光刻胶在场发射显示器(FED)制备中的应用

论述了光刻胶在场发射显示器制备中的应用，采用丝网印刷技术将光刻胶转移到镀有金属薄膜的玻璃基片上，利用紫外光对其进行光刻，通过视频显微镜对每一步实验过程进行观察和测试，以确定最佳实验工艺。结果表明，利用200目的丝网将光刻胶印刷至基片上．在85℃下保温60分钟，曝光55s，采用1％的25℃碳酸纳显影60s，110℃下固膜30分钟后．蚀刻出的金属电极精细整齐，为制备FED精细电极奠定了基础。     

现代显示技术的研究进展

结合其发光原理及特点分析了阴极射线管(CRT)显示器、液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、场发射显示器(FED)的市场走向,认为FED是一种最理想的显示器。对FED不同类型的阴极场发射阵列(FEA)进行比较,认为碳纳米管薄膜阴极是目前最有希望实现FED市场化的场发射体。     

下一代表面传导电子发射显示器

日本Canon和Toshiba公司已同意联合开发下一代大屏幕表面传导电子发射显示器(SED).这种显示器类似阴极射线管,即电子束照射荧光物质时发出的光.但是,它与阴极射线管不同,它不是用单电子枪控制照射荧光屏的电子束,而是它的每个像元都有一个小电子发射组件相对应.SED和场发射显示器(FED)的差别是电子发射元件的结构不同.在一个SED中,其表面上有两个相邻的电极,电极上镀有氧化钯超精细颗粒薄膜,电极与膜之间有纳米级的间隙.当在电极上施加电压时,由于隧道效应使用极之间导电,薄膜中受激电子散射到附在玻璃基底的荧光材料.     

刻蚀型介质后栅FED器件的研究

针对后栅型场致发射显示器(FED)器件介质层制作困难的问题,提出采用刻蚀型介质制作后栅型FED器件.该器件采用普通银浆制作栅极电极,以刻蚀型介质制作介质层,采用感光银浆制作阴极电极,并作为介质刻蚀的掩膜层,CNT为阴极发射材料.器件耐压测试结果表明该介质层耐压性能良好,场发射测试结果表明该器件场发射性能优良.     

大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极的研制

在洁净的玻璃基底溅射Cr-Cu-Cr复合薄膜,利用光刻和湿法刻蚀技术制备了大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极.讨论了不同腐蚀液对金属Cr刻蚀的影响,借助视频显微镜和台阶仪测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,用质量比为6∶3∶100的KMnO4、NaOH和H2O的混合液腐蚀Cr膜的刻蚀速率平稳,刻蚀后的Cr电极边缘整齐,内向侵蚀少.此外,分析了FeCl3刻蚀液对Cu膜的刻蚀机理,讨论了刻蚀液在静置和循环条件下对制备FED薄膜型精细电极的影响,借助视频显微镜测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,FeCl3刻蚀液在循环条件下刻蚀Cu膜速度均匀,刻蚀后电极边缘整齐.     

球状微米金刚石的制备过程及其场发射性能的研究

在纯平的陶瓷衬底上面,利用磁控溅射方法镀上一层金属钛。对金属钛层进行表面缺陷处理后,放入微波等离子体化学气相沉积腔中,利用正交实验方法制备出场发射性能最优的薄膜,通过扫描电镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等仪器,研究了薄膜的微观表面形态、结构组成等,得到了该薄膜是球状微米金刚石薄膜的结论。并进一步研究了最优场发射薄膜的发射机理。     

国外显示技术专利文摘

场发射装置 一本发明涉及一种场发射装置（FED），其具有四极透镜结构。该FED包括：后基板，阴极电极形成于其上；发射电子束的发射器，形成在该阴极电极上；栅电极，设置在该阴极电极的上表面之上，自该发射器引出电子；     

碳纤维表面化学镀覆Ni纳米薄膜制备及其FED器件场发射特性

文章利用化学镀在碳纤维CNFs表面制备了镍金属纳米薄膜,并对其FED器件场发射特性进行测试。结果证明,碳纤维化学镀镍之后,其场发射特性显著提高。当化学镀时间为30分钟,pH值为4.6时,碳纤维化学镀镍的增重率ΔG/G为49.5%,扫描电子显微镜（SEM）和能谱分析（EDS）研究表明,碳纤维CNFs表面覆镀的Ni金属薄膜表面平整、致密。当电压为832V时,出现亮点,当电压为1,456V时,场发射电流强度I为0.65mA。数值计算可得,镀镍碳纤维CNFs的场增强因子β为1,376,是碳纤维场增强因子的4.83倍。     

FED显示器色彩校正方法研究

利用SR-3A分光辐射计,测量了场发射显示器(FED)三基色256级灰度的亮度和色度特性.在分析FED显示特性的基础上,运用Grassman定律和Berns色度预测模型,建立了PAL 制D65光源的FED显示器色度还原算法的理论模型.实验验证表明,该模型实现了FED显示器色彩的真实还原.     

溅射工艺条件对氧化钒欧姆接触特性的影响

采用反应磁控溅射并在氧氛围下进行后退火处理的方式,制备了氧化钒薄膜.尝试了在氧化钒上以不同衬底温度和溅射功率等工艺条件溅射金属薄膜电极.通过对氧化钒-金属接触的电流-电压(I-V)测试的数据进行分析拟合,研究了氧化钒薄膜表面性质和测试偏压的变化对I-V特性曲线欧姆系数的影响.结果表明在化学计量比约为VO2.15的非晶氧化钒薄膜上,溅射的金属电极随着溅射功率和测试偏压的提高,I-V特性曲线的线性度得到了逐步的改善.通过比较Ni/Cr,Ti及Al不同金属电极的接触性能,提出了合理的欧姆接触工艺条件以及电极工作电压范围.     

