图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制

采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。     

图形化蓝宝石衬底技术综述

采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED。基于已公开发表文献对用于高效LED制作的PSS技术做了综述,介绍了PSS技术演化、PSS的制作方法与主要的图形结构、PSS上GaN外延层生长机制以及PSS对LED性能的影响。PSS结构对LED的IQE与LEE均有提高,但对二者哪个提高更为有效没有定论,最近的研究结果倾向于以为对LEE提高更为有效。PSS对LED的IQE与LEE提高的机制目前并不是非常清楚,对公开发表的PSS对LEE的提高机制提出了不同看法。不同PSS结构与尺寸对GaN质量以及LED性能的影响方面的研究目前还非常缺乏。     

基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术

介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化。与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制。产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉。其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术。     

具有反射电极的高亮度LED芯片设计

根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片。实验结果表明,该反射电极的反射率比常规电极结构反射率高53.1%,电流阻挡层SiO2可以改进有源区的电流扩展,减小电流堆积效应,而Al作为反射镜可以降低电极对光的吸收,使其发光效率、光强分布、饱和特性曲线和发光角度明显优于常规电极结构。实验采用化学气相沉积(CVD)法配合电子束蒸发制备反射电极,芯片的光功率提高了5.6%,成功制备出高亮度LED芯片。     

具有ITO/Ti3O5薄膜结构的高亮度AlGaInP LED

采用ITO/Ti_3O_5薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层、窗口层、电流阻挡层和增透膜层。通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方无效电流注入,提高局域电流密度。通过ITO/Ti_3O_5增透膜设计提升LED的光提取效率。具有该ITO/Ti_3O_5薄膜结构的主波长621 nm的高亮度AlGaInP LED芯片(150μm×150μm)较传统结构芯片发光强度提升40%,20 mA注入电流下,电压均值在2.1 V左右。     

图形化蓝宝石衬底结构对GaN基LED发光性能的影响

为了研究图形化蓝宝石衬底(PSS)的结构和形貌对GaN基发光二极管(LED)光学性能的影响,对PSS的制备工艺和参数进 行了调控,从而 形成具有不同填充因子的蒙古包形PSS(HPSS)和金字塔形PSS(TPSS)两种衬底,用于生长 和制备蓝光LED 芯片。通过对TPSS-LED的光学性能测试和分析得到,随着PSS填充因子的增大, LED的 光输出功 率也增大;进而比较具有相同填充因子的HPSS和TPSS的光学性能表明,HPSS明显优于TPSS。 因此, PSS填充因子的增大,能够提高LED的光输出功率;优化PSS的结构可以改善LED中光出射途径 ,从而更有效提高LED的光发射效率。     

图形化蓝宝石衬底形貌对GaN基LED出光性能的影响

近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用.通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图形,并进行外延生长、芯片制备和封装验证,采用扫描电子显微镜(SEM)和3D轮廓仪进行形貌表征,研究了不同规格和形状的衬底图形对LED芯片出光性能影响,并与外购锥形衬底(PSSZ2)进行对比.结果表明,在20 mA工作电流下,PSSZ2的LED光通量为8.33 lm.采用类三角锥和盾形衬底的LED光通量分别为7.83 lm和7.67 lm,分别比PSSZ2衬底低6.00％和7.92％.对锥形形貌进行优化,采用高1.69 μm、直径2.62 μm、间距0.42 μm的锥形衬底(PSSZ3)的LED光通量为8.67 lm,比PSSZ2衬底高4.08％,优化的PSSZ3能有效地提高LED出光性能.     

发光二极管：高亮度,全色化,表面安装

发光二极管技术的现状和趋势 长期以来,全色化和高亮度化一直是发光二极管(LED)技术研究的主要课题。90年代以来,随着新材料新技术的开发成功,LED在多色化、高亮度显示方面取得了显著进展。目前,超高亮度(>1cd)的红色、橙色、黄色、绿色以及蓝色LED已用于户外大屏幕全色显示。镓铝砷红色LED最高亮度已达10cd,大量用于室外显示屏,日本东芝等公司已建立了生产10cd级LED的工艺和设备。利用InGaA1P四元固熔体作为发光材料,采用GaAs衬底和金属有机化学汽相淀积工艺,已制得了超高亮度的橙红色LED;采用同样结构和工艺技术的黄色超高亮     

