超细高纯TiO_2粉的新制法和分析

本文介绍了用液相沉淀法制备超细、高纯TiO_2粉的原理和操作过程。对所制TiO_2粉的各项参数的综合分析结果证明,用此法制备超细、高纯TiO_2粉不仅产品质量高,而且生产成本低。     

BaTiO3薄膜的水热合成与分析表征

采用水热合成法直接在高纯钛金属薄片上制备了BaTiO3薄膜;研究了水热反应温度对制备BaTiO3薄膜的影响;利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X-射线光电子能谱(XPS)对制备的薄膜进行分析表征。研究结果表明,当水热反应温度相对较低(低于200℃)时,得不到纯净的四方钙钛矿BaTiO3薄膜;在250℃下水热反应5 h,得到了纯净的四方钙钛矿BaTiO3薄膜,薄膜的晶粒呈球形,平均粒径为200~300 nm。     

激光引发化学气相合成Si3N4超细粉末

本文讨论了激光引发NH_3/SiH_4系统的化学气相合成高纯Si_3N_4超细粉未的实验参数和反应条件。在参考实验条件下,制备出粒径20nm、均匀球形、纯度98％的Si_3N_4粉末。     

电子陶瓷用高纯碳酸锶制备方法

对湿化学法合成高纯碳酸锶的几种制备方法（氯化锶法、硝酸锶法和氢氧化锶法）进行了研究，分析了制备条件对产品化学纯度、粒度及粒子形貌的影响，结果表明采用氢氧化锶精制碳化法可以制取化学纯度高、粒度分布窄、近似球形的高纯碳酸锶微粉。     

高纯超细BaTiO_3基PTCR陶瓷

水热法合成的ＢａＴｉＯ３粉体具有超细、高纯等特点，从而能够使ＰＴＣＲ热敏电阻器的制备工艺相对简化，并有利于获得较好性能的ＰＴＣＲ电阻器。本文采用水热法合成的ＢａＴｉＯ３粉体制备ＰＴＣＲ陶瓷。研究了不同添加剂对材料性能及微观结构的影响。     

B_4C还原法制备ZrB_2及其高温导电性研究

简要对比了几种制备ZrB_2的碳/硼热还原法,其中B_4C还原法原料简单、成本低廉、产物杂质易除,更容易制备高纯ZrB_2。在B4C还原法的基础上研究了不同反应摩尔比和不同合成温度对产物ZrB_2纯度的影响。研究表明,当B_4C与ZrO_2反应摩尔比为0.77、合成温度为1700℃时,可获得几乎无ZrO_2和B_2O_3杂质的高纯ZrB_2。最后,研究了不同反应摩尔比对ZrB_2的高温电导率的影响,结果表明,随ZrB_2纯度的增高,其电导率总体呈增大的趋势。     

高纯超细电子级球形石英粉研究

介绍了高纯超细球形石英粉的主要性能与用途,目前国内的研究开发现状和国际球形石英粉的生产现状。分析比较了高频等离子球化法、直流等离子体球化法、碳极电弧球化法、气体燃烧火焰球化法、高温熔融喷射以及化学合成球化法的工艺特点,并分析得出气体火焰球化法工艺简单,适宜大规模工业生产,产量已达500 kg/h,是最具潜力的球化工艺。     

络合沉淀法制备BaTiO_3超细粉末

在分析ＢａＴｉＯ_３前驱体形成机理的基础上，提出了以草酸作为络合剂，用络合沉淀法制备超细ＢａＴｉＯ_３新工艺。用化学分析法测定产物Ｂａ／Ｔｉ比，用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＢＩ－９０激光散射粒度仪对产物的晶型、粒度及形貌进行表征。结果表明：采用该法合成的前驱体，微观组分确定，粒径小，粒度分布窄，近似球形，煅烧后为高纯超细ＢａＴｉＯ_３粉末。     

高纯CaCO3匠合成及其对PTCR电性能的影响

高纯ＣａＣｏ３的合成方式对ＣａＣＯ３粒子形貌有较大影响，对ＰＴＣ陶瓷的电性能也存在一定的作用，其中以气液反应合成方式所得ＣａＣｏ３对ＰＴＣＲ较适宜。     

用溶胶-凝胶法制备锆钛酸铅微粉

采用丁醇钛,自制乙醇锆和醋酸铅原料,按四方相组成Zr:Ti=51:49,用溶胶-凝胶法成功地制备出锆钛酸铅超微粉末。用DTA、XRD及原子发射光谱等对粉末特性进行了分析。实验证明该粉末具有超细、高纯及合成温度低等优点。     

高纯SiC粉料中杂质浓度的控制和测试

采用燃烧合成法制备碳化硅(SiC)粉料,调整氢气和氩气体积流量比以及高纯氯化氢气体体积流量,使氮、铝和钒浓度低于二次离子质谱仪的检测下限,硼和钛浓度接近检测下限。使用制备的高纯SiC粉料生长单晶,获得电阻率大于1×10^9Ω·cm的衬底,粉料达到高纯半绝缘水平。通过研究发现,增加氢气体积流量可以降低粉料中的氮浓度,并使氮浓度低于检测限1×10^16 cm^-3,但是氢气体积流量过高会加重坩埚损耗,影响坩埚寿命和工艺稳定性;高纯氯化氢气体可以降低粉料中硼、铝、钒和钛的浓度,但其体积流量不宜过大,否则会引入新的氮杂质;粉料的色度a^*值与氮浓度呈反比关系,利用分光色差仪测试色度a^*值判断粉料氮浓度高低。     

