ZrO/W肖特基发射阴极的研制

研制成功了一种实用的低功函数肖特基发射阴极—锆 /钨 (ZrO/W )阴极。这种阴极是在改进的电解腐蚀法制成的W单晶尖端表面 ,采用特别的涂覆法或蒸镀法 ,形成含ZrO膜层 ,并经特殊处理后得到的。实验测出了这种阴极在适当条件下的功函数值为 2 .86电子伏特左右 ,低于钨阴极的功函数值。     

硅薄膜场发射阴极的制造和性能

本文评述了薄膜场发射阴极的一般制造方法后,介绍了我们的制造技术。我们用硅材料为基体,用各向同性的湿法化学腐蚀工艺制出尖端,用氧化增尖和自对准栅极工艺制成TFFEC—薄膜场发射阴极。外加阳极就构成了三极管。本文给出了TFFEC和三极管的测试性能。     

ZrO／W肖特发射阴极的研制

研制成功了一种实用的低功函数肖特基发射阴极一锆/钨（ZrO/W）阴极。这种阴极是在改进的电解腐蚀法制成的W单晶尖端表面，采用特别的涂覆法或蒸镀法，形成含zrO膜层，并经特殊处理后得到的。实验测出了这种阴极在适当条件下的功函数值为2.86电子伏特左右，低于钨阴极的功函数值。     

电解槽模拟研究场发射枪尖端的电子光学特性

本文用电解槽模拟,采用逐次放大逼近阴极尖端的方法,克服场发射枪系统阴极附近电场激剧变化及尖端与阳极尺寸上的巨大差异所引起的计算电场的困难,获得实际阴极附近足够精度的电场分布。并由此计算得到沿阴极表面亮度分布。从模拟得到的阴极区域电子轨迹,获得虚源大小及位置与电子束发射角有关的结果。     

产国阴极铝箔腐蚀工艺的探讨

铝电解电容器用阴极铝箔的腐蚀工艺往往受铝箔本身的组织成分以及生产设备制约,影响阴极铝箔腐蚀比容的因素是多方面的。着重研究了国产阴极铝箔的腐蚀特性,找到了一套能使国产阴极铝箔与引进设备相适应的新工艺,使国产阴极铝箔的腐蚀此容由原来的260μF/cm~2提高到370μF/cm~2,实现了阴极铝箔的国产化。     

真空电子技术

0462 2003030119zro/W肖特基发射阴极的研制/戴宏,(21潘尔达,陈尔纲,周庆(云南大学)11微细加工技术.一2002,(2).一11一14,23研制成功了一种实用的低功函数肖特基发射阴极一一错/钨(ZrO/W)阴极.这种阴极是在改进的电解腐蚀法制成的W单晶尖端表面,采用特别的涂覆法或蒸镀法,形成含ZrO膜层,并经特殊处理后得到的.实验测出了这种阴极在适当条件下的功函数值为 2 .86电子伏特左右,低于钨阴极的功函数值.图4表1参10(刚)研究的重要课题.文中综述了国内超扭曲液晶显示材料中所用单晶化合物、手性添加剂和取向剂的合成进展情况,并阐述了超扭曲液晶…     

关于用低压多尖端场发射体作实用冷阴极的发展情况

本文着重讨论了到目前为止可以应用的低压多尖端场发射阴极的发展情况,并从制备工艺的繁简和性能的优劣,比较了两种最有前途的阴极。     

场发射金属尖阵列的研究

本文介绍了真空微电子器件场发射金属尖阵列阴极的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺（反向）和浓硼腐蚀自停止工艺制备成功金属尖阵列，这为今后研制金属阴极真空微电子器件开拓了新途径     

场发射金属尖陈列的研究

本文介绍了真空微电子器件场发射金属尖陈列阴极的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺（反向）和浓硼腐蚀自停止工艺制备成功金属尖陈列，这为今后研制金属阴极真空微电子器件开拓了新途径。     

六硼化镧材料的化学腐蚀工艺研究

目前,阴极发射体材料多存在逸出功大，可靠性及均匀性低，发射性能低、不能自动调节活性物质更替的速度等方面的问题．与之相比,六硼化镧既具有可恒定地维持一个活性阴极表面．同时具有高导电率和良好的热稳定性及化学稳定性，是作为阴极发射体的理想材料．而对六硼化镧的化学腐蚀在以其为阴极的阴极发射体制备工艺中起着至关重要的作用，本文简述了对材料的化学腐蚀工艺的初步研究，并得到了图形化的六硼化镧表面。     

Anticorrosive Copper Current Collector Passivated by Self-Assembled Porous Membrane for Highly Stable Lithium Metal Batteries

The regulation of lithium plating/stripping behavior is considered to be critical for next-generation safe and high-energy-density lithium metal batteries. Lithium deposition with maximum granular size and minimum microstructural tortuosity can significantly improve the lithium plating/stripping efficiency. Here, a self-assembled organosilane layer with nanopores is constructed on Cu current collector surface via a thiol-Cu reaction. In contrast to typical stacked-particle morphology with small grain size and high specific area in ether electrolyte, dough-like and lateral-growth lithium deposition can be plated on the modified Cu current collector due to the low surface energy of a lithiophilic Si O Si membrane. The planar and dense lithium deposition contributes to the stable implementation of up to near 500 cycles in full cells with high-loading LiFePO₄ cathode. Anticorrosion in rigorous Cl-ion containing solution can even be achieved due to the corrosive repellency of hydrophobic organosilane. A high Coulombic efficiency (97.12%) is remained after corroding for 300 min. Moreover, the irreversible capacity loss caused by galvanic corrosion, an ignored but crucial aspect, has been significantly suppressed due to the passivation of high-redox-potential Cu by organosilane coating.     

