MCM-C中厚膜电阻的寿命分布及退化规律的研究

重点研究了MCM-C基板的可靠性，包括厚膜电阻、基板布线以及互连通孔。试验采取加温度应力与电应力的双应力加速寿命试验。试验中发现，厚膜电阻的退化先于基本布线和互连通孔，故厚膜电阻的退化在MCM-C基板可靠性中起主要的作用；重点讨论了厚膜电阻在热电应力下的失效规律及寿命分布，试验结果表明厚膜电阻的寿命分布服从威布尔分布。     

3英寸锗基HgCdTe表面ZnS钝化膜的应力研究

针对大面积碲镉汞表面钝化膜的应力问题,基于磁控溅射技术在3 in Ge基碲镉汞表面采用不同工艺条件沉积了ZnS钝化膜,并对其进行了退火处理。利用台阶仪和原子力显微镜(AFM)对ZnS钝化膜的应力及表面形貌进行了表征分析,结果表明:在磁控溅射方法中适当提高沉积温度和降低溅射功率,有效降低了ZnS钝化膜应力,平均应力由原来的924 MPa减小到749 MPa,且提高了应力分布均匀性;此外,退火处理有效降低了钝化膜的应力,并改善了ZnS薄膜的晶粒大小一致性和致密度。该研究为减小大尺寸碲镉汞表面钝化膜应力提供了思路。     

锗膜沉积工艺的实验研究

实验研究发现,采用离子束辅助沉积技术能改进膜层的性能,消除或减小膜层的应力.由实验得到:为保证锗膜具有较好的光学性能和机械性能,基底温度须加热至约150℃;对锗膜比较适合的离子束能量约为150eV;束流密度约为50μA/cm~2.     

钝化膜应力对锑化铟器件性能的影响

随着InSb红外探测器关键尺寸的不断缩小,钝化膜应力的大小对器件I-V性能的影响越发明显。为了降低探测器芯片的应力,研究了一种由SiO₂ 和SiON组成的复合钝化膜体系。通过改变气体的射频时间,在InSb晶片上淀积厚度分别为300 nm、500 nm、700 nm和900 nm的钝化膜,测量并计算了不同厚度钝化膜的应力。当厚度为700 nm时,钝化膜的应力最小值为－1.78 MPa。研究了具有不同应力钝化膜的器件的I-V特性,发现厚度为700 nm时InSb芯片具有更加优异的I-V特性。通过调整复合钝化膜的厚度,降低了钝化膜的应力,有效地提升了InSb探测器的性能。     

氧化膜强化技术在钽电容器生产中的应用

采用氧化膜强化技术在钽阳极体外表面形成抗机械应力的强化氧化膜,并模拟钽电容器回流焊过程,研究回流焊前后钽电容器漏电流变化以及对击穿电压(BDV)的影响。试验结果显示:在回流焊安装前后,应用氧化膜强化技术的电容器漏电流增幅小于普通产品14%;耐BDV比普通产品高6 V。     

氧化锌铝透明导电膜

本文在对ZAO膜与ITO膜性能比较的基础上，综述了ZAO膜的应用前景、国内外研究现状和制备技术，给出了用直流反应磁控溅射法制备ZAO膜的最佳工艺参数和测得的光电性能。     

应力诱导碳纳米管电阻的变化

利用三点弯曲法研究了掺杂和末掺杂碳纳米管薄膜应力诱导电阻的变化。该研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学汽相沉积法合成的。实验结果表明，碳纳米管有显著的应力诱导电阻变化的效应。当应力从0．2GPa增加到1GPa时，膜的电阻相对变化从7％增加到11％，而非掺杂的薄膜电阻变化小于掺杂膜的情况。电阻随应力变化的原因也许是带隙变化(掺杂)和管之间接触电阻变化(非掺杂)所致。     

在铁氧材料上镀铜厚膜工艺及其性能的研究

本文对在铁氧体材料上镀铜厚膜工艺及其性能进行了研究，通过研究找出了在铁氧体材料上镀铜厚膜的工艺条件与膜的性能的关系，从而确定出在铁氧体材料上镀铜厚膜的最佳工艺条件。在铁氧体材料上镀铜厚膜是一个新工艺，它是提高铁氧体移相器的性能将起到促进作用，对铁氧体移相器的加工技术将产生巨大变革。本论文实验采用了磁控溅射的方法来制作铜厚膜，独立地改变实验参数，得出了随各种实验参数变化的实验曲线。     

光盘反射层纳米A1膜性能研究

利用原子力显微镜（AFM）和椭圆偏振仪研究了溅射条件对纳米Al薄膜性能的影响。研究表明，随溅射Ar气压的增大，纳米Al膜的表面粗糙度增加，折射率降低，反射率减小，这与薄膜的结构变化密切相关；随溅射功率的增大，纳米Al膜的表面粗糙度增加，而其光学常数的变化则不明显。     

