LED拓扑结构对可见光通信性能影响的分析

在室内可见光通信的研究中,发光二极管的拓扑结构通常被忽略,大多将其视为一固定参数。针对其拓扑结构问题,提出了对不同的LED拓扑结构进行仿真分析,通过matlab建立了室内可见光通信系统模型,并对室内可见光通信中的发光二极管拓扑结构进行仿真测试,得到了不同发光二极管拓扑结构下的室内接收信噪比分布,进而分析不同的LED拓扑结构对信号传输的影响。仿真结果表明,发光二极管对室内接收信噪比分布的影响主要由其结构分布的均匀程度和发光二极管的照射强度是否均衡决定,且优化后的发光二极管拓扑结构具有更良好的室内信噪比分布,更适合室内可见光通信。     

贴片式发光二级管类器件

<正> 发光二极管是大家熟知并常用的电子元器件。本文介绍一组贴片式发光二极管及贴片式数码管,它们的原理及应用与一般的发光二极管和数码管相同,只是尺寸小得多,并且发光亮度较大(一般只要2～3mA电流)。它们适用于表面贴装的结构,某些发光二极管也可用于穿孔式装配结构。     

新颖红外发光二极管

主要介绍近几年国外研制的红外正面、侧面发光二极管和超辐射发光二极管的最新进展，并对新开发的超晶格、量子阱发光二极管的基本结构、性能、制造技术和应用前景作了简要叙述。     

发光二极管开路失效分析

本文简述了发光二极管结构原理,对发光二极管开路失效模式进行全面分析,确定不同的失效机理及所对应的失效原因,并提出针对性的改善措施和筛选方法,达到提高发光二极管质量和可靠性的目的。     

具有双光栅结构的高提取效率发光二极管的设计

设计了一种新型的具有较高光提取效率的双光栅结构的发光二极管，它在传统光栅发光二极管的有源层的下表面增加了光栅结构，提取出原本受限于全反射的光，获得了更高的光提取效率。利用三维严格耦合波理论对该结构的光学性能进行了分析，计算结果表明，这种新型的双光栅结构发光二极管的提取效率可达传统平板型的6.3倍。     

简讯

超高速发光二极管日本最近研制成用于LAN(光数据链路·局部区域网络)的超高速发光二极管.其波长为1.3微米,转换速度达到了500兆比特,是现有发光二极管的两倍.据推断,这种管子能稳定工作10亿小时. 元件的结构如附图所示,用液相外延生长法制成双层异质结构,激活层厚约0.5微米,发光直径20微米.对于发光体积这样小的发光二极管来说,注入载     

表面等离子体提高GaN-LED发光效率的研究进展

表面等离子体能够增强氮化镓发光二极管的发光效率,为高效发光二极管芯片的研究提供了可行的方案。近年来,国内外研究小组在利用表面等离子体增强氮化镓发光二极管发光效率的实验中,取得了很多有价值的结果。介绍了具有金属薄膜、金属颗粒和金属光子晶体等典型结构的氮化镓发光二极管。重点探讨了表面等离子体增强发光二极管发光的机理、结构和关键技术。对具有二维金属光子晶体的氮化镓发光二极管发光增强机理进行了分析和预测,认为利用二维光子晶体可以从内量子效率和外量子效率两方面增强器件发光,并且有很好的可控制性,是提高发光效率的可行方案。     

高亮度发光二极管的发展及应用

本文综述了国外高亮度发光二极管及所用材料、器件结构、制作工艺等方面的研究发展情况,阐述了高亮度发光二极管的应用。     

发光二极管光强计的研制

文中介绍了一种发光二极管光强计的设计思想、结构和主要技术指标,它可很方便而准确地测定发光二极管的轴向发光强度。     

隧道结AlGaInP发光二极管

报道了通过隧道结将衬底的导电类型从n型转变到p型,从而可以利用n型GaP作为以n型GaAs为衬底的AlGaInP发光二极管的电流扩展层.n型电流扩展层的电阻率低于p型电流扩展层的电阻率,这种结构改善了电流扩展层的作用,从而提高了发光二极管的光提取效率.对3μm GaP电流扩展层的发光二极管,实验结果表明,隧道结发光二极管的发光功率与具有相同基本结构的传统发光二极管相比,20mA时发光功率提高了50%,100mA时提高了66.7%.     

功率LED柔性封装结构的设计与热特性分析

根据功率LED的柔性封装要求,提出了基于贴片式(SMD)封装的功率型LED柔性封装结构。对各层结构进行了优化设计,采用有限元分析(FEA),模拟了柔性封装结构LED的热场分布。对比研究了柔性LED与传统封装结构LED的热特性,并对弯曲状态下柔性衬底材料对芯片的应力进行了分析。结果表明,采用金属Cu箔衬底的柔性封装结构,其散热特性较好;Cu/超薄玻璃复合衬底替代Cu箔衬底,可以减少弯曲的应力,减少幅度达到2.5倍,散热特性基本相同。SMD柔性封装的LED不仅具有较好的热稳定性,且具有柔性可挠曲特性,其应用潜力很大。     

Failure modes and effects analysis for high-power GaN-based light-emitting diodes package technology

In this study, nondestructive test is developed to analyze the structure failure of LED package. The relationship between thermal resistance analysis and LED package failure structure is build with T3Ster thermal transient tester and scanning electron microscope (SEM). The failure LED device with defect in the attaching layer and gap between LED chip and copper are designed advisedly. The failure factors of LED package have been measured with thermal resistance analysis and SEM cross-section images. The thermal dissipation performance of LED with defect in the attaching layer is indicated by thermal resistance analysis combined with SEM cross-section images. The blister in attaching layer results in 4.4 K/W additional thermal resistance. The gap between LED chip and copper also makes high additional thermal resistance with 8.6 K/W. Different failures of LED packages are indicated obviously using thermal transfer analysis. The LED package failure structure such as interface defect between solder and cup-shaped copper is able to forecast without destructive measurement.     

