SiGe晶体管技术及在RF器件电路中的应用

介绍了在无线应用中的两种 Si Ge器件工艺 :低压 IC电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数 ,并且讨论了这些参数对于诸如功放和射频前端电路的影响     

估价MOS集成电路工艺和器件设计改进措施的分层结构

本文介绍一种把器件和工艺设计参数与具体的电路应用联系起来的分层结构,定出了这种结构所用的功能电路块的完整的清单,给出了这种结构用于重在设计型电路的例子。这些例子中所给出的实验数据显示出器件设计对特殊的电路应用的影响。另外,还给出了重在工艺型电路的实例,证明了工艺改进措施对具体电路应用的影响。这种分层结构以及器件和工艺的数据将有助于电路设计人员正确评价某些器件和工艺改进措施对特殊的电路和系统要求的影响。     

精密基准源LM199的恒温电路机辅分析

基于精密基准电压源LM199的解剖,对其恒温电路作了全面的计算机辅助分析。对器件灵敏度、容差范围进行了分析,并进行了电路优化、器件模型参数优选,提出了关键设计参数、电路工艺难点及可实现性。     

单边接地MESFET及其寄生效应的分析模型

本文介绍了栅宽为150μm和240μm两种单边接地MESFET制造工艺及其在单片电路中的应用。这种器件结构可减小器件占用的GaAs芯片面积,提高电路布线的灵活性,并已应用于12GHz低噪声放大器GaAs单片电路,取得了良好效果。本文也给出了这种器件寄生效应的分析模型,并计算讨论了栅靶、空气桥以及接地块等寄生元件对器件的散射参数和噪声参数的影响。     

单片电路应用的超低功耗E型GaAs MESFET研究

本文从器件的几何、材料和工艺参数出发，获得了低功耗低噪声增强型ＧａＡｓＭＥＦＥＴ模型的等效电路元件值。研究了器件的几何、材料和工艺参数及ＲＦ性能和直流功耗的关系，给出了ＥＦＥＴ物理参数的最佳取值范围，可为超低功微订成电路中有源器件的设计提供依据。     

一种用于双极电路ESD保护的SCR结构

针对目前双极电路的ESD保护需求,结合双极电路的特点和制造工艺,设计了一种可控硅整流器(SCR)结构.使用器件仿真工具MEDICI,对器件的结构参数进行了优化设计,得到的ESD电压大于3 kV,很好地满足了设计要求.     

2微米CMOS工艺工程技术研究

本文把工艺工程技术作为一个专门的技术领域,从集成电路制造工艺技术中分离出来,并对它进行了系统的分析研究。一个完整的大规模和超大规模集成电路制造工艺技术应包括两个大的方面:一个是单项工艺技术,另一个是工艺集成技术,亦即工艺工程技术。工艺工程技术包括:(1)器件设计,亦即器件的纵向横向结构参数和主要电参数的设计;(2)工艺设计规则设计;(3)器件电路的工艺流程设计     

提高晶闸管器件对di/dt的耐受能力的途径

介绍了晶闸管器件的通态电流上升率di/dt参数及其损坏晶闸管器件的机理，并进一步介绍了提高晶闸管器件的通态di/dt耐量的设计和工艺方法，及应用过程中限制晶闸管阳极电路的电流上升率，保护晶闸管器件的方法。     

CMOS工艺中横向双极型晶体管的直流与交流电学特性

在 CMOS工艺结构中,将位于阱中的 MOS 器件加适当的偏置,可以使其变为体内器件、以横向双极管的模式工作.本文利用 3μm P-well和 2μm N-well两种 CMOS工艺设计了这种横向双极器件,分析讨论了这种器件的工作原理和特点,并给出其典型的直流和交流参数的实验数据.这些分析和实验数据将有助于电路设计者了解和掌握该器件的电流、频率工作范围及特性,以便在CMOS电路中充分发挥其特长.     

基于遗传算法的开关电流存储电路的设计

针对开关电流存储电路存在固有误差和电路器件参数需要大量手工迭代计算等难题,提出基于遗传算法的开关电流存储电路设计方法.其主要思想是以Class AB栅极接地存储电路为基础,对其进行小信号模型分析,借助遗传算法对电路的电荷注入误差和时间响应性能进行多目标优化,获取电路中器件参数的最优Pareto解.采用0.5μm CMOS工艺参数,对电路进行PSPICE仿真测试.结果表明,优化设计的电路具有存储精度高、响应速度快等优点.     

非制冷铁电混合式红外焦平面探测器

介绍了国内非制冷铁电混合式红外焦平面探测器的最新研究进展,给出器件所采用的铁电材料的基本物理和电学特性参数、器件的热隔离技术和相应参数、读出电路的基本结构和性能,详细讨论了影响性能的关键参数和工艺,最后对试验结果进行了分析.     

