醇胺对免清洗焊芯用助焊剂性能的影响

通过添加醇胺制备免清洗焊芯用助焊剂,研究了两种醇胺及其复配对助焊剂性能的影响。结果表明:添加适当的醇胺有利于降低助焊剂体系酸值,提高焊接性能,减少对线路板的腐蚀,提高焊接可靠性。使用任意一种醇胺,质量分数在1.0%~1.5%时,助焊剂的焊接性能较好,但酸值不能满足免清洗助焊剂的要求。两种醇胺进行复配,质量分数均为1.0%~1.5%时,助焊剂的综合性能优良,用无铅焊锡丝SnAg3.0Cu0.5测定其焊接性能,扩展率为79%,酸值148 mgKOH/g,铜板腐蚀、绝缘电阻、电迁移等可靠性指标较好。     

焊膏用免清洗助焊剂的制备与研究

根据免清洗助焊剂各组份的特点,分别对其活性剂、溶剂、成膜剂以及添加物进行筛选和处理.在一定温度下对各组份进行均匀化处理并制备出助焊剂,依据标准对所制备的焊剂进行性能测试.以自制的锡银铜系焊粉为基础制备焊膏并做焊接模拟.结果表明:采用有机酸和有机胺复配制备的活性物质满足预期要求;复配溶剂满足沸点、黏度和极性基团三大原则;所制备的免清洗焊剂多项性能满足规范要求,达到了免清洗的要求,解决了助焊性与腐蚀性的矛盾;所制备的焊膏焊接性能良好,无腐蚀,固体残留量低,存储寿命较长.     

水基无卤素无松香抗菌型免清洗助焊剂

以去离子水为溶剂、高沸点有机醇醚为助溶剂、有机酸为活化剂并使用复合表面活性剂研制成了一种无铅焊料用免清洗助焊剂,该助焊剂并含有一种天然的抗菌剂E以延长其保存期限。对该助焊剂的成分及配比进行了选择和优化,并对其性能进行了测试。结果表明,制备的免清洗助焊剂均匀透明,无刺激性气味,不含卤素,无腐蚀性,表面绝缘电阻大于1×108;将其用于SnAgCu系无铅焊料,焊接效果好,平均扩展率达到76.6%。     

一种醇基低固含量免清洗助焊剂的研制

通过无铅焊料的焊点铺展及润湿力实验考察了活性剂对助焊剂润湿性能的影响,并据此研制出了一种以乙醇为溶剂、以有机酸和有机胺为活性剂并使用复合表面活性剂的免清洗助焊剂.结果表明:使用复合表面活性剂的助焊剂的润湿效果要好于使用单一表面活性剂的助焊剂.其中,以使用Op-4与壬基酚聚氧乙烯醚质量比为8:1的复合表面活性剂的助焊剂的...     

表面活性剂复配对蓝宝石CMP后清洗效果的影响

为了去除蓝宝石化学机械抛光(CMP)后表面残留的抛光液,采用表面活性剂复配清洗法,选用非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚9 (AEO9)和阴离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠(AES)按不同质量比复配,并与酸碱清洗法进行了对比。对CMP后的蓝宝石进行超声辅助清洗实验,分析了不同复配比对于蓝宝石晶片清洗后表面接触角、表面形貌以及颗粒去除率的影响。结果表明:表面活性剂复配清洗法的清洗效果优于传统的酸碱清洗法,最优配比的表面活性剂复配清洗法的颗粒去除率较酸碱清洗法提升了31.17%;当表面活性剂复配清洗法中AEO9与AES复配比为1∶1时,清洗后的蓝宝石表面接触角最小,为21.6°,表面形貌最优,颗粒去除率达到99.65%,清洗效果最好。     

零卤免清洗助焊剂的研制

复配不同分解温度的零卤有机酸活化剂,同时添加一定量的其它成分,制备出的零卤免清洗助焊剂对Sn99.3Cu0.7无铅焊料的扩展率达到80.2%,铜板无腐蚀,焊后表面绝缘电阻最小值为3.8×10^11Ω.     

宇航用PCB组件的半水清洗工艺研究

PCB组件的清洗是宇航电子产品装联中的重要工序,清洗的质量对PCB组件的可靠性影响极大。针对焊丝手工焊接和免清洗焊膏的再流焊接两种焊接方式进行了全自动半水清洗工艺研究。结果显示随着清洗剂浓度增加清洗效果越好,对清洗后的PCB组件进行了表面离子污染测试,离子污染量仅为0.14μg/cm2;同时还对清洗过程对元器件的标识影响进行了分析,研制了新型的固定工装,防止在清洗过程中PCB组件移动,探索出采用聚酰亚胺胶带保护电连接器腔体,防止多余物进入。     

