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提出了一种符合ISO/IEC 18000-6B标准的高性能无源UHF RFID电子标签模拟前端,在915MHz ISM频带下工作时其电流小于8μA.该模拟前端除天线外无外接元器件,通过肖特基二极管整流器从射频电磁场接收能量.该RFID模拟前端包括本地振荡器、时钟产生电路、复位电路、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及AM解调器等.该芯片采用支持肖特基二极管和EEPROM的Chartered 0.35μm 2P4M CMOS工艺进行流片,读取距离大于3m,芯片面积为300μm×720μm. 相似文献
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基于ISO/IEC 18000-6C协议,对UHF无源电子标签模拟前端中的ASK解调电路、整流器、稳压电路等进行低功耗设计。解调电路中微分电路的加入扩大了解调电路工作范围,在解调电路近距离工作时,可以更有效地解调。整流电路采用了零阈值MOS管代替肖特基二极管,降低芯片成本。整流稳压电路可稳定地为芯片供电,供电电压2 V,建立时间仅为25μs。电路采用SMIC 0.18μm 2P4M CMOS工艺进行流片,芯片面积720μm×390μm。测试得到模拟前端整体工作电流仅2.4μA,标签工作距离大于7 m。 相似文献
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提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在~40~100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA. 相似文献
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一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路 总被引:1,自引:1,他引:0
提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在~40~100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA. 相似文献
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提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860~960 MHz.基于0.18μm,1p6m的标准数字CMOS工艺,设计并实现了无源UHF RFID标签芯片的整流器.该设计采用开关电容电路技术动态地消除了CMOS管开启电压的问题,在标准数字CMOS工艺下实现了高效率的超高频整流器.整流器的面积为180μm×140μm.当输入900MHz,-16dBm的射频信号时,整流器的输出电压为1.2V,启动时间为980μs. 相似文献
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CMOS超高频整流器 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860~960 MHz.基于0.18μm,1p6m的标准数字CMOS工艺,设计并实现了无源UHF RFID标签芯片的整流器.该设计采用开关电容电路技术动态地消除了CMOS管开启电压的问题,在标准数字CMOS工艺下实现了高效率的超高频整流器.整流器的面积为180μm×140μm.当输入900MHz,-16dBm的射频信号时,整流器的输出电压为1.2V,启动时间为980μs. 相似文献
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一种无源UHF RFID电子标签验证开发平台 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种符合ISO/IEC 18000-6B标准的无源UHF RFID电子标签验证开发平台,其工作在915MHz ISM频带下.该平台有效减少了设计开发时间及成本,并实现了电子标签的快速原型设计.该平台包括RFID模拟前端以及采用Altera ACEX FPGA实现的标签控制逻辑.RFID模拟前端采用Chartered 0.35μm 2P4M CMOS工艺进行流片,包括本地振荡器、时钟产生电路、复位电路、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及AM解调器等,通过调整FPGA中的标签控制逻辑,该平台实现了快速、灵活而高效的RFID验证开发. 相似文献
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《Industrial Electronics, IEEE Transactions on》2009,56(7):2317-2325
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Li-Ying Chen Lu-Hong Mao Xiao-Zong Huang 《Analog Integrated Circuits and Signal Processing》2011,66(1):61-66
This paper presents a low power passive UHF RFID transponder IC, which is compatible with ISO/IEC 18000-6B Standard, operating
at the 915 MHz ISM band with the total supply current consumption less than 10 μA. The fully integrated passive transponder,
whose reading distance more than 3 m at 4 W (36 dBm) EIRP with an antenna gain less than 1.5 dBi, is powered by the received
RF energy. There are no external components, except for the antenna. The transponder IC includes matching network, rectifier,
regulator, power on reset circuit, local oscillator, bandgap reference, AM demodulator, backscatter, control logic and memory.
The IC is fabricated using Chartered 0.35 μm two-poly four-metal CMOS process with Schottky diodes and EEPROM supported. The
die size is 1.5 mm × 1.0 mm. 相似文献
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This paper presents a current-mode voltage regulator for a passive UHF RFID transponder.The passive tag power is extracted from RF energy through the RF-to-DC rectifier.Due to huge variations of the incoming RF power,the rectifier output voltage should be regulated to achieve a stable power supply.By accurately controlling the current flowing into the load with an embedded sub-threshold reference,the regulated voltage varies in a range of 1-1.3 V from-20 to 80 ℃,and a bandwidth of about 100 kHz is achieved for a fast power recovery.The circuit is fabricated in UMC0.18μm mixed-mode CMOS technology,and the current consumption is only 1 μA. 相似文献
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Weinberger H. Wiesbauer A. Fleischhacker C. Hauptmann J. Ferianz T. Staber M. Straussnigg D. Seger B. 《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》2002,37(7):857-865
An analog front end IC for ADSL systems compliant with ANSI, ITU, and ETSI standards is presented. The IC contains all analog functions on one silicon die, including programmable gain amplifiers, highly linear continuous-time filters, 14-bit DAC and ADC for up to 1.1-MHz signal bandwidth, digitally controlled crystal oscillator, and a line driver capable of delivering +13 dBm to the line. The IC has been fabricated in a mixed-signal 0.6-μm DPTM BiCMOS technology with a chip area of 29 mm2 and a power consumption of only 800 mW, using 3.3-V supply for all blocks, except 12-V supply for the line driver. The high level of integration together with the low power consumption can be considered a benchmark for full-rate ADSL analog front end ICs 相似文献
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分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC Class0协议,提出电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、稳压源、能量开启、脉宽解调、反向调制、振荡器、时钟校准等部分。采用Chartered 0.35μm CMOS工艺进行流片,整个前端模块工作电压(不包括整流电路)3.3V,电流13.8μA。最后给出芯片照片及测试结果。 相似文献