新一代非易失性存储器——NVSRAM的原理和应用

本文介绍了针对高端存储应用的最新非易失性存储器NVSRAM.可以根据应用要求以及功能需要选择最佳的非易失性存储器架构.     

VxWorks系统下的NVRAM To Flash驱动程序设计

NVRAM(非易失性随机存储器)因其具有读写速度快、数据非易失的特点,常用来存取重要数据。在读写速度要求不高的场合,为降低成本,可用现有的Flash存储器来代替NVRAM,这需要提供NVRAM To Flash驱动。但现有的驱动效率不高,写数据速度太慢,给使用者带来不便。基于Vx-W orks操作系统,提出一种新的NVRAM To Flash驱动程序设计方法,该方法实现了NVRAM的两个接口函数,通过减少擦除Flash次数,提高了数据读写速度。     

阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真

为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真.同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考.     

MCU应用新世界：Cortex-M1微控制器和FPGA

Actel公司的FPGA器件是ASIC器件的理想替代品,具有ASIC产品的很多特点如:单芯片、上电即行、非易失性、低功耗、保密性强、免疫固件错误、片上非易失性存储器、整体系统成本低等.同时FPGA采用Flash*Freeze技术,又具有无NRE成本、快速生成原型、生产周期短以及在系统可编程等优点.     

基于TMS320C6713及AM29LV800B的上电自举设计

基于DSP的系统设计中,由于部分DSP内部无非易失性存储器,为了保证该系统设计掉电时程序不丢失,因此必须外部扩展ROM或Flash用于存储数据.以TMS320C6713型浮点DSP和AM29LV800B型Flash存储器为例,阐述了上电自举的硬件设计,JTAG程序加载,上电自举过程,Flash的擦除及烧写,链接命令文件和编写,并详细说明各部分相互联系及作用.     

自旋反极化电子注入MRAM的发展目标是终极高速存储器

2005年底索尼发布了一款高速存储器,它具备SRAM的运行速率、闪存的非易失性以及无限制的写入次数等特性.该存储器采用了非易失性的8Kbit存储单元阵列,写入时间为2ns.如果再进一步提高集成度,可替代45nm以下工艺的SRAM、DRAM等非易失性存储器.     

铁电存储器FM3116在工程机械监控系统中的应用

铁电存储器是一种新兴的非易失性存储器，FM3116是RAMTRON公司新推出的铁电存储器芯片，该芯片具有非易失性存储、实时时钟、低电压复位、看门狗计数器、非易失性事件计数器等功能。文章在简要介绍了FM3116芯片的基础上，给出了一个基于FM3116和80C196单片机的数据记录系统的设计方法，该系统已成功应用于某工程机械安全监控系统中。     

SONOS非易失性存储器件研究进展

随着半导体存储器件的小型化、微型化,传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大,对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近,基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件,以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存储性能的影响因素研究进展,并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论。     

Ramtron推出内嵌FRAM的增强型8051MCU 突破性的非易失性数据存储/处理系统

非易失性铁电存储器(F R A M)和集成半导体产品供应商RamtronInternational发布第一款嵌入了非易失性F R A M存储器的8051MCU—VRS51L3074。Ramtron将FRAM加入于其高速灵活的Versa8051系列产品中,以实现设计高速及高可靠性的非易失性数据存储和处理系统,而该系统只有嵌入了F R     

SOC中NAND Flash控制器的一种新型结构和实现方法研究

NAND Flash在需要大容量非易失性存储的嵌入式应用中占有不可或缺的地位.在对NAND Flash控制器的一般结构和实现方法研究的基础上,提出了两级高速缓存流水结构的新型NAND Flash控制器解决方案,是一种高效率的设计.给出了控制器的性能分析、仿真验证和综合结果.     