集成电路组装后的清洗与免清洗技术

从超声波清洗用清洗溶剂,特别是替代消耗臭氧层物质的氯化氟代碳（CFC）清洗溶剂等方面介绍了集成电路的清洗技术;还介绍了集成电路的免清洗工艺技术, 使用免清洗工艺技术对各道关键工序的控制及采用免清洗技术的主要优势。     

新型碱性清洗剂对BTA去除的研究

为了有效去除化学机械抛光(CMP)后清洗中的苯并三氮唑(BTA)沾污,分析了碱性清洗剂中FA/OⅡ型螯合剂和FA/OⅠ型表面活性剂对BTA去除的影响规律。铜光片上的单因素实验中,通过测试铜光片清洗前后铜表面与去离子水的接触角得出:FA/OⅡ型螯合剂是影响铜光片上BTA去除的主要因素,FA/OⅠ型表面活性剂对铜光片上BTA的去除有一定的作用。利用扫描电镜测试采用不同体积分数和不同配比的清洗液清洗后的图形片上的BTA沾污,通过对比清洗后铜光片上残留的BTA沾污数量可知,清洗剂中FA/OⅡ型螯合剂体积分数为0.01%和FA/O I型表面活性剂体积分数为0.25%时,清洗剂清洗BTA沾污效果最好,基本上无BTA沾污残留,并且清洗后未发现氧化铜颗粒和硅溶胶颗粒沾污。     

BDD 电化学结合表面活性剂的新型清洗方法

提出了一种新型抛光后的清洗方法,采用掺硼金刚石膜作阳极的电化学方法制备出氧化液,用其去除表面有机污染物,同时配合使用非离子表面活性剂去除表面固体颗粒.用金刚石膜电化学制备出氧化液,克服了单纯电化学氧化生成的强氧化性羟基自由基不稳定和寿命短等缺点,实现氧化能力持久保持.表面活性剂能有效地去除表面颗粒,清洗后Si片上会有残留物,氧化液可以将残留物去除.通过实验对比发现,这种新颖的清洗方法在颗粒和有机物去除上有很好的清洗效果,能够满足微电子工艺的发展需求.     

非离子表面活性剂在阻挡层CMP后清洗中去除颗粒作用的研究

本文对非离子表面活性剂在阻挡层CMP后清洗中对颗粒的去除作用进行了研究。实验过程中,通过改变活性剂的浓度,在12inch多层铜布线片上进行了一系列的实验来确定最佳的清洗效果。然后对活性剂在缺陷控制、颗粒去除,以及活性剂在清洗过程中所起的负面作用等方面进行了讨论。实验结果表明,非离子表面活性剂在阻挡层CMP后清洗中根据浓度的不同所起的正面、负面作用不同,从而为阻挡层CMP后清洗过程中非离子表面活性剂的加入起到一定的指导作用。     

无铅焊锡线中无卤素免清洗助焊剂的研制

研制了一种新的用于无铅焊锡线中的无卤素助焊剂,选取芳香族酸、二元羧酸以及有机胺为活性剂主要成分.并参考日本工业标准JIS-Z-3282-2000和相关国家标准GB/T 9491-2002对其进行了全面的性能测试.结果表明,该助焊剂在可焊性、绝缘性、腐蚀性等方面均符合标准.扩展率大于80%;表面绝缘阻抗大于1011Ω;无腐蚀性.且具有焊接效果良好、无卤素、无毒、环保,焊后免清洗等优点.     

聚合物太阳电池光敏薄膜的物理化学性质研究

采用不同化学溶剂制备了聚合物太阳电池的光敏层薄膜,通过接触角测试和表面自由能参数计算,研究了化学溶剂与光敏薄膜物理化学性质之间的关系.实验结果显示,用四氢呋喃溶液制备的光敏薄膜具有较大的表面极性度和极性分量;化学溶剂通过影响聚合物链的聚集状态,进而在一定程度上影响光敏薄膜的性质.另外,分析讨论了化学溶剂对电极/光敏层界面形成及其太阳电池性能的影响.研究结果表明,成膜溶剂的合理选择对于优化聚合物太阳电池的性能是至关重要的.     

硅衬底化学机械抛光后去除有机物残留的研究

化学机械抛光后,Si片表面残留有机物会影响清洗的综合效果,并会造成器件失效。针对上述问题提出了一种新的清洗方案,用金刚石膜电化学法制备氧化性强的过氧焦磷酸盐溶液,可有效氧化分解表面有机沾污,配合FA/O I型活性剂溶液进行预清洗,去除表面颗粒的同时降低了表面粗糙度。此外,过氧焦磷酸盐被还原成的焦磷酸盐具有很强的络合力,它能与Cu等金属离子络合,达到同时去除金属杂质的目的。研究了氧化液的体积分数对有机物清洗效果的影响,发现氧化液的体积分数为60%～100%时残留有机物去除效果最佳。作为一种新型的清洗方法,清洗效率高且成本低,操作简单可控且环保,符合新时期半导体清洗工艺的要求。     