500V高压集成电路LCH1016的研制

本文采用N阱硅栅CMOS工艺和自绝缘偏移栅高压MOS器件结构，研制出500V高压集成电路LCH1016，重点讨论了高压器件结构对击穿电压的影响及其导通电阻特性，给出了LCH1016的电路逻辑、版图设计及工艺参数控制。     

采用RDF的硅物理不可克隆函数设计与评估

利用65 nm CMOS制造工艺下的随机掺杂涨落(RDF)模型,建立起随机路径延时模型,通过修改台积电(TSMC) 65 nm低k电介质工艺器件模型库参数,完成了仲裁器型PUF电路的设计和评估.实验在Synopsys Hspice C-2010模拟设计平台上完成,测量了PUF电路的片间差异和片内差异参数,评估了128位PUF电路的性能.与实测电路参数的对比结果证明了该方法的有效性.     

实用线性IC电路模拟系统的开发

本文介绍了可广泛用于IC电路设计的线性IC电路模拟系统。主要叙述了电路模拟软件实用功能设计,新的器件模型的建立;叙述了把电路模拟与实际工艺结合起来的参数提取程序的设计。     

MEMS隧道加速度计的系统分析与设计

主要论述了一种新型体硅工艺MEMS隧道加速度计的系统分析与设计，对加速度计敏感头与伺服反馈电路组成的系统进行系统建模，其中包含了结构的模型和反馈控制电路的模型。以系统模型作为基础，分析了器件工作所必须的条件，对器件的结构参数和反馈控制电路的参数进行了设计，并给出了系统的静态与动态输出。另外，本文提出了参数敏感度因子的概念及其计算方法，利用这种方法可以对每一个参数计算其对应的敏感因子，从而为参数容差设计提供了依据。     

MEMS隧道加速度计的系统分析与设计

主要论述了一种新型体硅工艺MEMS隧道加速度计的系统分析与设计 ,对加速度计敏感头与伺服反馈电路组成的系统进行系统建模 ,其中包含了结构的模型和反馈控制电路的模型。以系统模型作为基础 ,分析了器件工作所必须的条件 ,对器件的结构参数和反馈控制电路的参数进行了设计 ,并给出了系统的静态与动态输出。另外 ,本文提出了参数敏感度因子的概念及其计算方法 ,利用这种方法可以对每一个参数计算其对应的敏感因子 ,从而为参数容差设计提供了依据     

MOS器件的窄沟道效应

本文阐述了MOS器件的窄沟道效应,窄沟道效应对MOS器件的阈值电压的影响以及与窄沟道效应有关的各种因素,并且通过在不同衬底偏置电压条件下测量一组不同沟道宽度的MOS器件的阈值电压的变化论证了这些现象和机理。本文还叙述了在实际的MOS器件电路制造中,合理地选择工艺参数和工艺条件,可以减弱窄沟道效应。     

DMOS器件和DMOS E/D集成电路

本文叙述了DMOS器件和DMOS E/D电路的结构和特点。提出了硅栅自对准等平面DMOS E/D电路的工艺方案,并给出了工艺参数。用这种方案在p型高阻<111>硅片上制造了E/D电路中常用的四种器件:增强型DMOS驱动管、耗尽NMOS负载管,双向DMOS传输门管及栅保护管。其中DMOS管是采用双扩散方法和普通的光刻技术制得的具有亚微米有效沟道长度的短沟道器件。电学参数测试表明,DMOS器件具有高增益因子、无穿通效应、小的漏结电容等优点。对9级环形振荡器测量的结果为:每级门的传播延迟时间为6.5～7.5毫微秒,最小功耗为8.4微瓦,功率延迟积为0.058微微焦耳。     

分立器件时间测量单元的研制

分立器件的时间参数测量是分立器件参数测量的重要组成部分,随着分立器件设计技术的不断提高,如何高效准确地测试分立器件的时间参数是分立器件交流参数测试研究的重点。本文介绍了时间参数测量电路,从频率可调的方波产生电路,到时间测量电路做了一个系统的描述,此时间测量单元的测试结果在JC90分立器件测试仪器上得到了正确的验证。     

MEMS隧道加速度计的系统分析与设计

主要论述了一种新型体硅工艺MEMS隧道加速度计的系统分析与设计,对加速度计敏感头与伺服反馈电路组成的系统进行系统建模,其中包含了结构的模型和反馈控制电路的模型.以系统模型作为基础,分析了器件工作所必须的条件,对器件的结构参数和反馈控制电路的参数进行了设计,并给出了系统的静态与动态输出.另外,本文提出了参数敏感度因子的概念及其计算方法,利用这种方法可以对每一个参数计算其对应的敏感因子,从而为参数容差设计提供了依据.