基于碳纳米管的纳滤膜研究进展

碳纳米管具有原子级光滑的内表面及纳米尺寸的孔道结构,应用于纳滤膜有望获得极高的输运速率和选择性.在综合分析几种典型碳纳米管纳滤膜(巴基纸纳滤膜、无序碳纳米管/聚合物混合滤膜和垂直排列碳纳米管复合滤膜)的制备、过滤性能及优缺点的基础上,提出垂直排列碳纳米管复合滤膜有利于充分发挥碳纳米管自身的优势,代表了该领域未来的发展方向.     

环境气氛对二维超薄ZnO纳米片紫外探测器性能的影响

二维宽带隙半导体材料独特的纳米结构是高性能紫外光电探测器的潜在理想材料,但是在实际应用过程中,各种环境气氛可显著影响紫外光探测器件的性能。文中采用化学气相沉积方法制备超薄二维ZnO纳米片,并利用该纳米片制作了紫外光探测器件。将探测器件置于密闭系统中进行测试,排除了不同应用环境对测试结果的影响,同时重点研究了不同极性分子对二维超薄ZnO纳米片紫外探测器性能的影响。研究结果表明,在极性分子存在的条件下,ZnO纳米紫外光探测器的暗电流降低1.5~2倍,灵敏性和响应率提高了约1.5倍。     

类石墨烯过渡金属二硫化物的研究进展

具有类石墨烯二维结构的过渡金属二硫化物(TMDCs)因其优异的光学、电学、电化学等方面的性质而引起人们的广泛关注。介绍了二维TMDCs的基本性质,及几种常用的制备方法。重点阐述了二维TMDCs的电学性质、光学性质、电化学性质及其潜在应用,并与石墨烯的物理化学性质进行了类比。最后分析了二维TMDCs的发展趋势和面临的挑战。     

GdFeCo/AIN/DyFeCo静磁耦合多层薄膜磁化方向转变的研究

对GdFeco／AIN／DyFeco静磁耦合多层薄膜变温磁化方向变化进行了研究。结果表明读出层GdFeCo随温度上升从平面磁化转变成垂直磁化，转变过程中受饱和磁化强度(M)和有效各向异性常数影响，但主要受饱和磁化强度(M)的影响。在高温时读出层的磁化强度很小，退磁场能减小，在静磁耦合作用下，使GdFeCo读出层的磁化方向发生转变，而且磁化方向的转变在较小的温度范围内变化较快。     

Sol-gel法制备(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜

采用柠檬酸络合物型溶胶 凝胶法首次制备得到了具有垂直各向异性的(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜,并对材料结构和磁光性质进行了研究,结果得到石榴石磁光记录薄膜磁滞回线具有较好的矩形比,在430nm和520nm的品质因子为2°和1.5°,最佳晶化温度为675℃。     

永磁铁氧体磁性能与料浆粒度关系的研究

注浆成型永磁铁氧体的磁性能与原始料浆颗粒的大小密切相关。通过工厂跟踪试验和实验室测试，深入分析了SrFe12O19。永磁铁氧体料浆颗粒大小对烧结后磁体的晶粒取向度、晶相结构和最终磁性能之间的关系。结果表明，料浆原始颗粒越小，则晶粒取向度越大，样品磁性能越好。     

永磁铁氧体磁性能与料浆粒度关系的研究

注浆成型永磁铁氧体的磁性能与原始料浆颗粒的大小密切相关.通过工厂跟踪试验和实验室测试,深入分析了SrFe12O19永磁铁氧体料浆颗粒大小对烧结后磁体的晶粒取向度、晶相结构和最终磁性能之间的关系.结果表明,料浆原始颗粒越小,则晶粒取向度越大,样品磁性能越好.     

"自上而下"法制备高性能GaN纳米线阵列

针对自下而上生长GaN纳米线的尺寸、形态、取向不易控制的问题,文中采用自上而下刻蚀的方法来制备GaN纳米线材料。以图形化的金属Ni作为掩膜对GaN进行ICP刻蚀,系统研究了刻蚀参数,主要是ICP功率以及RF功率对GaN纳米线形貌以及拉曼、PL光谱的影响,同时也对比了干法刻蚀后,有无湿法处理的影响。研究发现,当ICP功率为1 000 W,RF功率为100 W时,GaN纳米线的拉曼和PL光谱强度较大,表明此功率下刻蚀的纳米线损伤较小。经过KOH浸泡30 min后,GaN纳米线的形貌得到了改善,拉曼和PL光谱强度均优于单纯的干法刻蚀,为下一步器件的制备提供了良好的材料基础。     

GaN纳米线的制备及光催化性能研究

采用化学气相沉积法(CVD)制备了大量的GaN纳米线,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱(EDS)和光致发光光谱仪(PL)对制备的样品形貌、结构、成分和发光性能进行了表征,并对其进行降解罗丹明B水溶液的光催化性能测试。结果表明,通过化学气相沉积法制备出了高质量的GaN纳米线,且GaN作为催化剂有一定的光催化效果。罗丹明B水溶液会因染料自身敏化作用而降解,但实验发现达到相同降解水平时无催化剂要比有催化剂至少多10 min。GaN作为催化剂时的降解速率k值为0.068 min-1,其数值相对于无催化剂时提高了17.2%。     

新型磁存储介质L10有序FePt薄膜研究综述

L10有序FePt合金薄膜有大的各向异性能、矫顽力和饱和磁化强度,而且根据制备工艺条件的不同,其易磁化轴可以平行或垂直于膜面,因此极有可能成为下一代超高密度磁存储的介质,近年来引起了广泛的关注.详细介绍了Fept薄膜近年来的研究结果,分析了其大矫顽力的机制、降低有序化温度、控制易磁化轴取向、降低粒子间相互作用的方法等对磁存储至关重要的问题,并对其在磁存储中的应用前景作了分析.