有机/无机杂化SiO2/Si光波导薄膜的制备及表征

采用有机/无机杂化溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了SiO2光波导薄膜材料.采用甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷(MAPTMS)作为反应先躯体,四丙氧基锆(ZPO)作为调节折射率的材料,正丙醇(n-propyl alcohol)为溶剂,利用旋涂方法在Si基片上成膜,采取低温长时间、高温短时间的热处理方式,制备出无龟裂薄膜.分别采用棱镜耦合仪和原子力显微镜(AFM)研究了不同溶剂量和不同ZPO量情况下,薄膜的折射率、厚度以及表面形貌变化情况.研究结果表明:通过调节正丙醇的用量,可以实现薄膜厚度可控;通过调节ZPO的用量,可以实现薄膜折射率可控;薄膜的表面平整度非常好,在5μm× 5μm的扫描范围内,表面粗糙度小于0.430 nm,表面起伏度小于0.656 nm.     

前驱物性质对PMN-PT弛豫铁电薄膜制备的影响

以无机盐为原料,柠檬酸和EDTA为复合螯合剂,乙二醇为溶剂制备PMN-PT弛豫铁电薄膜,研究了复合金属有机盐前驱物的性质对薄膜结构和成膜质量的影响。结果表明:成膜的前驱物最佳浓度为0.35～0.40mol/L;苯甲酸添加剂参与溶胶的聚合,有利于钙钛矿结构相的形成。获得了均匀连续的近全钙钛矿结构相(≥99%)PMN-PT弛豫铁电薄膜。     

室温合成的钙钛矿量子点及其电致发光二极管

采用室温合成法制备出CsPbBr3钙钛矿量子点,并采用乙酸乙酯对量子点进行了一次、二次和三次清洗,以控制其表面配体密度。然后,利用合成并经过清洗的钙钛矿量子点制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/PTAA/CsPbBr3 QD/TPBi/LiF/Al的电致发光二极管(QLED)。研究了经不同清洗次数的量子点材料制备的器件的光电性能。结果表明,清洗2次的量子点在电荷注入与溶液稳定性之间得到平衡,利用其制备的钙钛矿QLED获得了最大亮度为1405cd/m²、外量子效率为0.6%、色坐标为(0.127,0.559)的绿光发射。     

非离子表面活性剂对助焊剂润湿性能的影响

在软钎焊免清洗助焊剂中分别添加了3种不同含量的非离子表面活性剂:TritonX—100、Tween—20和PEG2000,得到了3组助焊剂。使用这3组助焊剂和Sn0.7Cu无铅钎料在纯铜板上进行了铺展测试。结果表明,添加TritonX—100和添加Tween—20的质量分数均为0.6%时,钎料的润湿角最小值分别为30.07°和29.70°,铺展面积最大值分别为56.67mm2和58.53mm2;添加PEG2000质量分数为0.3%时,钎料的润湿角最小值为26.70°,铺展面积最大值为66.88mm2,比未添加时增加26.9%。适量加入非离子表面活性剂能够改善助焊剂的润湿性,并提高无铅钎料的铺展能力。     

窄间隙介质阻挡放电清除硅片表面颗粒污染物

硅片清洗技术已成为制备高技术电子产品的关键技术。采用窄间隙介质阻挡放电方法研制了低温氧等离子体源,把氧离解、电离、离解电离成O、O-、O+和O2(a1Δg)等低温氧等离子体,其中O-和O2(a1Δg)活性粒子进一步反应形成高质量浓度臭氧气体,再溶于酸性超净水中,用于去除硅片表面颗粒污染物。实验结果表明:当等离子体源输入功率为300 W时,臭氧气体质量浓度最高为316 mg/L;高质量浓度臭氧气体溶于pH值为3.8的超净水中形成臭氧超净水,质量浓度为62.4 mg/L;在硅片清洗槽内,高质量浓度臭氧超净水仅用30 s就可去除硅片表面的Cu、Fe、Ca、Ni和Ti等金属颗粒物,去除率分别为98.4%、95.2%、88.4%、85.2%和64.1%。本方法与目前普遍使用的RCA清洗法相比,具有无需大剂量化学试剂和多种液体化学品、清洗工艺简单、投资及运行成本低等优势。因此,窄间隙介质阻挡放电清洗硅片表面颗粒污染物技术具有广阔的市场应用前景。     

表面活性剂在纳米材料合成中的应用

阐述了表面活性剂分散机制及在纳米材料制备中的分散作用,介绍了以表面活性剂为基础的各种纳米材料制备方法的机理:如以表面活性剂形成的各种有序聚集体为模板的模板法、用表面活性剂稳定形成的微乳液为介质的微乳法、水热法、溶胶-凝胶法等。重点总结了表面活性剂在不同方法制备纳米材料中的最新性、前沿性的研究成果,并展望了表面活性剂在该领域中的应用前景。