两种炭黑导电橡胶复合材料的电磁屏蔽性能

采用炭黑分别填充丁苯和丁腈橡胶,研究两种不同橡胶基体对炭黑的分散性能及复合材料导电性能、电磁屏蔽性能的影响。对比发现,丁苯橡胶基体中炭黑分散性能随炭黑含量增多而变差,而在丁腈橡胶中炭黑的分散性能呈相反趋势,随炭黑含量增多而变好。丁腈导电橡胶的导电性能以及电磁屏蔽性能要好于相同炭黑含量的丁苯导电橡胶。     

石墨和石墨烯填充导电硅橡胶的拉敏特性研究

以107室温硫化硅橡胶作为橡胶基体,石墨和石墨烯纳米薄片为导电填料,用常温加压固化的方法制备出导电硅橡胶。研究了石墨含量及拉力对导电硅橡胶电阻的影响以及填充石墨烯对导电硅橡胶导电性能的影响。结果表明:仅添加石墨,且石墨质量分数为41.2%时,拉敏性能最佳;在导电填料总含量为质量分数35.5%~41.2%时,添加0.04 g石墨烯能有效改善其导电性能,但拉力敏感性降低。     

试析炭黑填充物基PTC导电复合材料的研究进展及展望

本文基于炭黑填充物基PTC导电复合材料的研究进展进行分析,分析了影响复合材料PTC效应的相关影响因素,具体阐述了消除NTC效应的主要方法,并对炭黑填充物基PTC导电复合材料的未来发展进行了展望,希望能以此推动PTC导电复合材料在各个领域中的进一步应用.     

后段无压力约束硫化工艺对导电橡胶性能的影响

导电橡胶硫化工艺会影响其性能。为了进一步优化导电橡胶的性能,系统研究了后段无压力约束硫化工艺对导电橡胶导电性能、交联密度、电磁屏蔽效能和力学性能的影响。结果表明:后段无压力约束硫化工艺可明显增加导电橡胶交联密度,从而减缓硅橡胶基体的老化,由此提高其导电和电磁屏蔽的稳定性,使其电磁屏蔽效能在750 kHz~3 GHz频段内较长时间保持在100 dB以上;尽管该工艺会使导电橡胶的硬度明显增加,柔性降低,但其仍可满足使用要求。     

粘结式电池的研究

综述了旧式粘结式电池的研究现状，碾压式电极成型生产工艺，乙炔墨和石墨最佳导电物质聚四氟乙烯粘结剂及它们的含量，添加剂钴、镁、铈、锰的影响以及电池的性能指标都作了详细地报道，以旧式粘结式电池为对比，阐明了新式粘结式电池在导电基体，主要是塑料烧结式，纤维和泡沫镍基体，粘结剂种类，如聚乙烯，羟脯氨酰基甲基纤维素和羧甲基纤维素，刮浆生产工艺以及主要性能指标取得的重大成果。本文还提出了新式粘结式电池活性机理     

水性导电油墨的制备及导电性能研究

以水性丙烯酸树脂为粘结剂,以水性石墨烯浆料、导电炭黑为导电剂,制备了一种新型水性导电油墨。分析了其导电机理,研究了不同影响因素对水性导电油墨导电性的变化规律。结果表明:当石墨烯和导电炭黑单独作为导电剂时,随着石墨烯含量或者导电炭黑含量的增加,体积电阻率减小;当石墨烯含量或者导电炭黑含量大于一定值后,体积电阻率有所回升。当石墨烯与导电炭黑的混合物作为导电剂时,制备的水性导电油墨比其单独作为导电剂的导电性更为优异。同时,水性导电油墨的体积电阻率随着丙烯酸树脂含量的增加而增大。     

ACF互联可靠性影响因素的研究进展

总结了材料、芯片结构和环境因素等对异向导电胶膜(Anisotropic Conductive Film;ACF)互联可靠性的影响。文献表明,ACF基体树脂的吸湿膨胀系数、粘结强度及玻璃转化温度严重影响组装产品的互联可靠性,而导电粒子的导电性、芯片的结构和焊盘的表面处理方式等对可靠性也有较大影响。文献中的可靠性试验表明,在上面提到的因素中,湿气是影响器件中ACF可靠性的主要因素。     