高亮度LED驱动芯片概述

介绍了高亮度LED的特点和优势,以及LED驱动电路在LED照明系统中的重要性,阐述了LED驱动芯片的要求和功能模块的构成,分析了驱动芯片中几种典型电路,讨论了3种主要系列LED驱动芯片的优缺点以及高亮度LED驱动的发展趋势。     

国外白光LED技术与产业现状及发展趋势

近年来,LED技术与产业发展迅速,成为半导体制造行业的最大亮点.从技术和产业两个大的方面介绍了国外LED的发展现状、特点和趋势.介绍了产业化的两种衬底外延技术--蓝宝石衬底和SiC衬底,然后介绍了近年来出现的几种芯片技术、几大公司的芯片技术特点、常用的封装技术及其发展趋势目标等,最后介绍了LED器件的实验室水平和商业化生产的水平以及低成本LED的发展,总结了LED的技术发展趋势.产业方面、,主要介绍了LED生产线的分布、欧、美、日、韩等国的产业概况、公司封装产值排名及分析,最后总结了产业发展的特点与趋势.     

电极界面修饰对PLEDs器件性能的影响

为了研究阴阳极界面修饰对聚合物电致发光器件（PLEDs）性能的影响,文中以ITO/MEH-PPV/Al为原型器件,研究了氧化石墨烯（GO）或者氟化铯（CsF）阴极界面修饰,GO或者PEDOT∶PSS阳极界面修饰对器件性能改善的影响.结果显示：CsF在修饰阴极界面时起到了主导性作用,使得PLEDs的发光亮度显著提高,而GO在修饰阴极界面时却没有这样的效果;但实验发现,GO有望成为新一代的阳极界面修饰材料,替代PEDOT∶PSS修饰ITO阳极.     

200mm×200mm OLED步进投影曝光机

有机发光二极管(OLED)尤其是AMOLED由于其独特的性能,其可能成为下一代显示技术。目前AMOLED显示还未达到量产之前,200 mm×200 mm的研发线对于AMOLED技术工艺验证尤为重要。AMOLED对TFT曝光的要求(CD均匀性、套刻精度等)较TFT-LCD高。基于此,介绍了可用于OLED研发要求的步进投影曝光机SS B200/10A,实测数据及显示器件成功开发表明该设备能够很好地满足AMOLED工艺要求。     

LTE系统时频同步算法及其DSP实现

介绍了LTE—FDD系统主同步序列的产生,给出了一种基于主同步信道的时频同步算法,包括符号定时同步算法和频偏估计算法。定时同步算法引入了多径能量窗,并且根据LTE系统同步信道的特点,对多个同步信道上的相关值进行非相干合并,有效地提高了同步性能。对所给出的算法进行仿真,并采用DSP实现同步算法。仿真和实验结果表明,所给出的算法具有良好的性能,能够满足LTE系统对同步性能的要求。     

基于SOA—XGM的超宽带脉冲信号的光学产生法

超宽带技术（UWB）在无线通信、雷达、传感等多个领域有着重要的应用,由低损耗、高带宽的光纤传输的UWB光传输系统,即UWB over fiber,是目前国内外研究的热点课题,如何在光域中生成UWB信号是该系统的关键技术之一。为此提出了一种利用半导体光放大器（SOA）的交叉增益调制（XGM）效应和布拉格光纤光栅（FBG）...     

复发性阿弗他溃疡的中医证型与免疫的关系研究

目的：观察不同中医证型复发性阿弗他溃疡（Recurrent Aphthous Ulcer,RAU）患者的免疫状况,探讨其中医证型与免疫的关系,为临床医师初步判断RAU患者免疫状况及合理用药提供参考。方法：97例RAU患者按中医辨证的方法分成胃火上炎型、阴虚火旺型、心脾积热型和脾肾阳虚型,分别检测其体液免疫及细胞免疫,对结果进行统计分析。结果：①胃火上炎型的RAU患者人数最多（44.3%）。②RAU患者外周血细胞免疫指标总体表现为体液免疫正常和细胞免疫的降低,其中CD3、CD4、和CD4/CD8水平分别降低86.60%、79.38%、和76.29%）,③不同中医证型RAU患者组间比较显示：心脾积热型的CD3水平较其他三型低,组间差异具有统计学意义（P〈0.05）;脾肾阳虚型的CD3水平较其他三型高,组间差异具有统计学意义（P〈0.05）;阴虚火旺型的CD4、和CD4/CD8水平较胃火上炎型和脾肾阳虚型低,组间差异具有统计学意义（P〈0.05）;不同证型RAU患者的CD8水平差异无统计学意义（P〉0.05）。结论：RAU患者的免疫状态以细胞免疫紊乱为主：RAU患者的中医证型和免疫存在一定的相关性。     