ZnGeP2多晶合成爆炸原因分析与工艺改进

分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺。采用改进的单温区合成法,配合梯度降温冷却技术,有效地避免了ZnGeP2合成过程中的爆炸现象,实现了富余P与合成产物的有效分离。经X射线衍射仪、能量分散光谱仪测试表明:合成产物是高纯单相的ZnGeP2多晶材料。以此为原料,采用垂直布里奇曼法进行ZnGeP2晶体生长,获得了尺寸达Φ20 mm×60 mm外观完整、结晶性好的ZnGeP2单晶体。     

高纯CaCO3的合成及其对PTCR电性能的影响

高纯ＣａＣＯ３的合成方式对ＣａＣＯ３粒子形貌有较大影响，对ＰＴＣ陶瓷的电性能也存在一定的作用，其中以气液反应合成方式所得ＣａＣＯ３对ＰＴＣＲ较适宜。     

辐射探测器用高纯锗单晶技术研究

高纯锗单晶可以用作制备X射线辐射探测器。介绍了锗辐射探测器的研究现状与结构,论述了辐射探测器对高纯锗单晶的净杂质浓度、位错方面的要求。介绍了目前高纯锗生长主要的提纯方法和单晶生长方法,论述了以上这两种方法的主要技术特点。     

PZT-PMN压电陶瓷的制备和压电性能的研究

先驱体法制备了具有高纯钙钛矿相的Pb(Zr1/2Ti1/2)1-x(Nb2/3Mg1/3)xO3(PZT-PMN)体系压电陶瓷。按配比在650~800℃预烧合成了B位(ZrTiO4)1-x-(MgNb2O6)x的固溶体,X-射线衍射(XRD)分析表明了该B位先驱体氧化物在750℃预合成后呈类似ZrTiO4的单相结构,用该B位先驱体与PbCO3煅烧后可生成具有高纯的钙钛矿相的陶瓷粉料。通过对体系压电性能与配比x的关系研究发现,在准同型相界附近四方相一侧的配比x=0.1处,该系统压电性能达最大。通过掺杂Nb5 含量为0.02可使机电耦合系数(kp)达到0.637。     

高性能小数频率合成器的研究与设计

小数频率合成技术是实现高分辨率低噪声频率合成器的重要技术手段之一。在分析研究小数频率合成的基本原理及其杂散抑制技术方法上,基于通用灵活的设计思想,采用FPGA集成技术设计了一种基于-Δ调制技术的高性能小数分频器,利用该分频器实现的频率合成器,频率范围800~1 200 MHz,频率分辨率达到nHz量级,偏离主频10 kHz处单边带相位噪声优于-105 dBc/Hz,应用于某高纯微波合成信号发生器中,获得了令人满意的效果。     

纳米二氧化钛的液相合成

纳米二氧化钛因其化学性质稳定、难溶、无毒、无迁移性、成本低廉且具有光敏、气敏、压敏等特性,从而在电子陶瓷、半导体、催化剂、护肤品、效应颜料和传感材料等领域有着重要的应用。本文较深入地分析了溶胶-凝胶法、沉淀法、水解法、微乳液法和胶溶法等液相方法的特点以及它们的工业化新进展。在合成TiO_2的三大类工艺(气相法、液相法与高能球磨法)中,液相合成方法是最简单易行的工艺。     

分步沉淀法制备PbTiO_3粉体材料

本文提出了一种用氨水和(NH_4)_2CO_3为沉淀剂,分步沉淀制备PbTiO_3粉体材料的方法。并对所得产物进行了X射线衍射晶体结构分析和化学分析,证明合成产物为高纯PbTiO_3。     

微波合成铌酸钾钠系无铅压电陶瓷粉体的研究

分别采用微波加热法和电加热法合成了固相0.94(K0.5Na0.5)NbO3-0.06LiNbO3无铅压电陶瓷粉体,对比研究了两种不同合成工艺及其对陶瓷粉体相组成和微观形貌的影响.结果表明,较常规的电加热合成工艺,微波法可使合成温度降低达200 ℃,合成时间缩短至电热合成的1/20,可制备出形状规则,大小均匀,团聚较少的粉体,是一种具有很好应用前景的材料合成方法.     

蒽衍生物的合成及其电致发光特性

通过改进传统的方法合成了三种9,10-二取代蒽衍生物蓝色荧光材料.比较了用这三种材料作发光层所制得有机电致发光器件的光谱特性、电流-电压-亮度关系,并探讨了三种蒽衍生物材料在有机电致发光器件中的应用.研究结果表明,采用改进的方法合成的上述蓝色荧光材料具有原料易得、产物得率高、所制备器件性能好等特点.