数字电视用户终端中的存储器配置及应用

一前言随着广播电视系统数字化、网络化的不断进展,数字电视用户终端,即我们平常所说的机顶盒,正逐步进入千家万户。作为数字电视系统中用量最大、直接服务于用户的一件产品,机顶盒的性能价格比对数字电视的普及和发展至关重要。机顶盒是广播电视业务与计算机技术相结合的产物,其中存储器件的选配对整机的性能和成本有着很大影响。机顶盒使用多种存储器,总体可分为断电后数据丢失的易失性存储器和断电后数据不会丢失的非易失性存储器。易失性存储器主要由处理器在工作时使用,有静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM,非易失性存储器主…     

非易失性存储器：最新发展趋势及测试评估设备

目前便携式终端诸如PDAs及数码相机等产品的应用迅速扩展，广泛应用于建立数据基础结构。这些趋势加速了半导体制造商之间的竞争。非易失性存储器，由于在电源断电时能存储数据而引起越来越多的关注，并且使用范围日益广泛。对于测试非易失性存储器的设备要求具有超大容量处理速度和非     

基于TMS320C6713及AM29LV800B的上电自举设计

基于DSP的系统设计中．由于部分DSP内部无非易失性存储器,为了保证该系统设计掉电时程序不丢失,因此必须外部扩展ROM或Flash用于存储数据。以TMS320C6713型浮点DSP和AM29LV800B型Flash存储器为例,阐述了上电自举的硬件设计,JTAG程序加载,上电自举过程,Flash的擦除及烧写,链接命令文件和编写,并详细说明各部分相互联系及作用。     

铁电存储器FM25640及其在电表数据存储中的应用

铁电存储器是新型的高性能非易失性存储器,它具有读写次数多、速度快和超低功耗等特点。文中介绍了一款带有SPI总线接口的铁电存储器FM25640．并讨论了它在电表数据存储中的应用方法。     

基于FPGA的高速大容量固态存储设备设计

采用大容量的固态Flash作为存储介质,用FPGA作为存储阵列的控制器,设计了高速大容量的存储板卡,实现了数据采集过程中用相对低速的Flash存储器存储高速实时数据.FPGA既可作为高速输入数据传输到Flash中的缓存,又能实现对存储器的读写、擦除等操作时序的控制.给出了读写Flash的时序,并实现了通过工控机CPCI总线对存储器的数据读取.     

新型非易失性存储器的抗辐射能力研究进展

通过研究铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器4种新型非易失性存储器的抗辐射能力,总结了每种非易失性存储器的总剂量效应和单粒子效应。针对总剂量效应和单粒子效应进行了对比与分析,得到了目前的新型非易失性存储器的抗辐射能力仍然取决于存储单元以外的互补金属氧化物半导体(CMOS)外围电路的抗辐射能力。该结论为抗辐射非易失性存储器的研究提供了参考。     

英特尔与恒忆公布相变存储器（PCM）研究成果

英特尔公司与恒忆（Numonyx）公布了一项突破性的相变存储器（PCM）研究成果,这种新的非易失性存储器技术结合了目前各种存储器的优势。研究人员首次展示了能够在单个硅片上堆叠或放置多个PCM阵列层的64Mb测试芯片。这些研究成果为制造更高容量、更低能耗的存储器设备铺平了道路,能够为随机存取非易失性存储器和存储应用降低所占用的空间。     

铁电存储器技术及应用浮出水面

铁电存储器是一类利用铁电材料的铁电特性进行信息存储的新型非挥发性(非易失性)半导体存储器。与传统的非挥发性存储器如E~2PROM等相比,其具有读写速度快、使用寿命长、抗辐射、抗干扰等一系列的优点。由于其制备工艺与半导体硅工艺兼容,     

嵌入式相变存储器的技术特点和研究现状

从2001年Intel在IEDM发表第一篇相变存储器的论文以来,相变存储器的发展十分迅猛.相变存储器由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐射、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH和DRAM而成为未来半导体存储器主流产品.文中系统地介绍了嵌入式相变存储器的存储机理及其主要工作特点,从相变材料,器件结构,存储阵列等方面分析国内外研究现状,并讨论了器件失效与可靠性问题.     

大容量存储中NAND Flash坏块的管理方法

在当今数字时代,NAND Flash由于其非易失性和读写速度快等原因而在大容量存储中的应用越来越广。但由于Flash中不可避免的会出现坏块,对大容量存储的速度与精度都造成了影响,针对大容量存储中NAND Flash存在坏块对其造成的影响,我们主要研究了NAND Flash中坏块出现的原因,对坏块进行的分类,并提出了相应的管理方案。实践证明,经过对坏块的管理,Flash存储数据的安全性和存储速度都有了很大的提升,提高了系统的整体性能。