GaAs表面旋转超声雾化清洗新技术

研究了一种新型湿法化学清洗半导体GaAs表面的方法。通过简单设计清洗工艺能使GaAs表面产生最低的损伤。GaAs表面清洗必须满足三个条件：(1)清除热力学不稳定因素和表面粘附的杂质,(2) 除去GaAs表面氧化层,(3)提供一个光滑平整的GaAs表面。本文采用旋转超声雾化方式用有机溶剂除去GaAs表面的杂质,再用NH4OH:H2O2:H2O= 1:1:10和HCl:H2O2:H2O=1:1:20顺次腐蚀非常薄的GaAs层,去除表面的金属污染,并在GaAs表面形成一个非常薄的氧化层表面,最后用NH4OH:H2O= 1:5溶液来清除GaAs表面氧化层。测试GaAs表面的特性,分别用X射线光电光谱仪、X射线全反射荧光光谱仪和原子力显微镜测试了GaAs表面氧化的组分、GaAs表面金属污染和GaAs表面形貌,测试结果表明通过旋转超声雾化技术清洗可提供表面无杂质污染、金属污染和表面非常光滑的GaAs衬底,以供外延生长。     

GaAs surface wet cleaning by a novel treatment in revolving ultrasonic atomization solution

A novel process for the wet cleaning of GaAs surface is presented. It is designed for technological simplicity and minimum damage generated within the GaAs surface. It combines GaAs cleaning with three conditions consisting of (1) removal of thermodynamically unstable species and (2) surface oxide layers must be completely removed after thermal cleaning, and (3) a smooth surface must be provided. Revolving ultrasonic atomization technology is adopted in the cleaning process. At first impurity removal is achieved by organic solvents; second NH_4OH : H_2O_2 : H_2O =1:1:10 solution and HCl : H_2O_2 : H_2O = 1:1:20 solution in succession to etch a very thin GaAs layer, the goal of the step is removing metallic contaminants and forming a very thin oxidation layer on the GaAs wafer surface;NH_4OH : H_2O =1:5 solution is used as the removed oxide layers in the end. The effectiveness of the process is demonstrated by the operation of the GaAs wafer. Characterization of the oxide composition was carried out by X-ray photoelectron spectroscopy. Metal-contamination and surface morphology was observed by a total reflection X-ray fluorescence spectroscopy and atomic force microscope. The research results show that the cleaned surface is without contamination or metal contamination. Also, the GaAs substrates surface is very smooth for epitaxial growth using the rotary ultrasonic atomization technology.     

光清洗技术在雷达微组装方面的应用

在生产雷达微电子组件时,由于各种原因,会在组件当中留下人体残留的油脂、头皮屑、焊膏的残留物和松香焊剂残留物等,这些多余物不仅可能对组件造成腐蚀,还会引起电路短路和电气误动,影响金丝键合的附着力,这些多余物不清洗干净将严重影响雷达微电子组件的长期工作寿命和使用可靠性。雷达微电子组件由于采用高度精密的微组装技术,显得既复杂...     

光学元件镀膜前高洁净度清洗工艺研究

研究了光学元件镀膜前超高洁净度要求的超声清洗工艺,在超声波清洗机的频率和功率一定的情况下,通过研究超声清洗剂、清洗温度、清洗时间等对光学元件超声清洗效果的影响,研制出有效清洗光学元件的清洗工艺,并保障超声清洗工艺对光学元件的表面状况无损伤。同时发现光学元件的放置时间会影响元件的清洗效果。超声清洗刚加工好的光学元件洁净效果较好,清洗时间较短;有6个月存放期的光学元件,表面颗粒污染很难洁净清洗。     

激光清洗工艺的发展现状与展望

综述了激光清洗技术的作用机理和发展现状,展望了该技术的应用前景。     

微通道板清洗技术

基于微通道板材料和结构特性,分析了微通道板工艺制造过程中表面污染物的来源,并对其成分进行分析和归类.针对污染物的不同类型和形态,提出了相应的物理、化学清洗方法,主要包括:有机溶剂清洗、清洗液清洗、超声清洗等技术.通过理论分析及实验总结找出了适用于微通道板不同工序的清洗技术及工艺参数,为提高微通道板的表观质量提供了有效的清洗方法.     

九工位智能超声波清洗机的实际应用

九工位智能超声波清洗机的开发和应用是北京真空电子器件研究所对清洗工艺技术改造的一种尝试。本文介绍了该清洗机的策划、设备性能、结构特点、控制能力以及实际应用效果。     

加热炉对流段炉管外表面化学清洗技术

加热炉在长期运行后其对流段炉管外表面积聚了大量的污垢，大大降低了对流段炉管的传热性能。本文详细地介绍了炉管外表面化学清洗技术及应用情况，采用自行研究的清洗工艺和药剂，可以有效地清除对流段炉管外表面污垢。现场应用效果非常理想：清洗过程中不腐蚀炉管、不损害炉衬，清洗液对环境无污染，清洗后炉管见金属本色、外表基本无污垢；开工后烟气出口温度比清洗前降低50℃～90℃，加热炉热效率提高5％左右。     

半导体元件清洗技术浅谈

随着社会的进步和科学技术的迅猛发展,对洗净技术的要求也越来越高。清洗方式多种多样,但最主要的是突出在喷射清洗和超声波清洗两大方面,应用于全国各行各业,并且也得到了明显进步。     

通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究

通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。