采用常温CVD法淀积形成多层布线层间绝缘膜

一、前言VLSI必须采用多层布线技术。特别是在逻辑系列器件中，布线层数现已达到4层以上，这就要求布线更加微细、更加可靠。要解决应力迁移和电子迁移的问题。对于应力迁移最大问题是要降低层间绝缘膜生成后的残留应力和由于热循环而产生的热应力。本文介绍在以往难以采用的低温，特别是在常温下也能形成良好的SiO2系绝缘膜的常温CVD法以及在层间绝缘膜上的应用。二、以往的CVD技术以往，层间绝缘膜是采用等离子CVD法、光CVD法等淀积而成。但要得到优质的SiO2膜，衬底温度至少要达到300℃左右。近年来，已在广泛研讨采用有机硅化物…     

基于Matlab对Spice二极管特性受温度影响的研究

为了对Spice程序下的二极管模型的伏安特性和等效电容受温度变化的影响进行研究,在此以软件Matlab的仿真环境为基础,Spice二极管物理模型D1N4002为研究对象,在仿真软件Matlab中编写程序代码,建立了二极管模型D1N4002的伏安特性和等效电容的函数模型,绘制出不同温度下二极管伏安特性和等效电容的曲线,并结合仿真曲线对由温度变化产生的影响进行分析,得出了温度对二板管模型在反向击穿和正向导通状态下的伏安特性及等效电容有明显的影响这一结论。该研究方法以一个新颖的视角,运用Matlab构造特性函数,以温度为变量,研究了Spice二极管模型的特性,同时也为其他更加复杂的半导体器件特性的研究打下了基础。     

基于CAS的单点登录系统应用研究

随着信息系统的迅速发展,各类信息化应用系统逐步建立,但是各应用系统之间自成体系,从而导致了每使用一个系统就要重新登录一次,给用户的使用和管理员的管理带来了很多不便.本文研究基于CAS的单点登录系统应用,很好地解决了使用和管理困难问题,介绍了基于CAS的单点登录系统应用设计研究,系统采用用户管理LDAP轻量级目录服务、CAS中央认证服务,设计了一个统一管理界面,通过Web服务传递用户参数,实现了多应用系统的整合.     

提高超微粒乳剂分辨率的研究

对提高超微粒乳剂分辨率的问题进行了讨论,分析了影响分辨率的因素,提出了相应的解决办法.     

屏蔽对电子设备EMC性能影响分析

针对电磁兼容(Electromagnetic Compatibility,EMC)测试标准对电子设备机箱屏蔽效能的需求,首先从屏蔽机箱的反射损耗与吸收损耗等方面入手,分析了屏蔽机箱的屏蔽效能,描述了如何根据实际使用情况对屏蔽机箱的材料及其厚度进行选择。根据屏蔽机箱实际使用情况,分析了孔洞和缝隙对其屏蔽效能的影响。结合2个电子设备的EMC测试实例,分别描述了如何对屏蔽机箱上的孔洞和缝隙进行处理,从而提高设备的EMC性能。分析并讨论了如何在设计阶段采取措施,通过加强屏蔽,改善设备的EMC性能。     

电工学网络课件开发的研究

随着网络技术在教育中应用的广泛与深入,电工学课程改革势在必行。为此探讨与研究了如何应用现代网络技术手段,来进行电工学网络课件建设,以提高学习效果和教学质量。     

基于SOPC的EPON OLT端的研究

作为新一代的接入网技术,EPON将光纤通信应用于接入网领域,从而解决了长期以来困扰业界的接入网瓶颈问题.文章从SOPC的角度对EPON OLT端的控制芯片进行研究.结合ML310以及相应的软硬件开发工具,探讨高集成度的OLT控制器的实现问题.     

基于SIFT的图像建模算法研究

为解决飞行或航海模拟器中建模手段单一、真实感较差等问题,研究了基于SIFT的图像建模算法.该算法针对目前图像建模算法中存在的人工参入图像匹配负担较大问题,实现了基于尺度不变特征的图像自动匹配;针对重建物体视觉外观真实感较差问题,采用了图像融合算法首先对纹理图像进行处理,然后再进行纹理映射的方法.实验结果表明,算法具有较好的鲁棒性,生成的三维模型准确真实,较之以往算法具有建模简单、操作方便,真实感强的特点.     

信息化战场多传感平台应用探讨

多传感平台是实现未来信息化战场“网络中心战”概念的一组必要的装备系统．结合战争形态由机械化战争向信息化战争转变的趋势,分析了信息化战场多传感平台应用背景与要求,研究了其体系结构、信息融合方法和具体应用,为未来信息化战场多传感平台发展与使用提供依据。     

三向压电式动态车削测力仪的性能研究

基于压电式动态车削测力仪在测试过程中信号的动态监测与结果分析,采用有限元法对测力仪结构进行了热结构分析,得出其在切削热作用下温度场分布,同时采用模拟实验的方法对有限元分析结果进行了验证。从而得出测力仪在动态测试时,切削热对其性能的影响规律。两种方法均证明了切削热对压电车削测力仪的影响,为改进测力仪的结构提供了理论基础,对改善测力仪的性能起到了很好作用,可广泛用于传感器弹性元件优化设计工程。     

平视显示器的装机工程设计研究

介绍了平视显示器的装机工程设计过程中应遵循的一般设计准则,以保证平显安装定位后有较大的下视角和合理的总视场与瞬时视场位置关系.