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为了改进0.02Pb(Y1/2Nb1/2 )O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y)PbZrO3 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对0.02Pb (Y1/2Nb1/2 )O3 -yPbTiO3 -(1- y- 0.02)PbZrO3 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Sr2+ 和Ba2+ 作为同价取代元素能够提高0.02Pb(Y1/2Nb1/2 ) O3 -yPbTiO3 -(1- 0.02- y) PbZrO3 系材料的机电耦合系数(kp、k33 、kt)、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Qm ; Li+ 、Cr3+ 、Mn2+ 、Ni3+ 、Fe3+ 等金属离子加入0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y) PbZrO3 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3 -yPbTiO3- (1- 0.02- y) PbZrO3 压电材料性能有促进作用。 相似文献
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为了改进0.02Pb(Y1/2Nb1/2 )O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y)PbZrO3 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对0.02Pb (Y1/2Nb1/2 )O3 -yPbTiO3 -(1- y- 0.02)PbZrO3 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Sr2+ 和Ba2+ 作为同价取代元素能够提高0.02Pb(Y1/2Nb1/2 ) O3 -yPbTiO3 -(1- 0.02- y) PbZrO3 系材料的机电耦合系数(kp、k33 、kt)、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Qm ; Li+ 、Cr3+ 、Mn2+ 、Ni3+ 、Fe3+ 等金属离子加入0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y) PbZrO3 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3 -yPbTiO3- (1- 0.02- y) PbZrO3 压电材料性能有促进作用。 相似文献
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MnO对改性钛酸铅陶瓷压电性能的影响 总被引:9,自引:0,他引:9
MnO对Pb_(1-x)Sr_x[(Sb_(1/2)Nb_(1/2))_yTi_(1-y)]O_3改性钛酸铅压电陶瓷兼有“软性”和“硬性”改性作用。实验表明,添加适当的MnO可以得到介电常数εr=240,机电耦合系数是kt=248.5%,机械品质因数Qm=1500,居里温度Tc=435℃的高稳定性压电陶瓷材料。该材料在高温及高频器件的应用方面有重要的应用价值。 相似文献
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(Na1/2Bi1/2)TiO3—SrTiO3无铅压电陶瓷的介电,压电性能 总被引:17,自引:2,他引:15
研究了(Na1/2Bi1/2)TiO3-SrTiO3二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Sr^2+的引入对NBT材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度TFA(180℃)以及居里温度TC(300℃)的影响都不大,但却较大幅度地降低了NBT材料的高顽场,从而使极化相对容易。(Na1/2Bi1/2)TiO-SrTiO3二元系的压电性能参数d33和kt分别达到100pC/N和0.45。 相似文献
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xPb(Y1/2Nb1/2)O3—yPbTiO3—zPbZrO3压电陶瓷的研究 总被引:4,自引:3,他引:1
对xPb(Y1/2Nb1/2)O3-yPbTiO3-zPbZrO3三元系陶瓷材料进行了研究,对其压电与介电性能进行了测量,发现该三元系材料在x=0.2~0.5,y=0.43~0.46,z=0.55~0.58,具有优异的压电性能,在该范围内,陶瓷材料的居里点在400℃以上,实验表明该材料是一种具有良好应用前景的压电材料。 相似文献
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PZN—PNN——PZT体系压电陶瓷 总被引:6,自引:3,他引:3
对PZN-PNN-PZT四元素统压电陶瓷组成与性能的关系进行了研究。通过Ca、Sr、Ba等元素对部分Pb的转换以及用Li2CO3、Sb2O3等适当掺杂改性,可获得相对介电常数ε33/ε0约7000,压电应变常数d33约800pC/N,机电耦合系数kp约0.65的一系列高性能压电陶瓷,是用于制作压电超声马达及各类高档压电电声器件的良好材料。 相似文献
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高温高频用改性PbTiO3压电陶瓷材料研究 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了Pb(Cd1/3Nb2/3)O3、Bi2/3(Cd1/3Nb2/3)O3以及Bi(Cd1/2Ti1/2)O3改性的PbTiO3陶瓷的高温高频压电性能。结果表明,对ABO3型钙钛矿结构的PbTiO3进行A、B位复合取代可得到压电性能优良,适合于高温高频应用的压电陶瓷材料。其优良的压电性能及较好的温度稳定性与A位取代的Bi3+离子价态、离子半径及B位取代的复合钙钛矿结构化合物较高的居里温度有关 相似文献
