碳化硅材料磨削技术基础研究

为满足碳化硅材料的磨削要求,根据碳化硅材料的性能,研究了磨削工艺,并针对磨削中出现的技术难题,采取了油石在线修整的磨削工艺措施;试验结果表明使用树脂结合剂的金刚石砂轮和油石在线修整的磨削工艺,选择适合的磨削工艺参数可以达到对碳化硅材料磨削工艺要求,并取得了较好的实验效果。     

硅片背面减薄技术研究

硅片背面磨削减薄工艺中,机械磨削使硅片背面产生损伤,导致表面粗糙,且发生翘曲变形.分别采用粗磨、精磨、精磨后抛光和精磨后湿法腐蚀等四种不同背面减薄方法对15.24cm(6英寸)硅片进行了背面减薄,采用扫描电子显微镜对减薄后的硅片表面和截面形貌进行了表征,用原子力显微镜测试了硅片表面的粗糙度,用翘曲度测试仪测试了硅片的翘曲度.结果表明,经过粗磨与精磨后的硅片存在机械损伤,表面粗糙且翘曲度大,粗糙度分别为0.15和0.016 μm,翘曲度分别为147和109 μm;经过抛光和湿法腐蚀后的样品无表面损伤,粗糙度均小于0.01 μm,硅片翘曲度低于60 μm.     

影响方形非球面光学元件加工精度的工艺研究

分析了方形非球面光学元件磨削加工中产生四角塌边误差的原因,计算了方形非球面光学元件磨削加工时砂轮轴系两种安装方式的磨削系统刚度,讨论了砂轮轴系安装的位置对加工精度的影响,进行了砂轮轴系两种安装方式的方形光学元件磨削试验,以及不同砂轮型号、工艺参数的磨削试验,确定了能够满足方形非球面光学元件加工精度的砂轮轴系安装位置结构及磨削工艺参数。     

硅-硅直接键合后硅片的机械减薄过程北大核心

硅-硅直接键合硅片的机械减薄工艺对器件的性能有很大的影响。采用磨削、化学腐蚀和机械/化学抛光的方法对硅-硅直接键合硅片进行减薄加工,分析了减薄过程中各个工序键合片的平整度、弯曲度和翘曲度变化,并对减薄后硅片的厚度均匀性进行了考察。本次实验最终获得了几何参数良好、厚度满足要求且均匀的晶片。磨削过程会使弯曲度和翘曲度升高,可以通过化学腐蚀的方法降低弯曲度和翘曲度,化学腐蚀过程虽然使平整度升高,但可以通过机械/化学抛光的方法降低平整度。采用该减薄技术对直接键合硅片进行机械减薄具有可行性。     

电火花加工叶片变形研究

电火花床加工叶片产生热应力，组织应力，经磨削产生磨削应力，由于应力叠加使叶片变形超差，工艺改进达到设计要求。     

基于DOE优化光学玻璃晶片边缘磨削工艺

在光电器件的制造过程中,用光学玻璃晶片作为电路制作的基板材料。玻璃晶片通过在大面积的玻璃面板上划圆获得。划圆后会形成非常锐利的边缘,需要将锐利边缘磨削成圆弧形,以减少在后续加工中产生破损、崩边。在光学玻璃晶片的边缘磨削中,合适的玻璃晶片边缘磨削参数对于晶片边缘磨削后的崩边情况、磨削斜面宽度、中心误差等均有很大影响。利用DOE试验方法,光学玻璃晶片边缘磨削过程中有效减小崩边,并给出了影响因素,获得并验证了最优化的磨削工艺参数,减少了晶片磨削后的崩边破损。     

铸轧辊磨削工艺方法的探讨

介绍了铸轧辊磨削的工艺方法,以及其他厂磨削铸轧辊的经验。     

表面活性剂在P型锗片磨削工艺中的应用

由于锗材料具有优良的抗辐射性能,在航天领域获得了新的应用。在锗单晶片的磨削过程中,砂轮磨损产生的颗粒以及磨削下来的锗屑容易将砂轮阻塞,从而对锗单晶片表面的磨削纹路产生影响。通过试验,在去离子水管路上增加一条表面活性剂管路,可有效减少砂轮阻塞现象,降低砂轮修整的频率,提高了锗磨削片的表面质量。     

