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相似文献
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1.
介绍建立于MOS管平方特性,由28个CMOS管组成的四象限CMOS模拟乘法器。以P阱CMOS工艺制备的电路在电源电压1/3动态范围内,有最大线性误差小于2%的特性,乘法器带宽为62kHz,在±5V电源电压下,功耗为5mW,芯片面积为0.47mm2。  相似文献   

2.
一种通用型的目标数据仿真   总被引:5,自引:1,他引:4  
王霄红 《现代雷达》2004,26(4):32-34
给出了一种通用型的雷达目标模拟器 ,它能够方便直观的产生各种特征的三维目标轨迹 ,可实时离散出目标点迹 ,为雷达数据处理及精度分析提供数据来源。目标轨迹由一组特征点定义 ,修改方便 ,应用灵活  相似文献   

3.
提出了一种新型四象限CMOS模拟乘法器电路,其核心结构为线性化压控源耦对。基于MOSIS2μmp-阱CMOS工艺参数的PSPICE模拟结果表明:当电源电压为±5V,输入范围为±4V时,非线性误差小于0.9%,乘法运算误差小于1.0%;在±3V的人非线性误差小于0.4%,乘法运算误差小于0.7%;-3dB带宽一端为130MHZ,另一端为720MHZ;整个电路静态功耗为4.90mW。  相似文献   

4.
模拟硬件描述语言AHDLs及其发展   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   

5.
本文介绍了真空开关合闸时电极触头弹跳所引起的多次重燃现象的模拟研究。用“Mayer”型电弧方程式模拟多次重燃的电流和电压,模拟结果与实验结果相吻合。  相似文献   

6.
7.
东立 《微电子学》1994,24(3):72-73
从第41届ISSCC看模拟技术的发展东立摘编现已举行了41届的国际固体电路会议(ISSCC),是展示集成电路各个领域最新研究成果的舞台。在今年2月16日至18日在美国旧金山举行的第41届年会上,研究者们详细报告了自己的成果,数字方面有CMOS256M...  相似文献   

8.
本文综述了国内外模拟集成电路的发展动态,叙述了国内模拟集成电路与国外的主要差距,针对国内的具体情况,提出了发展我国模拟集成电路的观点对策。  相似文献   

9.
10.
11.
一种LCD驱动控制芯片设计研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文以液晶显示(LCD)控制驱动芯片为例,详细介绍了ASIC设计的流程.首先用TOP-DOWN方式对芯片系统进行整体功能划分,再以BOTTOM-UP方式进行原理图输入,最后进行芯片的功能,性能等各项模拟,并提交设计所需的网表和测试文档。  相似文献   

12.
本文叙述了全温(-55℃~+125℃)SB508AAK八选一模拟开关的工作原理、电路设计、版图设计及研制结果。该电路在±15V电源电压工作,±22V下不产生闭锁,按B_1级考核已通过1000小时寿命试验和机械振动实验。  相似文献   

13.
模拟电子技术教学方法的多样化   总被引:10,自引:1,他引:9  
“模拟电子技术”课程是一门重要的基础课程,围绕该课程的教学改革和探讨一直在进行中。本文在教学方法上作了一些有益的尝试,就板书与多媒体相结合的授课方法、学生入门的难点、设计性课题的必要性、学生兴趣的培养和教学过程中教师的视角等问题进行了较为深入的分析和探讨。教学实践表明,通过这些教学方法的尝试,可以提高学生对课程的兴趣,增强学生对知识的理解程度,收到了更好的教学效果。  相似文献   

14.
一种LCD驱动控制芯片设计研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文以液晶显示(LCD)控制驱动芯片为例,详细介绍了ASIC设计的流程,首先用TOP-DOWN方式对芯片系统进行整体功能划分,再以BOTTOM-UP方式进行原理图输入,最后进行芯片的功能,性能等各项模拟,并提交设计所需的网表和测试文档.  相似文献   

15.
三十而立,在产业集中度相对分散的模拟市场,Linear公司用30年的时间建立了年销售额近15亿美元的雄厚基础,与此同时,全球整个模拟市场的规模也从30年前的20亿美元增长到400多亿。"我们仅专注于高性能模拟产品市场,2000年时,Linear成为标准普尔500指数成员,今年是我们的第30个年头,我们全球4400  相似文献   

16.
管慧  汤玉生 《微电子学》1998,28(6):421-425
讨论了基于MOS晶体管亚阈值区特性的CMOS四象限模拟乘法器的设计。分析了四种乘法器核的直流传输特性,给出的PSPICE模拟结果验证了理论分析。模拟结果表明,对于电源电压为1.5V(或±1.5V),当输入电压范围限于±0.08V时,非线性误差小于1%;-3dB带宽约为340kHz,静态功耗小于1μW。给出的乘法器核可应用在便携式电子系统模拟信号处理电路中,特别适于在神经网络系统中的应用。  相似文献   

17.
李斌 《微电子学》1995,25(4):18-21
本文详细介绍了一种高压快速BiCMOS模拟开关的电路设计原理及版图优化设计。在模拟开关的基准源和电平转换部分均采用BiCMOS设计技术,使得该模拟开关在较长沟道长度下也能实现50ns以下的开关速度。同时通过对开关管版图的优化设计,使开关导通电阻小于50Ω。  相似文献   

18.
考核压电触发引信的工作性能,传统的方法是采用靶场实验的方法,这就要花费许多的人力和物力不说,还很难分析其具体的作用过程和故障原因,本文采用Autodyn有限元计算分析程序对弹碰目标过程进行了模拟仿真,清楚地再现了弹头的受力,变形过程,获得了弹头中的压力,应力,速度等各种力学参数的分布和时程图,还可以计算出压电引信在不同速度、不同目标介质,不同结构尺寸和材料的弹头的情况碰目标的灵敏度和瞬发度。通过高  相似文献   

19.
20.
电流补偿型CMOS四象限模拟乘法器   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文提出一种电流补偿型四象限模拟乘法器,该电路有两部分组成,第一部分是产生与输入电压Vx平方成正比的电流发生器。第二部分是迭式Gilbert单元。SPICE模拟结果表明在±5V电源下,两路输入信号在±3V范围内,其输出非线性小于0.9%。  相似文献   

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