聚丙烯/炭黑电热材料的SEM研究

本文研究聚丙烯 炭黑复合材料的电热性能 ,用ＳＥＭ探讨在复合材料中炭黑的形态结构、性能和填充率对复合材料导电性能的影响以及不同炭黑种类填充聚合物的渗流临界值变化。实验结果表明 ,ＰＰ ＣＢ复合材料具有明显的渗流效应、正温度系数效应。1　炭黑的形态结构对复合材料导电性的影响对于炭黑填充型复合材料来说 ,加入炭黑的目的就是提高复合材料的导电性能 ,因而炭黑的结构和性质对导电性的贡献是制备这种功能材料最重要的问题[1] 。各种研究已经表明 ,炭黑要提高复合材料的导电性 ,必须在聚合物的基体中形成一种由炭黑粒子 (或聚集体…     

导电衬垫在电磁屏蔽中的应用

文章分析了屏蔽体抑制电磁干扰失败的原因，指出了导电衬垫在抑制电磁干扰中的使用场合与作用。介绍了金属螺旋管、导电橡胶、金属丝网、指形簧片和导电布等五种常用导电衬垫的材料组成、性能和适用范围，并就其选择和安装问题作了探讨。     

石墨烯复合导电剂在锂离子电池中的应用研究进展

石墨烯具有极高的电导率、良好的力学性能和优异的热学性能,被认为是锂离子电池的新型高端导电剂。然而,石墨烯有着2630 m~2/g的超高比表面积,以及π-π共轭的作用使其在实际应用过程中更加易于团聚,影响锂离子电池容量的发挥。因此,本文结合导电炭黑、碳纳米管和石墨烯的结构特性,综述了石墨烯复合导电剂在锂离子电池中的应用及研究进度,并对未来石墨烯复合导电剂的应用趋势和工作方向进行了展望。     

表面贴装工艺（SMT）,其趋势和未来

表面贴装工艺（ＳＭＴ）是一种当今制造生产先进水平微小型电子产品的工艺技术,本文首先介绍ＳＭＴ,然后着重阐述表面贴装的种类及工艺流程,所需设备,ＳＭＴ中的技术问题,最后就ＳＭＴ的趋势和它的未来进行探讨。     

图像小波系数的分布规律及其对图像质量的影响

文中研究了小波系数的统计特性,小波系数的均值、方差和能量,不同分辨率级相同方向上小小的关系,以及同一分辨率级不同方向的小波系数对图像主观质量的影响。从而为基于小波变换的图像数据压缩中的量化方法提供了依据,得到以下结论：１．能量主要集中在低频系数,它对图像质量的影响最大,应对其进行量化;２．高频系数代表图像的细节信息,分辨率级越高的高频系数,对图像质量的影响越小,量化可以越粗;３．对同一方向不同分辨     

用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层

利用扫描电镜的选区电子通道花样技术研究了用ＥＬＩＤ磨削技术制作的两种单晶硅片磨削样品的表面变质层的厚度及其结构。结果表明，表面粗糙度依次为９．５ｎｍ和２２．５ｎｍ两种〈１１１〉单晶硅片样品的变质层厚度分别为２．８μｍ和４．８μｍ。     

Nitrogen Doping Effect in a-Ge: H Films Due To High Hydrogen Dilution

ＮｉｔｒｏｇｅｎＤｏｐｉｎｇＥｆｅｃｔｉｎａＧｅ：ＨＦｉｌｍｓＤｕｅＴｏＨｉｇｈＨｙｄｒｏｇｅｎＤｉｌｕｔｉｏｎＪ．Ｘｕ１Ｋ．Ｊ．Ｃｈｅｎ１Ｄ．Ｆｅｎｇ１，ＳｅｉｃｈｉＭｉｙａｚａｋｉ２ＭａｓａｔａｋａＨｉｒｏｓｅ２（１．Ｄｅｐｔ．ｏｆＰｈｙｓｉｃ...     

