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利用化学气相沉积(CVD)方法,通过金属Sn粉和Zn粉在770℃下与氧气直接反应,以金为催化剂,成功地在硅片基底上制备了Zn掺杂的SnO2纳米线.对其制备参数进行了优化,获得了分布均匀、表面光滑的纳米线,其平均直径约为50nm,长度可达几十微米.并利用X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDX)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等设备对其形貌、结构特征进行了表征. 相似文献
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模板合成法制备ZnO纳米线的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在草酸和硫酸电解液中分别制备了孔径为40 nm和20 nm左右的多孔氧化铝模板,用直流电化学沉积的方法,在模板孔洞内电解沉积Zn,对其进行高温下的氧化,可得到高度有序的ZnO纳米线.扫描电子显微镜观察显示,多晶的Zn纳米线均匀地填充到多孔氧化铝六角排布的孔洞里,直径与模板孔径相当.X射线衍射谱测量证实,制备的Zn纳米线和ZnO纳米线均为多晶结构,并且对比了模板孔径对纳米线结构的影响.测量了多孔氧化铝厚膜和Zn/Al2O3组装体的吸收光谱,发现其在红外波段的吸收系数有逐渐降低的趋势. 相似文献
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采用化学气相沉积法(CVD)制备了大量的GaN纳米线,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱(EDS)和光致发光光谱仪(PL)对制备的样品形貌、结构、成分和发光性能进行了表征,并对其进行降解罗丹明B水溶液的光催化性能测试。结果表明,通过化学气相沉积法制备出了高质量的GaN纳米线,且GaN作为催化剂有一定的光催化效果。罗丹明B水溶液会因染料自身敏化作用而降解,但实验发现达到相同降解水平时无催化剂要比有催化剂至少多10 min。GaN作为催化剂时的降解速率k值为0.068 min-1,其数值相对于无催化剂时提高了17.2%。 相似文献
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采用一种新型的单一固相源并利用单源化学气相沉积(SS CVD)技术,在Si(100)上制备出高质量的ZnO 薄膜.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和热重分析(TGA)表征源的化学和物理特性.FTIR测试表明该源具有新型的化学结构,其结构可用Zn4(OH)2(O2 CCH3)6·2H2O表示;TGA表明该源在常温下稳定,在211℃下能完全分解.所制备的ZnO薄膜采用X射线衍射、扫描电镜、X射线光电子能谱、光致发光谱进行了分析.分析结果表明,采用这种固相源能够制备出高质量的ZnP薄膜. 相似文献
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采用一种新型的单一固相源并利用单源化学气相沉积(SS CVD)技术,在Si(100)上制备出高质量的ZnO 薄膜.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和热重分析(TGA)表征源的化学和物理特性.FTIR测试表明该源具有新型的化学结构,其结构可用Zn4(OH)2(O2 CCH3)6·2H2O表示;TGA表明该源在常温下稳定,在211℃下能完全分解.所制备的ZnO薄膜采用X射线衍射、扫描电镜、X射线光电子能谱、光致发光谱进行了分析.分析结果表明,采用这种固相源能够制备出高质量的ZnP薄膜. 相似文献