长期存放条件下TFT阵列基板栅金属线腐蚀原因分析

在TFT-LCD制造和存放过程中，存在着电化学腐蚀的环境，由于腐蚀速度相对较慢，所以对此现象的认识和研究不足。本文通过实例分析，研究了栅金属电极线在大气环境下的腐蚀现象和机理，并提出了降低腐蚀的措施。     

最佳碳纳米管场发射阴极阵列密度的研究①

碳纳米管(CNT)作为理想的场发射阴极材料。它在场发射阴极阵列中的密度与阴极的场发射性能有着非常密切的关系。本文通过模拟计算找出了最佳碳纳米管场发射阴极阵列密度，并通过实验进行了验证。实验证实浓度为2．5％的碳纳米管浆料制得的阴极有最佳的阵列密度。     

碳纳米管场发射器件新型阴极的研究

碳纳米管场发射显示器件（CNT-FFDs）中阴极的制备和表面处理一直是其中的关键环节而备受关注，本文通过光刻技术、丝网印刷技术、表面超声等流程制作带有平整电阻层的发射阴极，并对该阴极进行场发射测试，并通过扫描电镜（SEM）照片分析阴极表面，发现开启电场、发射均匀性及电流稳定性比以前未加处理的阴极有很大程度上的改善。此法适合于大面积的碳纳米管场发射显示的阴极制作。     

碳纳米管场致发射阴极浆料的研制

通过筛选阴极浆料中的载体、不同种类的粘结剂和添加剂,开发出具有优良场致发射性能的大面积、低成本丝网印刷复合阴极浆料并烧结制成阴极。结果表明:在电场强度为3.2V/μm下其电流密度约为42×10–3A/cm2,场发射均匀性很好,二极管型发光板发光亮度为625cd/m2。该阴极适用于制作大面积的CNT-FED阴极和液晶显示器的背光源。     

PCB阻焊膜下方线路腐蚀失效案例研究

近年来一些PCB组件在使用或储存一段时间后出现表面线路发黑甚至开路,导致产品失效。本文通过电路分析、电镜能谱、金相切片、离子色谱等一系列分析,确定失效为线路腐蚀所致,并分析了线路腐蚀的原因以及提出了解决方法。     

铝酸盐结构对阴极性能影响的初步探讨

用XRD技术对浸渍Ba-W阴极所用的铝酸盐(6BaO:CaO:2Al2O3)结构进行了分析。结果表明俄罗斯和国内某单位的铝酸盐峰位较复杂,结构不单一。该文作者用新的配方,新的烧结方式生成了主峰为Ba5CaAl4O12的结构单一的铝酸盐,且烧结温度比传统烧结温度低200℃,单一结构的铝酸盐具有浸渍温度低、发射较好、性能稳定、蒸发少等特点,从而可望改善Ba-W阴极的性能。     

阴极电子发射模型及数值算法

阴极特性的好坏对真空电子设备有着重要的影响,而在阴极特性中电子的发射机制又非常重要,自从上个世纪早期的Child-Langmuir 定律问世以来,阴极电子发射的问题就得到了各国学者持续的关注,对这个问题的研究主要集中在发展和改进阴极电子发射的模型及数值算法。本文从以上两个方面简要回顾了这个领域内的研究成果和进展情况,并提出了自己的见解．     

氧化物阴极在毫米波同轴磁控管中的应用

通过对镍海绵制造工艺和不同镍粉的试验,使得氧化物阴极在毫米波同轴磁控管中的试验取得显著进展。试验表明,镍海绵制造和阴极预处理以及排气的分解激活工艺,对整管性能的影响都是非常重要的。     

电泳法制备石墨烯场发射阴极的性能研究

电泳法制备的石墨烯阴极由于其独特的优势,目前已经成为石墨烯阴极的主要制备方法。因此,研究电泳电流以及电泳浓度对石墨烯阴极表面形貌和发射性能的影响具有十分重大的意义。通过扫描电镜、拉曼光谱和超高真空测试平台对其进行形貌和性能表征。结果表明,电泳浓度和电泳电流均对石墨烯阴极的表面形貌和发射性能有较大影响。在电泳电流为4mA,电泳液中石墨烯与异丙醇的比例为110mg：200ml时,其发射性能最佳,开启场强约为4.7V/um。