GPS L2频率P(Y)码跟踪及FPGA实现

P(Y)码的稳定跟踪是GPS双频高精度接收机中必不可少的一项功能,也是接收机中的主要关键技术。由于P(Y)码含有未知的加密码且L2 P(Y)载噪比较低,实现L2 P(Y)码的载波跟踪有多种困难。为了实现高精度接收机的P(Y)码跟踪,采用了半无码跟踪(Z跟踪)技术,根据交叉相乘的原理,利用L1支路的短积分值获得的W码符号位,交叉相乘L2支路的短积分相关值,消除加密码W码的影响并采用长相干积分的方式,实现了L2 P(Y)的稳定跟踪。在硬件平台上实现了无周期P码的生成,交叉相关算法的实现,长相干积分以及P(Y)码捕获和跟踪等关键技术,并最终实现了在FPGA硬件平台上的稳定跟踪。     

干扰消除技术在CDMA网络中的应用

CDMA网络中存在前反向的多址干扰,降低了前反向容量。为了减少多址干扰对前反向容量的影响,对多址干扰产生的原因和机理进行深入分析,详细介绍了多用户检测技术和干扰消除技术。通过对造成干扰的所有用户信号信息进行检测,根据多址干扰信号的结构特征进行干扰消除和信号恢复,从而改善各个信号的信噪比,提高CDMA系统的前反向容量。重点介绍了准线性干扰消除技术QLIC（Quasi-Linear Interference Cancellation）和反向干扰消除技术RLIC（Reverse Link Interference Cancellation）的基本原理,分别对QLIC技术和RLIC技术的容量增益进行了理论推导,并计算了QLIC和RLIC对CDMA网络容量提升的程度。QLIC和RLIC是现有CDMA网络容量提升的重要技术手段,能够为运营商进行技术升级和网络部署提供重要参考。     

SVD和顶帽变换在舰船检测中的应用

提出了一种奇异值分解和顶帽变换在舰船检测中的应用方法.该方法利用了奇异值分解重构技术来抑制斑点噪声,同时通过使用项帽变换技术去除背景不均匀并提升目标的信杂噪比.奇异值分解重构去斑算法先对图像进行奇异值分解,然后经验选取一定数量的大特征值及其对应的特征向量进行重构图像,在尽量保持原图像中目标边缘信息的条件下可以有效地去除斑点噪声,同时海杂波区域得到了平滑;顶帽变换则有效地补偿了海浪带来的局部不均匀的背景亮度,提高了图像的信杂比,有利于目标的检测.仿真结果证明了算法的有效性.     

海面上电大尺寸目标电磁散射特性研究

基于几何光学法(GO)、物理光学法(PO)、射线弹跳法(SBR)和等效电流法(MEC),提出了一种快速计算金属海面上电大尺寸目标电磁散射的解析算法。该算法考虑了阴影效应,运用GO/PO+SBR计算了目标与海面的镜面反射以及它们之间的多次相互作用,并运用MEC计算了目标的棱边绕射以改进计算结果。应用该算法计算了平板上方规则金属目标的双站雷达散射截面(RCS),并与传统矩量法(MoM)进行比较,验证了算法的有效性。最后,计算了PM(Pierson-Moskowitz)海浪谱的随机海洋粗糙面上舰船模型目标的散射特性,并对计算结果进行了分析,讨论了海洋面以及入射波参数对散射结果的影响。     

基于UCC28061的交错并联BCM Boost PFC设计

采用UCC28061设计了一款工作在交错并联临界模式下300W的电源。交错并联的Boost PFC拓扑结构,能够大大减小输入电流纹波和输出电容电流纹波。实验结果表明,AC85-265V输入时,功率在300W时PF能够达到0.99以上,电流畸变率THD在3%以下。