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利用离子注入技术和氧气氛围高温退火制备了不同掺锌剂量的铌酸锂样品,并研究了锌离子浓度以及退火状态对铌酸锂晶体紫外和红外波段特性的影响。紫外波段,锌离子的注入使铌酸锂晶体的吸收边红移,退火后吸收边均与纯铌酸锂晶体的相同,锌离子的注入降低了铌酸锂晶体的透射率;红外波段,纯铌酸锂晶体分别在3486 cm-1、2851 cm-1和2917 cm-1处出现主次吸收峰,掺锌样品的主吸收峰位置与纯铌酸锂晶体相比发生微小的红移,X切向铌酸锂样品有明显的次吸收峰,而退火前Z切向铌酸锂样品的次吸收峰不明显,退火后吸收峰变锐利。锌离子的注入以及退火状态对铌酸锂晶体的透射率有影响,分别增强和减弱X切向和Z切向铌酸锂晶体的透射率。 相似文献
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用2W多线输出功率的氩离子激光器照射Sm-2/Sm-3掺杂铝硅基玻璃光纤能产生5.1×10-3%的永久性折射率变化。通过测定LP11模截止波长的偏移能检测该光纤的光敏特性,同时在可见光区域能观察到宽消感应吸收带。Sm掺杂光纤光敏特性是由多光子增强的Sm+2离子消感应吸收过程所致。 相似文献
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采用高温熔融淬火技术制备了1.0 mol% Tm3+离子和x mol% Er3+离子(x=0,0.5和1.5 mol%)掺杂 的系列碲酸盐玻璃,通过测量玻璃样品的差热扫描曲线(DSC)、X射线衍射(XRD)图和荧光光 谱,对不同 Er3+浓度下的玻璃物理性能和Tm3+离子荧光特性进行了研究。DSC结果显 示,研制的稀土掺杂碲酸盐玻璃 具有优异的热稳定性能,玻璃样品的析晶温度与转变温度之差大于130 ℃,而XRD图则证实了研制的玻璃 样品具有非晶结构特征。在808 nm泵浦激励下,随着Er3+离 子的引入,Tm3+离子3F4→3H6能级间跃迁产生 的1.85 μm波段荧光显著增强。当Er3+离子掺杂浓度为1.0 mol%时,荧光强度提高了约76%,荧光强度的 显著增强归因于Er3+离子和Tm3+离子之间的能量传递。然而,随着Er 3+离子掺杂浓度的继续增加,1.85 μm 波段荧光呈现出衰减现象,这归结于Er3+离子浓度的淬灭效应。研究表明,具有合 适浓度Er3+/Tm3+共掺碲 酸盐玻璃是一种应用于1.85 μm波段固体激光器和光纤放大器的理想 基质材料。 相似文献
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用2 W多线输出功率的氩离子激光器照射Sm~(+2)/Sm~(+3)掺杂铝硅基玻璃光纤能产生0.005 1%的永久性折射率变化。通过测定LP_(11)模截止波长偏移能检测该光纤的光敏特性,同时在可见光区域能观察到宽消感应吸收带。钐掺杂光纤光敏特性是由多光子增强的Sm~(+2)离子消感应吸收过程所致。 相似文献
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Yb3+对掺铒碲酸盐玻璃红外和上转换发光的影响 总被引:2,自引:3,他引:2
研制了Er3+/Yb3+共掺TeO2-ZnO-La2O3玻璃,测试了Er3+离子的吸收谱、荧光谱和上转换发光谱,系统研究了975 nm抽运下Yb3+离子对于Er3+离子1.5 μm波段荧光性能及其上转换发光性能的影响.结果表明,随着碲酸盐玻璃中Yb2Os含量的增加,Yb3+离子对Er3+离子的能量传递增强,Er3+离子1.5 μm波段的荧光强度和上转换发光强度相应增大,但后者相对于前者增加更为迅速.通过对粒子数速率方程的理论模拟,计算结果与实验测量结果较为一致,表明Er3+/Yb3+共掺碲酸盐玻璃是一种优良的潜在上转换激光器增益介质.对上转换发光分析表明,强烈的绿光和红光激发是基于双光子的吸收过程. 相似文献
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Pr3+/Yb3+共掺碲酸盐玻璃发光特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
