国内首款30．5cm全彩AMOLED显示屏研制成功

近日,国内首款30．5cm有源驱动有机发光显示器（AMOLED）全彩显示屏在江苏昆山研制成功,这是目前国内自主研发的首款25．4cm以上OLED显示屏。大尺寸AMOLED是目前国际上平板显示技术开发的主要方向,韩国、日本及中国台湾地区都将其列为下一代最主要的显示技术并予以重点发展。30．5cm AMOLED全彩显示屏研制成功标志着我国AMOLED技术正式进入“大屏”时代。     

AMOLED驱动管阈值的补偿方法综述

有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)在显示技术中得到越来越广泛的应用,特别是AMOLED已经成为新一代显示技术发展方向,但是一系列影响AMOLED显示质量和寿命的问题需要得到解决。其中,AMOLED的驱动TFT的阈值电压偏移严重影响了AMOLED的性能。该文综述了当前几种典型的AMOLED的像素驱动结构及其驱动TFT阈值电压的补偿方法,并详细介绍其补偿原理。     

AM OLED:OLED的"明日之星"

本文对近期平板显示市场的一些变化,如液晶的大幅降价对PMOLED(被动式OLED)的冲击,AMOLED(主动式OLED)的最新变化及技术趋势进行了概括分析.     

OLED电视战 提前打响

近日,三星电子和LGD同时宣布将在年初的美国国际消费电子展览会(CES)上推出55英寸有机发光二极管(0LED)电视,并计划在2012年启动8.5代生产线用于大尺寸OLED面板的生产,这似乎宣告OLED时代已经来临。为了在新一代显示技术竞争中赢得话语权,日立、索尼和东芝成立合资公司致力于AMOLED高阶技术的研发,中国企业也不断加快     

钙钛矿发光稳定性研究——专访华南理工大学彭俊彪教授北大核心

彭俊彪教授是我国较早从事显示器件研究的科学家,2003年主持了高分子发光平板显示器件技术研究,2008年开始OLED显示驱动材料研发,2013年研制成功国内第一块稀土掺杂氧化物TFT的AMOLED柔性全彩高清显示器件.     

0LED新里程 国内首条AMOLED中试生产线建成

从工信部OLED产业发展研讨会上获悉,国内首条AMOLED（有源驱动有机发光显示）中试生产线在昆山建成,由维信诺公司和昆山工研院共同投资的昆山工研院新型平板显示技术中心主持建设,未来将完成从TFT背板到OLED器件的AMOLED全套技术开发,实现从中小尺寸到大尺寸AMOLED的小批量生产,     

德州仪器有机LED驱动器为2.5英寸便携式显示器提供高效供电

德州仪器(TI)宣布推出一款可显著改进2.5英寸小型显示器画质的有机发光二极管(OLED)电源驱动器,从而可充分满足新型显示技术不断发展的需求.TPS65136电源IC可支持用于移动电话,数码相机以及便携式媒体播放器等应用的有源矩阵OLED(AMOLED)显示器.     

宽色域TV型AMOLED显示器的系统设计

利用目前的技术,可以设计和制造出极具竞争力的TV型AMOLED显示器。在本文中,将详述系统设计需考虑的事项,如器件结构的选择（包括叠层式白色OLED发光装置）、具有TFT衰退补偿的底板技术[非晶硅（a—Si）底板]以及组件设计（针对长寿命、低成本而言）。这种结构的AMOLED显示器能够满足性能和寿命的要求,制造成本极具竞争力。采用一种一字型OLED沉淀机所制做的14英寸AMOLED显示器显示了此类性能。这种所选择的OLED技术适合于大尺寸的玻璃基板,可与目前的a—Si底板制造设备兼容。     

AMOLED用之a—Si与p—Si的比较

本文考查了具有a-Si TFT及LTPS TFT固有性能之OLED底板的性能。LTPS TFT显示了其在AMOLED显示应用巾之令人满意的稳定性,而a—Si AMOLED则表现出在驱动OLED方面具有更好的均匀能力。但是a—Si TFT在长期工作中的稳定性是令人难以接受的,并且尚有使a—SiTFT AMOLED商品化的关键问题需要解决。     

上海和辉光电有限公司

正和辉光电成立于2012年10月,是由上海市政府和金山区政府共同投资的上海市战略性新兴产业重点项目。公司专注于中小尺寸AMOLED显示屏量产和下一代显示技术的研发。一期投资总额60亿人民币,前期项目于2012年11月破土动工,预计2014年第四季度开始批量生产,建成后将成为国内第一条、设备最完善、技术最先进的第4.5代低温多晶硅(LTPS)AMOLED量产线,率先在AMOLED量产工艺领域取得突破。     

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板

用化学法在非晶硅表面形成Ni源，经金属诱导晶化（MIC）得到了大晶粒碟型多晶硅. 为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性，采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸除. 通过流程简化，采用6块版工艺，研制出125mm QVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.     

A poly-Si AMOLED display with high uniformity

An active-matrix organic light-emitting diode (AMOLED) display based on the polycrystalline silicon backplane technology has been fabricated that employs a new pixel circuit to compensate for the variation in the threshold voltage of the thin film transistors (TFT). The new pixel circuit also copes with the voltage drop in the supply line and a very high contrast ratio can be achieved. The uniformity of the new AMOLED display is remarkably improved compared with the basic two-TFT pixel structure, and it can be readily applied in the mass production of commercial AMOLED displays.     

