离子阱中碳原子簇离子的碰撞反应

用激光溅射法产生并在射频离子阱中囚禁了碳原子簇离子，进而利用离子阱的质量选择存储和离子存储时间长等特点，研究了经过选择存储的碳原子簇离子在离子阱中的碰撞解离和碰撞缔合。根据碰撞解离的结果以及碰撞前后的焓变，分析了团簇离子发生碰撞解离的条件和吸热范围，以及团簇离子的囚禁工作点与碰撞活化的关系。在此基础上，进一步研究了团簇离子碰撞解离后的各碎片之间发生缔合反应的过程，探讨了计算有效碰撞截面的方法。     

用激光溅射的方法在离子阱中产生和囚禁碳原子团簇离子

利用激光溅射的方法，已经在离子阱中产生并囚禁了Ｃ＋ｎ（ｎ＝１～１３）原子团簇离子，并取得了溅射产生原子团簇的质量范围随激光脉冲能量的变化以及原子团簇离子的稳定存储随囚禁时间的变化关系等结果。囚禁时间可达２０ｓ。     

非线性囚禁离子振动模式互关联函数的研究

为了研究非线性对囚禁离子沿两个正交方向的振动模式之间的互相关函数的影响,采用理论分析和数值计算相结合的方法,对单个2维三能级囚禁离子与两个经典驻波激光相互作用的非线性双光子Jaynes-Cummings模型进行了严格求解,并对囚禁离子沿两个正交方向的振动模式之间的互相关函数进行了数值分析。结果表明,当初始平均量子数较小时,反关联效应随Lamb-Dicke参量的增大先是增强然后减弱,但是关联效应却随Lamb-Dicke参量的增大一直增强。随着初始平均量子数的增大,反关联效应会减弱直至消失;表征非线性效应的Lamb-Dicke参量和初始振动运动平均量子数对交叉关联有明显的影响。     

囚禁汞（199Hg+）离子Zeeman谱及磁场效应

囚禁汞离子的光微波双共振实验是开展汞离子微波频标的实验基础。二级Zeeman效应是影响频率稳定度和磁场效应的重要因素之一。利用光学微波双共振方法测量了囚禁199Hg+离子基态Zeeman分裂。通过减小微波扫描的频率范围,得到钟跃迁频率和谱线线宽。采用磁屏蔽材料（坡莫合金）对离子阱囚禁区域的磁场进行屏蔽。使得囚禁汞离子的钟跃迁谱线的线宽减小到1.5Hz。相对于无磁场屏蔽时,钟跃迁频率减小13.5Hz,并利用二级Zeeman效应估算出磁屏蔽后离子囚禁区域磁场大小为0.1高斯。     

激光溅射法在射频离子阱中产生和囚禁低能多电荷离子

用激光溅射金属氧化物的方法在射频离子阱中产生了Ｃｏ和Ｔｉ的多电荷离子,结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉离子束碰撞冷却方法,得到了稳定囚禁的低能（电子伏特能量）Ｃｏ３＋和Ｔｉ４＋离子。     

驻波场中囚禁离子的Wigner-Yanase偏态信息

研究了驻波场中囚禁离子的Wigner-Yanase偏态信息并得到了其恢复周期,发现此周期与离子布居数反转的恢复时间相同.对解析解与数值模拟进行分析,发现Wigner-Yanase偏态信息的恢复时间随Lamb-Dicke 参数的增大而减小,随离子平均振动声子数的增大而增大;当离子质心从驻波场波节移向波腹时,Wigner-Yanase 偏态信息的恢复时间变长.从理论上证明了囚禁离子振动态处于相干态时离子初始偏态信息恒为1/2,分析了离子与驻波激光场之间的量子纠缠特性.     

