进。该电路广泛用于设计线性测试设备系统中的放大器和振荡器。M—FET电路可作为三端器件生产。     

"模拟电子技术"理实一体化教学改革的创新项目实践

在"模拟电子技术"理实一体化的项目驱动式教学中,本文设计了一个基于结型场效应管等效可变电阻控制衰减的AGC放大器,并验证了其性能.首先梳理了现有的AGC放大器设计方法,分析了它们各自的特点,在此基础上提出了基于结型场效应管等效可变电阻,并同时引入串联和并联控制衰减的AGC放大器设计方案.通过理论计算和实际电路测试,验证了该设计方案的合理性及优越性.     

改进K型单刀四掷射频MEMS开关

针对射频器件小型化以及5G通信发展的需求，设计了一款射频微机电系统（RF-MEMS）单刀四掷开关。该开关由一个改进型K型功分器和六个单刀单掷开关级联构成，并基于硅基MEMS工艺进行制造。其中，改进型K型功分器由多个Y型功分器串并联构成。改进的开关各端口具有插入损耗小和隔离度高的特点。最终流片的测试结果显示：该单刀四掷MEMS开关的插入损耗优于2.8 dB，隔离度优于29 dB。     

双注入结型场效应管的电流-电压特性

对新型半导体器件——双注入结型场效应管的电流－电压特性进行了详细分析，并得出解析表达式，为该器件的设计和应用提供了理论依据。     

双注入结型场效应管的电流—电压特性

对新型半导体器件－双注入结型场效应管的电流－电压特性进行了详细分析，并得出解析表达式，为该器件的设计和应用提供了理论依据。