激光全息法制备二维硅基图形衬底

理论上模拟了全息光刻法制备二维硅基图形阵列的光强分布和显影过程,通过改变激光波长及入射光与样品表面的夹角即可得到不同周期的二维图形.在此基础上,采用三束光一次曝光和湿法腐蚀图形转移技术,在n型(100)硅衬底上制备出了周期在亚微米量级的均匀二维图形阵列.该方法适合大面积硅基图形阵列的制作.     

基于STM32F078和LTC2662的硅基光开关阵列参数标定控制器设计与实现

随着科技的发展,光纤通信大量使用,硅基光开关阵列的使用场景越来越多,当前基于硅基的光开关阵列技术得到了发展.但由于技术还不够成熟,光开关阵列中每个开关节点的控制参数还不能做到一致,需要的电压在4～6 V.为了能够准确控制和使用硅基光开关阵列,必须对硅基光开关阵列中的每个开关节点控制参数进行准确标定,标定其控制电压或电流.为了实现控制参数的高效标定,设计一种高效的硅基光开关阵列参数标定控制器.     

硅基集成激光雷达技术

论述了硅基相控阵激光雷达和硅基光开关阵列激光雷达的工作原理,并回顾了这两种硅基全固态激光雷达的发展历程。业界对于硅基相控阵激光雷达的研究开始较早,目前已取得了显著成果;但大阵列硅基相控阵激光雷达的控制电路很复杂,实现起来较困难。硅基光开关阵列激光雷达的工作方式非常简单,技术门槛较低,发展迅猛,与硅基相控阵激光雷达在性能上的差距也越来越小。     

基于半导体工艺制备碳纳米管阴极图形阵列

提出一种成本低、简单易行的碳纳米管图形阵列制备技术。首先在硅基底上采用热解工艺生长碳纳米管(CNT)阴极,再用光刻腐蚀法制备阴极图形阵列。研究了掩模精度及腐蚀液的浓度对图形阵列的影响,对所得到的图形样品进行XPS分析表明,图形腐蚀彻底、图形边沿轮廓清晰;以二极管结构FED测试场发射性能知:该阴极开启场1.5V/μm;在电场强度为2.0V/μm下,电流密度为58mA/mm2,发光亮度高达450cd/m2。     

硅基波导光开关及开关阵列的研究进展

光开关是光网络中实现光交换的核心器件.硅基波导光开关作为一类重要的开关器件,具有体积小、开关速度快、兼容性好等优点.近年来随着硅基波导制作技术的成熟,硅基波导光开关及开关阵列的研究日益受到人们的重视.文章介绍了SOI(silicon-on-insulater)光波导、聚合物光波导和SiO2光波导等三类常见的硅基波导在光开关及开关阵列方面的一些研究进展.     

在AutoCAD中实现二维图形的立体重构

提出在AutoCAD中利用二维图形实现三维立体重构的方法。这种方法不需要其它任何插件,直接在AutoCAD软件平台上,使用平面图形形体分解法,分解成一个个特征图形,通过拉伸、旋转、扫掠、镜像、阵列等三维建模命令,生成立体几何图形,最后经过布尔运算生成需要的三维立体图形~[1]。本方法是通过二维图原图直接生成三维立体图,不存在尺寸数据的输入,可以说是零误差的转换,在很大程度上提高了建模的效率和准确度,并且可以充分使用已有平面图形资源数据进行几何数据空间交换,避免CAD工程技术员频繁改变AutoCAD用户坐标系,简化了AutoCAD创建三维立体模型的过程,可以获得事半功倍的效果。     

SADP工艺中一类特殊二维图形的分解处理

自对准双重图型(SADP)技术广泛应用于28 nm以下节点逻辑电路制造工艺和存储器制造工艺。与其他双重图形技术(LELE,LPLE)相比,在处理二维图形分解时,SADP面临更复杂的要求。针对一种简单的二维图形,介绍了3种图形分解方法,可以有效改善线宽和对准工艺窗口。     

光伏电池表面抛物锥阵列微结构的反射特性研究

采用时域有限差分法(FDTD)对硅基太阳能电池表面抛物锥阵列微结构的反射特性进行研究,分析了抛物锥阵列的高度、底面占空比、周期等参数对其抗反射性能的影响。研究表明,反射率随底面占空比、高度的增大而减小。在锥高600 nm且抛物锥底面直径等于周期的情况下,锥底面直径分别取128,160,213,256,320 nm时,微结构在硅的响应光谱300~1200 nm内均能获得低于3%的反射率;在此基础上提出一种大、小抛物锥相切排列的新型复合结构,将硅的响应光谱波段内的反射率进一步降低至1%以下,为硅基太阳能电池抗反射表面的设计提供了一种新的思路。     

MATLAB在天线方向图中的应用与研究

以天线方向图函数为例,分析了对称阵子天线、阵列天线方向图函数F(θ,φ)随各参量变化的规律以及二维图形的特点,并讨论了直线天线阵(单向端射阵)的最大辐射方向和主瓣宽度随各参量变化的二维、三维图形特点。借助MATLAB的绘图功能,对各种天线的方向图函数的二维、三维图形进行研究,可以观察到天线辐射场在不同方向的辐射能量分布。直观清楚地表现出辐射方向图的特点。     

曲面共形阵列结构快速数值分析方法

针对曲面共形阵列结构电磁散射特性的高效、精确仿真分析需求,提出了一种并行综合函数矩量法处理方案.该方法是传统电磁经典数值算法——矩量法的一种改进形式,通过几何区域分解处理和综合基函数的方式极大降低了算法的内存消耗,使得单机分析电大尺寸问题和大规模阵列问题成为可能.更为重要的是,针对周期阵列结构,该方法具备综合函数复用特性和多区域并行处理特性,能够大大提高算法的综合处理效率.一个6×11的柱面共形贴片阵列被用于验证所提方法的性能,仿真结果表明,对于周期阵列结构,该方法的计算精度与多层快速多极子算法相当,虽然计算效率略低于多层快速多极子方法,但内存消耗比多层快速多极子方法低一个数量级.