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本文用电化学C-V剖面技术研究了接近器件结构的n-nGa0.5In0.5P/GaAs同型异质结的界面特性,测量了载流子浓度分布,用多项式逐段拟合的方法,计算得到异质结界面电势差VΦ为491meV,界面固定电荷σ为-4.46×1011cm-2,并推算出导带差△Ec为126meV,相应于△Ec=0.28△Eg。 相似文献
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AlxGa1-xAs/GaAs合金型异质结价带偏移的研究中,采用以平均键能为参考能级的ΔEv理论计算方法,得到ΔEv(x)=0.531x+0.001x2的理论计算结果.该计算结果与目前的一些实验结果符合较好. 相似文献
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GaAs MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
本文对GaAsMESFET正向肖特基结电压Vgsf随温度的变化特性进行了测量与分。析,得到了在较宽的温度范围内恒定电流下的Vgsf随温度的变化有很好的线性关系,并发现其温度系数α=dVgsf/dT与测试电流有关,随着I的增大|α|减少.经过对试验点的拟合发现,kT与I的变化满足指数关系,且Vgsf随温度的变化曲线在不同的测试电流下具有聚焦特性,即在绝对零度时,不同电流下的Vgsf具有相同的值.据此,我们得到了新的肖特基结电流电压关系式,很好地解释了Vgsf-T曲线与测试电流的关系及其不同测试电流下的聚焦特 相似文献
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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):22-27
利用GaAsMESFET功率特性的线性化模型,求出GaAsMESFET近似最佳功率负载阻抗,为利用谐波平衡法计算提供初值。然后,使用自行研制的谐波平衡分析软件包,进行GaAsMESFET大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为9.6mm的GaAsMESFET管芯,利用内匹配功率合成技术,在C波段(5.5~5.8GHZ)制成1dB压缩功率大于8W,典型功率增益9dB的GaAsMESFET内匹配功率管。 相似文献
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AlxGa1-xAs/GaAs合金型异质结价带偏移的研究中,采用以平均键能为参考能级的ΔEV理论计算方法,得到ΔEv(x)=0.531x+0.001x^2的理论计算结果。该计算结果与目前的一些实验结果符合较好。 相似文献
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阐述了功率GaAsMESFET器件热阻测试中温敏参数VGSF和测试电流Im的选取,给出了1~5W器件典型温敏参数的温度测试系数M与测试电流Im的关系。讨论了测试延迟时间tmd对△VGSF测量值的影响和三种校正方法。 相似文献
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采用室温下Se^+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量,剂量,注入角度及快速热退火温度,时间,获得了高剂量下杂质激活率大于74%,注入层平均载流子浓度为(5-6)×10^16-cm^-2,平均载流子迁移率为3010cm^2/v.s,载流子浓度分布陡峭的优质离子注入薄层,成功地研制出3000门GaAs超高速门阵列集成电路。 相似文献
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Ka波段AlGaAs/InGaAs低噪声PHEMT异质材料结构的计算机优化与实验结果 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了毫米波低噪声PHEMT的设计要点,藕助Schroedinger/Poisson方程及器件方程,进行了Ka波段AlGa/InGaAs低噪声PHEMT用异质层数值计算及CAD优化,确定出分子束外延MBE时诸层的最佳组分、浓度、与厚度、上述优化分析的结果用于器件的实验研制,取得了34.4GHz下噪声系数(NF)1.92dB、相关增益Ga6.5dB的国内最好结果。 相似文献
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兆锋 《固体电子学研究与进展》1995,(1)
低压GaAs功率FET据《SemiconductorWorld》1993年第15期报道,日本松下电器工业公司已制成3.5V低压(与以前电源电压4.7V相比)工作的GaAs功率FET。新产品的特点:(1)开发了GaAs衬底表面缺陷较少的新工艺,上升电压... 相似文献
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采用VarianGenⅡMBE生长系统研究了InGaAs/GaAs应变层单量子阶(SSQW)激光器结构材料。通过MBE生长实验,探索了In_xGa_(1-x)tAs/GaAsSSQW激光器发射波长(λ)与In组分(x)和阱宽(L_z)的关系,并与理论计算作了比较,两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响,主要包括:Ⅴ/Ⅲ束流比,量子阱结构的生长温度T_g(QW),生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础,通过优化器件结构和MBE生长条件,获得了性能优异的In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层单量子阱激光器:其次长为963nm,阈值电流密度为135A/cm ̄2,微分量子效率为35.1%。 相似文献
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介绍了以栅宽1.2mm GaAsFET器件为基础的两级GaAs功率单片集成电路的设计、制作及其性能,该两级单片集成电路在10 ̄11GHz频带内,输出功率1W,增益10dB。 相似文献
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雁南 《固体电子学研究与进展》1994,(4)
X波段输出功率2W GaInP/GaAsHBT据((Microwav&RF))1994年第4期报道,AIGaAs是GaAs为基底的HBT发射区选用的材料。而GalnP发射区具有以下特性:最高振荡频率超过100GHz,大于100的高电流增益。据报道,已... 相似文献
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MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究.已得到77K温度下迁移率为16.2e4cm2/(V·s)的GaAs材料.样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(1e13cm-3<n<1e15cm-3)内,在大体相同的生长温度(590℃左右)下,选择适当的生长速率Gr会增强对浅受主杂质的抑制作用,同时也会抑制Si的自补偿效应,减小杂质的补偿度Na/Nd之值,从而提高MBE外延GaAs材料的迁移率. 相似文献