根据Pr3 /Yb3 共掺碲酸盐玻璃在 980nm附近的吸收谱及 1.3 1μm处的发射谱 ,研究了玻璃样品光谱特性随稀土离子浓度变化的规律。结果表明 :在Yb3 离子浓度不变的情况下 ,1.3 1μm处的发光随着Pr3 离子浓度的增加 ,其强度先增后减 ,并在浓度为 0 .15mol%时达到最大值 ,同时根据Judd -Ofelt理论计算了稀土离子的光辐射特性 相似文献
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用2W爽线输出功率的氩离子激光器照射Sm^+2/Sm^+3掺杂铝硅基玻璃光纤能产生0.0051%的永久性折射率变化,通过测量LP11模截止波长偏移能检测该光纤的光敏特性,同时在可见光区域能观察到宽消感应吸收带,钐掺杂光纤光敏特征是由多光子增强的Sm^+2离子消感应吸收过程所致。 相似文献
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Li_2O-B_2O_3-SiO_2掺杂低温烧结CLST陶瓷的介电性能 总被引:3,自引:1,他引:2
通过Li2O-B2O3-SiO(2LBS)玻璃的有效掺杂,低温液相烧结制备了16CaO-9Li2O-12Sm2O3-63TiO(2CLST)陶瓷。研究了LBS掺杂量对其烧结性能、相组成及介电性能的影响。结果表明:通过掺杂LBS,使CLST陶瓷的烧结温度由1300℃降至1000℃,且无第二相生成。随LBS掺杂量的增加,tanδ显著降低,τf趋近于零。当w(LBS)为10%时,CLST陶瓷在1000℃烧结3h获得最佳介电性能:tanδ为0.0045,τf为4×10–6/℃,虽然εr由105.0降至71.0,但仍属于高εr范围。 相似文献
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掺钛和锆改性的钙硼硅系微晶玻璃之性能 总被引:1,自引:0,他引:1
以TiO2、ZrO2为改性剂,制备CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃。对其烧结和介电性能进行了研究,并采用XRD,SEM对微观结构进行了探讨。结果表明:添加适量的TiO2或是混合添加TiO2、ZrO2均能改善CaBSi系微晶玻璃的性能。混合添加比单一添加TiO2更有效。结合材料的烧结性能、介电性能和微观结构,以840℃烧成的添加w(TiO2)为2%、w(ZrO2)为2%的试样性能最佳,其εr为7.1、tanδ为3×10–3,在20~400℃之间的热膨胀系数为7.8×10–6℃–1。 相似文献
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掺CeO_2纳米MnO_2非对称超级电容器的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用化学共沉淀法制备出超级电容器用掺CeO2的MnO2电极材料,通过XRD、SEM对样品进行了表征,研究了掺杂量对MnO2电极稳定性能的影响。结果表明,产物主相为α-MnO2,粒度分布较均匀,在50~100nm;在6mol/L的KOH电解液中,该掺杂MnO2电极材料具有优良的电容行为和循环稳定性能。当掺CeO2量为10%(与MnO2的质量比)时,在电流密度为250mA/g时,比电容量达257.68F/g;循环500次,容量仅衰减1.18%。 相似文献
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Dan Terlep 《电子产品世界》2006,(13):94-98
本文提供了混频器的2×2杂散响应与IP2的关系及其在接收机设计中的应用.并以MAX9993有源混频器在UMTSWCDMA系统中的应用为例具体分析IP2与2×2杂散响应的关系. 相似文献
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SiO_2包覆纳米TiO_2的初步探讨 总被引:19,自引:0,他引:19
为了改善纳米TiO2的分散性,利用表面包覆技术,在TiO2的表面形成致密的SiO2膜,以达到改性的目的。讨论了SiO2包覆纳米TiO2的作用、机理和包覆工艺条件,并对包覆后的TiO2通过透射电子显微镜、Z-3000Zeta电位与粒度分布仪以及红外光谱分别进行分析。实验结果表明,包膜后的TiO2表面状态发生了变化,TiO2在水溶液中的分散性能得到明显改善。由红外光谱得知,这种包覆不仅是物理包覆,也是一种化学键合,在TiO2的表面形成Ti—O—Si键。 相似文献