多元多色HgCdTe红外探测器

简要介绍利用不同波段的微型滤光片和不同响应波段的多元ＨｇＣｄＴｅ红外探测器,叙述了通过精密镶嵌技术组合而成的四波段２１５～２２５μｍ、８４～８９μｍ、１０３～１１３μｍ和１１５～１２５μｍ８８元多元多色探测器的设计原理和特性,以及多元多色探测器的组合工艺,并给出了各个通道的响应光谱特性和探测器的工作性能。研制成功的８８元多色红外探测器每个通道的平均探测率和响应率分别为：Ｄ２．１５～２．２５＝１．２×１０１２ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ２．１５～２．２５＝５．０×１０６Ｖ／Ｗ,Ｄ８．４～８．９＝７．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ８．４～８．９＝１．６×１０４Ｖ／Ｗ,Ｄ１０．３～１１．３＝４．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１０．３～１１．３＝４．３×１０３Ｖ／Ｗ,Ｄ１１．５～１２．５＝３．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１１．５～１２．５＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ,文中对这些结果进行了分析和讨论。     

基于弧长参数的曲线自适应平滑算法

文中针对空间曲线平滑这个图像理解与模式识别中的基本问题,在分析现有主要曲线平滑算法（如Ｄｏｕｇｌａｓｓ－Ｐｅｕｃｋｅｒ方法和固定窗口平滑算法）不足之处的基础上,利用信号平滑滤波的基本概念,基于曲线的参数方程和方向链玛的原理,提出了一种基于Ｆｒｅｅｍａｎ链码和以弧长为参数的离散空间曲线的自适应平滑算法。该算法首先将空间曲线沿弧长方向进行分解;然后在分解后曲线的各个部分中,利用Ｆｒｅｅｍａｎ链码计算平     

9Ni钢中马氏体孪晶界面结构研究

本文和电子显微研究了９Ｎｉ钢中马氏体孪晶界面精细结构，结果表明，马氏体孪晶不是平直的孪生面（１１２），而是由一系列以享生面（１１２）为平台的小平面组成的台阶状或凹凸不平的界面。小平面大多沿「１１０」方向形成，沿「１１１」方向较少形成。     

便携式红外靶标发生器的研制

介绍了一种适用于工作现状及技术阵地快速检测热成像装置ＭＲＴＤ的便携式红外装置,它由红外光学系统,靶标,面源黑体,温控装置及显示装置组成。靶标和面源黑体组成的温差源通过红外光学系统成像到远限远,模拟无限远目标,供给热成像装置接收。光学系统采用摄远物镜结构实现便携要求,靶标及面源黑体的温度采用温控仪探测,由Ｚ８０单片机进行对温控仪的数据采集处理和显示,并通过一定方法的温控过程保证靶标与面源黑体之间温差     

红外成像技术在自动测试设备中的应用

“印制电路板故障红外诊断仪”是集光、机、电和计算机一体化的非接触式故障诊断系统。文中详细介绍了该系统的组成、功能及特点,描述了在系统研制过程中解决的主要关键技术问题和难点。该系统硬件由热像仪、计算机、图像采集处理卡、信号源、交直流电源、测试平台等部分组成,软件由故障诊断、信息处理、开发服务等模块组成。该系统具有自动、手动两种诊断方式,其故障诊断速度快、准确率高,通用性强、适用面广。     

高效红外反射偏振器的研究

文中给出了在低折射率透明基底上涂镀高折射率透明薄膜构成高效、Ｐ分量抑制的红外反射偏振器的实例。对于未被抑制的Ｓ偏振分量的反射率可达ＲＳ≥９５％,因此可以与金属基底的薄膜反射偏振器相比,并且避免了对升温的强迫制冷要求。同时研究了薄膜厚度、入射角及波长的微小变化（或误差）对于该偏振器消光率的影响。