大功率LED的热阻测量与结构分析

热阻的精确测量与器件结构分析是设计具有优良散热性能的大功率LED的前提。本文研究了大功率LED的光功率、环境温度和工作电流对热阻的影响规律,论述了积分式结构函数和微分式结构函数的推导过程及其主要性质,提出了大功率LED热阻的精确测量方法,并利用结构函数分析及辨识大功率LED器件的内部结构、尺寸、材料、制造缺陷和装配质量。     

大功率LED低热阻封装技术进展

散热是大功率LED封装的关键技术之一,散热不良将严重影响LED器件的出光效率、亮度和可靠性。影响LED器件散热的因素很多,包括芯片结构、封装材料(热界面材料和散热基板)、封装结构与工艺等。文章具体分析了影响大功率LED热阻的各个因素,指出LED散热是一个系统概念,需要综合考虑各个环节的热阻,单纯降低某一热阻无法有效解决LED的散热难题。文中还对国内外降低LED热阻的最新技术进行了介绍。     

利用ITO微纳结构提高石墨烯紫外LED光提取效率

为了改善因为铟锡氧化物(ITO)薄层对紫外光具有高吸收率,从而导致石墨烯紫外LED低光提取效率(LEE)问题,采用ITO微纳结构(矩形和三角形)作为石墨烯紫外LED缓冲层的方法,利用时域有限差分法,对ITO微纳结构进行优化,并对石墨烯紫外LED进行了理论分析。结果表明,当矩形微纳结构厚度为160nm、占空比为0.7、周期为220nm时,在单层石墨烯下紫外LED的LEE可达10.668%;利用矩形微结构作为插入层相比于利用ITO薄层作为插入层的单层石墨烯紫外LED提高了45.06%;而当三角微纳结构在最优参量时,石墨烯紫外LED的LEE仅有6.64%,明显低于ITO薄层石墨紫外LED。该研究可为后续制备高光功率的紫外LED提供理论基础。     

基于四原色像素结构的节能LED显示系统

本文从CIE色度原理解释了LED显示系统的像素结构,利用LED显示系统混色理论,设计出基于四原色RGBW像素结构的LED显示系统电路,并论证了该电路在高效节能、减少光污染等方面的优势。     

Nitride-based cascade near white light-emitting diodes

An InGaN-GaN blue light-emitting diode (LED) structure and an InGaN-GaN green LED structure were grown sequentially onto the same sapphire substrate so as to achieve a nitride-based near white LED. In order to avoid thyristor effect, we choose a large 2.1×2.1 mm² LED chip size, which was six times larger than that of the normal LED. It was found that we could observe a near white light emission with Commission International de l'Eclairage color coordinates x=0.2 and y=0.3, when the injection current was lower than 200 mA. It was also found that the output power, luminous efficiency and color temperature of such a cascade near white LED were 4.2 mW, 81 l m/W, and 9000 K, respectively     

交流LED与高压LED的特性实验研究

高压LED和交流LED都是通过串联数十颗LED来增大整体导通电压,结构上高压LED是交流LED的一种特殊形式。介绍了高压LED和交流LED的驱动电路模型,其共同点是皆有一个限流电阻与光源串联。通过调整限流电阻的阻值和改变光源所含LED个数与连接形式,分别对高压LED和交流LED的输出特性进行了测量。在两种光源所含LED数量和工作电流均相同的情况下,高压LED的发光效率和光通量要高于交流LED;并联式高压LED的发光效率低于串联式高压LED的发光效率,光通量则相反;验证了交流LED的发光效率与限流电阻无关。     

关于超薄LED背光模组设计探讨

背光模组随着彩色液晶显示器的应用领域不断加大,其厚度也向超薄方面发展,并解决了液晶电视中LED背光源的结构设计难题.本文通过对传统背光模组和超薄LED背光模组、传统侧光式背光模组和超薄LED背光模的结构设计来进行分析与探讨.     

LED支架结构优化设计

LED(发光二极管)已是广泛应用的新型光学元器件,其相关产品具有很大的市场发展前景和价值提升空间。LED支架是LED产品性能和质量的核心部分,具有保护支撑发光晶片的作用,然而,目前市场中的LED支架结构存在胶体剥离、功能区段差等问题,本文主要通过对LED支架结构进行设计改进,在不直接变更产品外观,不影响产品性耐性的情况下,缩短产品的生产周期、提高机台生产的稼动率、保证产品的良率,进而提升产品的产能。