中性原子的磁囚禁技术及其最新发展与应用

本文就近二十年来国际上用于三维限制中性原子运动的磁囚禁原理、方案、特点及其最新发展进行了系统介绍与综述。根据构成磁阱的装置大小、磁场特征以及产生磁场方式的不同，可以将囚禁原子的各种磁阱分为宏观静磁囚禁、微观静磁囚禁和微波或交流磁囚禁三大类。最后，文章简单介绍了中性原子磁囚禁技术在玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)和原子芯片中的最新应用。     

激光强度涨落对两囚禁离子纠缠度的影响

囚禁离子的纠缠态在量子计算和量子信息方面有极为重要的应用。由于量子系统的特性，激光强度不可避免的发生涨落，其对囚禁离子的纠缠度有显著影响。从反J-C模型出发，利用共生纠缠度标准，分析了激光强度涨落对系统纠缠动力学的影响，并与利用J-C模型时的情形做了适当对比。结果显示：激光强度涨落产生的噪声使两离子纠缠度随时间呈现类似指数衰减；激光强度较弱时，利用正反J-C模型所得系统纠缠动力学有显著差别。     

铒掺杂钠铝硅玻璃成分对其光谱性质的影响

研究了Na2O含量对Na2O-Al2O3-SiO2(NAS)玻璃的光谱性质的影响。利用Judd-Ofelt(J-O)理论和吸收光谱计算了Er^3 掺杂的铝硅酸盐玻璃的Ωt参数、自发辐射几率和自发辐射寿命，分析了Ωt参数与Na2O含量的关系以及与吸收截面，Er^3 离子^4I13 2能级的自发辐射几率和荧光半峰全宽(FWHM)等性质的关系。随Na2O含量的增加．J-O参数Ωt(t=2，4，6)减小，Er^3 离子1533nm的吸收截面和荧光半峰全宽．Er^3 离子^4I13 2能级的自发辐射几率也减小，而Er^3 离子的荧光寿命增大。     

线型离子阱不同缓冲气体对汞离子的冷却效果研究

缓冲气体冷却是将离子阱中的离子云冷却的最有效和实用的办法,但缓冲气体的种类和数量是汞离子微波频标实验的关键技术。通过在马修方程中引入阻力项的方法,研究了线型离子阱中氦气、氖气、氩气对囚禁的汞离子的冷却效果,得到在氩气中汞离子运动的衰减时间是最短的。还研究了为使钟跃迁（40.5 GHz）的频率移动最小,所需氦气的压强为10-5 Torr,氖气的压强为2.4×10-5 Torr。考虑到缓冲气体对汞离子的冷却效率和对气体压强的敏感性,氖气要比氦气、氩气更适合作缓冲气体。     

空心新型光阱的实验研究

介绍了用锥镜法和取高级衍射光斑法来实现空心光阱的实验方法。用实验定性地证明了空心光阱轴向捕获力高于实心光阱。用图像分析法比较了空心光阱与实心光阱近中心横向光阱刚度 (光焦点附近小范围内的光阱横向刚性程度 ) ,表明同等条件下空心光阱的近中心横向光阱刚度弱于实心光阱。用流体力学法测量光阱的逃逸阱力随光功率的变化 ,表明同等条件下空心光阱的逃逸阱力大于实心光阱 ,因此空心光阱操纵微粒具有更高的稳定性。同时指出了空心光阱具有更低的热损伤 ,在低倍物镜下空心光阱具有更高的实用价值 ,以及空心光阱适于更加高精度的实验操作     

陷阱型双通带声表面波滤波器的设计

研究比较了几种陷阱型双通带声表面波滤波器的设计方法。实验表明，采用组合式均匀叉指换能器及变形多条耦合器元件可有效提高对陷阱频率的抑制。     

模块法设计FIR数字陷波器的一种新方法

在模块法设计ＦＩＲ数字滤波器的基础上，提出一种设计ＦＩＲ数字陷波器的新方法。该方法将数字陷波器等效成为一个全通滤波器减去一个由基本频率单元构成的点通滤波器，进而推导出计算数字陷波器冲激响应的数学公式。该方法具有公式简单、物理概念清晰，陷波点频率不受模块数取整的约束，便于连续控制陷波点频率的优点。与窗口法设计相比，在同等凹口宽度下具有阶数减半的优点。同时，该方法可以推广至带阻滤波器的设计。     