Mirrored OLED pixel circuit for threshold voltage and mobility compensation with IGZO TFTs

In this paper, pixel circuit using mirroring structure with Indium–Gallium–Zinc oxide (IGZO) thin film transistors (TFTs) for active matrix organic light emitting diode (AMOLED) display is proposed. This pixel circuit consists of only four TFTs, and one capacitor. Due to the mirroring structure, characteristic of the driving TFT can be precisely sensed by the sensing TFT, which is deployed in a discharging path for gate electrode of the driving TFT. This discharging process is strongly dependent on threshold voltage (V_T) and effective mobility of the sensing TFT. Circuit operating details are discussed, and compensation effects for threshold voltage shift and mobility variations are verified through numerical derivation and SPICE simulations. Furthermore, compared with conventional schematics, the proposed pixel circuit might have much simplified external driving circuits, and it is a promising alternative solution of high performance AMOLED display.     

Leakage and charge injection optimization in a-Si AMOLED displays

In this paper, we examine the effect of switch thin-film transistor (TFT) leakage and charge injection on the operation and driving of amorphous silicon (a-Si) active matrix organic light-emitting diode (AMOLED) displays. Charge injection causes an undesirable and immediate drop in the data voltage stored on the storage capacitor CS when the switch TFT is turned off, and the leakage of the switch TFT causes the charge on CS to gradually leak out over the frame time. While making the row line negative helps reduce the leakage, it increases the voltage swing on the row line and causes more charge injection. We have demonstrated that for a given V/sub DD/, there is an optimal negative gate drive voltage on the switch TFT that minimizes the overall drop in data voltage on CS over the frame time. In addition, we have also shown that even though this optimal driving point changes with aging of the display since both leakage and V/sub T/ increase over time, it is possible to keep the voltage drop on C/sub S/ constant irrespective of aging. The analysis provides the designer with a means to improve the long term grey-scale performance of the AMOLED display.     

有源矩阵有机电致发光像素电路的研究进展

有源驱动方式的有机发光二极管（AMOLED）较之无源驱动方式易于实现高亮度和高分辨率、功耗更小,更适合大屏幕显示。但传统的两管驱动电路会出现驱动管阈值电压在整个屏幕上分布不均匀,或长时间加偏压后驱动管的阂值电压发生漂移。本文在两管驱动电路的基础上介绍了几种最近提出的补偿电路并描述了它们的改善效果及各自存在的问题。     

AMOLED屏上驱动电路的设计

提出一种基于AMOLED屏的行、列驱动电路的设计方法。该行、列驱动电路是由带两管a-SiTFT和一个存储电容的像素电路组成的AMOLED驱动,行驱动电路是由译码器组成,完成64行的逐行选通信号,列驱动电路由移位寄存器和数据选择器组成,整个系统设计实现128×64点阵AMOLED屏的屏上驱动电路,运用Tanner Pro软件完成对整个电路各部分的绘制,证明了设计的可行性与正确性。     

工艺路线对TFT工厂能源消耗的影响

为了在TFT工厂的设计、建设及运营阶段采取有针对性的节能降耗措施,有效降低器件制备过程中的能耗,本文根据我院多年从事TFT生产线节能评估工作的经验数据,针对不同技术路线,选取具有代表性的TFT-LCD及AMOLED生产线,并对其能耗进行对比分析,以讨论不同技术路线对TFT-LCD及AMOLED显示器件生产能耗的影响。分析结果表明:阵列制备是最主要用能工序,其制备复杂程度可采用光罩次数(Mask)表征。随着光罩次数的增加,器件制造对电力、氮气、新鲜水等能源及耗能工质的需求呈急剧增长:采用10-13Mask技术的LTPS及AMOLED显示器件,其综合能耗达到a-Si及Oxide技术路线的约350%之多;在不同技术路线下,电力均为最主要的用能需求,其消耗量占总能耗的80%~87%。能耗的增加导致用能成本的大幅上升。在国家大力提倡绿色经济的环境下,建议各大厂商采取科学有效的能耗管控措施,以降低能源消耗及用能成本,实现产业的健康可持续发展。     

Design and realization of a flexible QQVGA AMOLED display with organic TFTs

We present a QQVGA top emitting monochrome AMOLED display with 85dpi resolution using an organic TFT backplane on low temperature PEN-foil. The backplane process flow is based on a 7 layer photolithography process that yields a final mobility of the OTFT of ～0.4 cm²/Vs. The aperture ratio of the top-emitting OLEDs is over 75%. For operation at 10 V supply voltage (V_DD), the brightness of the display using red and green OLEDs exceeds 200 cd/m².     

高亮度LED步进投影光刻机及其量产应用

图形化蓝宝石衬底(PSS)工艺在改善GaN晶体外延生长质量以及提升LED器件发光提取效率方面作用显著,并被LED行业大量采用。针对高亮度LED量产线大量采用二手投影光刻机制备PSS衬底所面临的焦深不足、垂向控制容易离焦,以及运动台拼接精度不足等问题导致的PSS良率仅有70%~80%的现象,有针对性地在新研制的高亮度LED光刻机中采用最佳线宽/焦深选择技术、无缝拼接技术、Mapping垂向控制技术,使PSS的制造良率达到95%以上,极大地降低了PSS制造返工成本。同时,针对芯片细电极曝光需求,采用精密机器视觉对准技术,实现了芯片电极层1μm线宽下200 nm套刻精度。