硼离子注入退火过程对表面迁移率及薄层电阻的影响

本文利用与退火条件有关的离子注入杂质分布,得到了在硅中硼离子注入退火条件对载流子表面迁移率的影响。还得到了硼离子注入薄层电阻与注入条件及退火情况的关系。在这些关系中,注入剂量对迁移率及薄层电阻有最主要的影响。这些结果可在设计和制造VLSI中用以确定工艺条件。     

全方位离子注入技术

等离子体离子注入(PII)是一种用于材料表面改性的新型离子注入技术。PII分为两类,用于金属表面改性时称为等离子体源离子注入技术(PSII),用于半导体材料表面改性时称为等离子体浸没离子注入(PIII)。本文介绍一种新的PII技术,称为全方位离子注入(All Orientation Ion Implantation),采用横磁瓶电子迴旋共振等离子体源,样品上的负高压可以是直流、交流或脉冲方式,本装置可以工作在离子注入和动态离子束混合两种模式。     

红外辐照退火砷离子注入硅的后热处理特性研究

本文研究了硅中砷离子注入层经红外辐照退火后的热处理特性,测量了表面薄层电阻随后热处理温度的变化关系.实验结果表明,对于红外辐照~(75)As离子注入样品,表面薄层电阻随后热处理温度的升高而发生规律性的变化,在900℃附近达到最小值,此时注入杂质的电激活率大于100%.     

TiAl金属间化合物合金的激光气体合金化表面改性研究

对TiAl金属间化合物合金进行激光气体合金化表面改性.在激光表面改性层中成功地制得了以高硬度氮化钛为增强相的新型快速凝固“原位”耐磨复合材料.激光表面改性层厚度及显微组织与显微硬度均受激光处理工艺参数的控制.初步试验结果表明,激光气体合金化是一种很有前途的提高TiAl金属间化合物合金耐磨性的表面改性新技术.     

离子束辅助低能碳离子注入工艺原理

离子束辅助低能碳离子注入是在低能含碳离子束轰击样品表面并沉积膜层的同时采用中能离子束辅助轰击注入，它可在低温下将碳离子注入到样品表层足够的深度，其注入深度比动态离子束混合(DIM)增加1～2倍。离子束流实行交替变化，有利于保持较低的样品基体温度，且比恒束流注入的深度有明显增加。它对材料表面改性效果明显优于DIM工艺，离子注入改性后，40Cr钢表面显微硬度HV可提高一倍左右。     

利用射频与高压直接耦合等离子体注入进行不锈钢表面改性

介绍了一种新的等离子体离子注入在不锈钢表面改性上的应用.将高压脉冲和射频脉冲直接耦合到工件上,不需外部等离子体源,利用工件自身加射频产生等离子体,随后施加高压对不锈钢表面进行了注氮处理.XPS分析显示,在基体表面有氮元素存在,说明实现了射频与高压直接耦合的离子注入效果.进一步研究表明,等离子体离子注入后,在不锈铜基体表层形成了Cr2O3以及CrN,FeN等硬质相,因此处理后的试件耐摩擦、磨损和耐腐蚀性能得到了较大提高.同时研究显示,射频脉冲宽度或射频与高压相位的改变对摩擦系数影响不大.     

离子注入金属材料表面改性

本文着重叙述了最近以来离子注入金属材料改性新的进展。离子注入金属的研究,其研究对象品种繁多,需要高注量,且样品形状复杂,因此离子注入金属中的物理问题比半导体离子注入更加复杂。包括各种离子注入多种金属所出现的溅射腐蚀、倾斜注入、特球形状注入、离子浓度分布、注入条件与金属相变的关系以及离子注入提高耐磨损机理等诸多难题。离子注入金属材料改性研究近年来极为活跃,已发表了不少评论文章。希望这篇评论能对从事离子束材料改性工作的人员有所帮助。     

硅中硼离子注入层的卤钨灯辐照快速退火研究

本文研究了SiO_2掩蔽膜硼离子注入硅的卤钨灯辐照快速退火,测量了注入层表面薄层电阻与退火温度及退火时间的关系,得到了最佳的退火条件。对于采用920(?)SiO_2膜,25keV、1×10~(15)cm~(-2)的~(11)B离子注入样品,经不同时间卤钨灯辐照退火后,测量了注入层的载流子浓度分布,并与950℃、30分钟常规炉退火作了比较。结果表明,卤钨灯辐照快速退火具有电激活率高、注入杂质再分布小以及快速、实用等优点。     

离子注入改性聚合物光电性能的研究进展

近些年来,离子注入改性聚合物在光学和电学领域的应用研究越来越受到人们广泛的关注.文章首先简要介绍了离子注入改性聚合物的基本原理,然后详细地综述了离子注入对聚合物的电导率、光学吸收特性、光学禁带宽度和非线性光学性能的影响.     

金属蒸气真空孤离子源及其束流密度分布

我们研制了一种金属蒸气真空孤(MEVVA)离子源。这是一种新型的强流金属离子源,特别适用于离子注入材料表面改性中。测量了该源的引出束流密度分布,并估算了束散角和发射度。