用于腔量子电动力学研究的铯原子双磁光阱

建立了铯原子双磁光阱(MOT)系统用来制备腔量子电动力学(Cavity-QED)实验所需的处于超高真空(UHV)环境中的冷原子。采用一束聚焦的连续激光束将气室磁光阱从背景铯蒸气中冷却并将俘获到的冷原子有效地输运到超高真空磁光阱,实现了铯原子双磁光阱。实验中研究了输运光束的失谐量对于超高真空磁光阱中的稳态冷原子数的影响,同时对气室磁光阱和超高真空磁光阱的装载过程作了分析。气室磁光阱和超高真空磁光阱的典型气压分别约为1×10-6Pa和8×10-8Pa,典型的稳态冷原子数分别约为5×107和5×106,冷原子等效温度约72±4μK。     

薄栅介质陷阱密度的求解和相关参数的提取

采用恒定电流应力对薄栅氧化层MOS电容进行了TDDB评价实验,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法.该方法根据电荷陷落的动态平衡方程,测量恒流应力下MOS电容的栅电压变化曲线和应力前后的高频C-V曲线变化求解陷阱密度.从实验中可以直接提取表征陷阱的动态参数.在此基础上,可以对器件的累积失效率进行精确的评估.     

SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析

采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 ,并获取所需的存储陷阱分布参数     

Trap characterization in buried-gate n-channel 6H-SiC JFETs

We present a detailed characterization of deep traps present in buried gate, n-channel 6H-SiC JFETs, based on transconductance measurements as a function of frequency. Four different deep levels have been identified, which are characterized by activation energies of 0.16, 0.18, 0.28, and 0.54 eV. Furthermore, based on the transconductance frequency dispersion features (upward or downward dispersion), we have been able to infer that three deep levels (0.16, 0.18 and 0.54 eV) are hole traps localized in the p-gate layer and one (0.28 eV) is an electron trap localized in the n-channel     

双光阱法测量光阱横向力场分布

提出了用双光阱法测量光阱外缘区力场的方法,建立了双光阱实验装置,其特点是利用一个光阱作为标尺完整测量待测光阱外缘区横向力场分布,测量空间分辨率为10 nm。结合流体力学方法,从实验上给出了完整的光阱横向力场分布。光阱横向力场分布的实验结果与理论计算相符合,对实验结果与理论值存在的差异也进行了分析和讨论,指出了除已有的理论计算采用的几何光学近似模型与实验条件有差别外,粒子在实验过程中伴随的轴向位移也是造成这种差异的主要原因。     

The Trap Technique

A full-scale quantum computer would work like the standard desktop computer, in that it would have a place to store data, a place where a program manipulates the data, and interconnections to move the data from one to the other. In the computer you are using now, bits of data - stored as quantity of charge or its absence - are transferred from memory to a processor in the form of levels of voltage. At the processor the computer's program determines which logic operations the bits will be subjected to. Once the logic operations are completed, the bits are converted to amounts of charge and stored in memory again. Similarly, in an ion-trap computer, stored qubits would be called from a storage trap to a logic trap, the kind we've been building so far. The two traps would be connected by a long trap that acts like an interconnect or a data bus. It sounds simple, but such a structure would have to be repeated and connected many dozens of times on the same chip to handle the number of ions we'd need. Therefore, a quantum computer equivalent of very-large-scale integration would be required to handle the control circuitry just to move the ions around. The small-scale quantum algorithms that scientists are running today and plan to run in the near future will almost certainly lead to insights that could make full-scale quantum computing, if not easy, at least more tractable.     

Trap density of silicon chlorine oxides

By measuring the ramp voltage I–V characteristics, we obtained the oxide trap density and capture cross-section for (O₂ + HCl) dry oxidized samples in the temperature range 900–1100°C. It was found that the oxide trap density increases with an increase in the oxidation temperature. The activation energy of oxide trap incorporation is of the order of 4 eV. The capture cross-section determined for the oxide traps is of the order of 10⁻¹⁴ cm².