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涡街流量计用压电陶瓷材料的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在分析Pb(Ti,Zr)O3+BiFeO3+Sr(Cu1/3Nb2/3)O3以及Pb[(Zn1/3Nb2/3)(Ti,Zr)]O3系列压电性能的基础上,通过调整系统中的锆钛比,得到压电性能参数满足要求的涡街流量计用压电陶瓷材料。 相似文献
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NBT-Ba(NbO3)2无铅压电陶瓷的压电介电性能 总被引:2,自引:1,他引:1
采用传统陶瓷制备方法,制备了一种新的(Na1/2Bi1/2)TiO3基无铅压电陶瓷(1-x)(Na1/2Bi1/2)TiO3-xBa(NbO3)2(摩尔分数x=0~1.4%)。X-射线衍射分析表明,所研究的组成均能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体。SEM观察结果表明,掺入Ba(NbO3)2促进了长条状晶粒的析出。不同频率下陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弛豫铁电体特征,且随着Ba(NbO3)2的增加,其弛豫性特征愈明显。检测了不同组成陶瓷的压电性能,发现材料的压电常数d33和平面机电耦合系数kp随着x值的增加先增加后降低,在x=0.6%时,陶瓷的d33=94 pC/N,kp=0.171,为所研究组成中的最大值,介电损耗tanδ则随x值的增加而增加。 相似文献
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Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3-LiTaO_3无铅压电陶瓷的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用传统固相反应合成法制备(1–x)Na0.5K0.5NbO3-xLiTaO3无铅压电陶瓷,研究了LiTaO3对Na0.5K0.5NbO3材料晶体结构和压电性能的影响。结果表明:随着LiTaO3含量的增加,材料逐渐由斜方相向四方相过渡。当x<0.06时,材料为斜方相;当x>0.06时,材料为四方相;并发现有未知相结构的Ta2O5存在;材料在x=0.06处为准同型相界,该组分材料具有良好的压电性能:d33=134~151 pC.N-1,kp=30%~38%,Qm=153,Nd=3 181 Hz.m. 相似文献
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预烧温度对0.363BiScO3-0.637PbTiO3高温压电陶瓷性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了不同预烧温度对反应烧结0.363BiScO3-0.637PbTi O3陶瓷的微观结构及压电介电性能的影响。根据0.363BiScO3-0.637PbTi O3的配方,通过热失重-差热分析判断Sc2O3、Bi2O3、Pb3O4、Ti O2粉末混合物分解、化合反应点和预烧温度范围;运用XRD、SEM研究了不同预烧温度下制备陶瓷样品的微观结构;通过压电介电性能测试,确定出最佳预烧工艺条件。结果表明,最佳的预烧条件为740℃保温2 h。经1 080℃、2 h烧成陶瓷的压电常数d33=308 pC/N,机电耦合系数kp=0.437,介电常数ε3T3/ε0=1 560,介电损耗tanδ=0.021,退极化温度TD=460℃。在此工艺条件下,该陶瓷性能优良、制备重复性好,在高温压电陶瓷传感器、换能器等方面显示出实用化前景。 相似文献
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Bi0.5(Na1-xKx)0.5TiO3系陶瓷的压电性质与微观结构 总被引:6,自引:0,他引:6
利用传统陶瓷工艺制备了Bi0.5(Na1-xKx)0.5TiO3系无铅压电陶瓷,研究了该陶瓷的压电性质与微结构。研究结果表明,Bi0.5(Na1-xKx)0.5TiO3陶瓷的压电常数d33=142.2 pC/N、机电耦合系数kp=0.315;随着K+含量的增加,陶瓷晶粒尺寸有细化的趋势;低K+含量时,陶瓷晶粒的“棱角”相当“钝化”,而高K+含量时,陶瓷晶粒的“棱角”明显而“尖锐”,K+促进了陶瓷晶粒在特定方向的生长;对Bi0.5(Na1-xKx)0.5TiO3陶瓷进行了A位离子改性研究,提出了新型的压电性质优良的BNT基无铅压电陶瓷体系。 相似文献
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采用传统陶瓷制备方法,制备出一种钙钛矿结构无铅新压电陶瓷材料(1-x)(Na1/2Bi1/2)TiO3-x(Na1/2Bi1/2)(Sb1/2Nb1/2)O3(x=0~1.4%,摩尔分数)。研究了(Na1/2Bi1/2)TiO3(NBT)陶瓷B位复合离子(Sb1/2Nb1/2)4 取代对介电和压电性能的影响。X-射线衍射分析表明,所研究的组成均能形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体。陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷在升温过程中存在两个介电常数温度峰,不同频率下陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弛豫铁电体特征。检测了不同组成陶瓷的压电性能,发现材料的压电常数d33、厚度机电耦合系数kt和介电常数rε随着x值的增加先增加后降低,在x=0.8%时,陶瓷的d33=97 pC/N,kt=0.50,为所研究组成中的最大值,介电损耗tanδ则随x值的增加而增加。 相似文献