硅片旋转磨削法试验研究

提出了新的硅片磨削方法——硅片旋转磨削法。对新方法与已有方法进行了试验对比。试验表明,硅片旋转磨削方法具有一些明显优点。     

变速切割速度曲线对硅片翘曲度的影响

根据线切割机的工作原理,综合考虑了砂浆中磨料在磨削过程中的变化以及单晶直径的变化,确定了变速切割的工艺方法,同时考虑到125 mm单晶直径大、SIC磨削路线长、磨削发热量大,制定了包括线速度、耗线量、砂浆温度、砂浆流量以及各部分温度的工艺参数。通过该工艺参数进行了切割实验,验证了该工艺参数下切割的晶片可以满足要求。     

砂轮粒径对磨削后Si片表面形貌的影响

磨削工艺被广泛应用于大直径Si衬底的制备中,而由磨削带来的Si片表面损伤及形貌对后续加工有较大的影响.利用扫描电子显微镜、粗糙度仪、喇曼光谱仪等工具对经过2000#、3000#、8000#砂轮磨削的Si片表面损伤层厚度及表面形貌进行了一系列测试,通过对测试数据的分析,得到了不同粒径磨削砂轮的优缺点,在此基础上提出了将传统单步磨削工艺优化为2000#磨削+8000#磨削的两步加工工艺,该工艺既可以保证较高的Si片表面质量,又具有较高的生产效率.     

晶片边缘磨削控制方法研究

对半导体工艺中晶片的边缘磨削技术进行了论述,分析了晶片边缘磨削技术的特点,在此基础上,提出了一种高效、可靠的晶片边缘磨削方法.该方法基于单轴电机进给控制,通过控制软件来实现对晶片边缘及定位边的磨削.首先确定晶片定位边位置,然后通过精确控制承片台驱动电机的旋转角度来磨削晶片圆边,对于定位边的磨削,需要精确控制承片台驱动电机的旋转角度和进给电机的进给量,通过两电机联动控制,完成定位边磨削.该方法控制精度高,成功实现了在单轴电机驱动下的晶片圆边及定位边磨削.试验结果证明,该方法可靠、稳定、高效,并降低了设备硬件成本.     

厚膜混合集成电路可靠性技术

总结了混合集成电路的主要失效模式,在此基础上,主要从混合集成电路的设计和工艺两方面分析了其产生的原因,通过设计、工艺、原材料和元器件等方面采取对策和措施,达到提高混合集成电路可靠性的目的.     

磨削工艺对晶片表面粗糙度的影响

磨削工艺直接影响着磨削后晶片的参数,在这些参数中,表面粗糙度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一。分析了磨削工艺中砂轮粒度、砂轮进给速度对表面粗糙度的影响。     

高精度丝杠副加工工艺

本文主要介绍了用国产Y7520W万能螺纹磨床磨削螺纹后再研磨螺纹,及用专用丝攻攻螺母后再研磨螺纹;加工符合JB2886—81五级精度标准的M12×1(或M10×1)丝杠副的工艺方法及工艺措施。     

晶圆减薄机的研发及应用现状

介绍了硅片超精密磨削加工工艺的原理和特点,报告了国内外硅片超精密磨削技术与装备的研究与应用现状,强调了我国开展大直径硅片超精密磨削技术和装备研究的必要性。     

硫化铅红外探测器噪音极化技术质量攻关总结

我厂生产的硫化铅红外探测器自1982年以来出现噪音极化大量增加的现象。经过近一年的试验和采取了相应的工艺措施,使产品质量得到改善。在解决这一问题过程中,电子部11所通过用扫描电镜等理化检测手段,从理论上对我们确定的极化产生的结构部位,验证了采取的上下电极工艺措施的可行性。     

芯片背面磨削减薄技术研究

通过实验数据和实物照片列出了减薄工艺参数、检测结果;并结合实例研究了现代磨削减薄系统多采用的硅片自旋转磨削技术,探讨脆性材料进行延性域磨削的加工机理。     

浅谈静电及静电防护

介绍了静电的基本知识,简单分析了静电产生途径和静电对小体积多功能、快速度的集成电路（如手机电路板）的危害以及本公司所采取的有关防静电措施。     

超声磨削表面三维形貌建模与试验研究

为了研究超声磨削的工件三维形貌,建立了砂轮表面三维形貌,通过对超声磨削磨粒运动轨迹分析,建立了磨粒在工件表面的切削过程模型。提出了大量随机分布磨粒切削工件路径的离散算法和最小高度值包络曲面提取算法,实现了超声磨削表面三维形貌的建立。进行超声磨削试验,结果表明：该模型能有效预测超声磨削的表面形貌,为超声磨削的工艺优化提供了理论依据。