MOSFET管的应用研究

Si C是一种新型的功率器件,来近几年广泛的运用于高温高频开关工作,相关的研究工作进展十分迅猛。笔者主要研究MOSFET管的特性以及参数,并通过能够适应宽范围温度的仿真模型进行模拟,对MOSFET单管的应用进行研究,分析了MOSFET对驱动电路的要求。最后根据MOSFET的工作原理进行应用分析,列举若干MOSFET管的常见应用。     

功率MOSFET管的热疲劳寿命预测

通过ANSYS有限元分析软件对TO-263器件功率MOSFET管进行电-热-机械耦合分析,并对其热疲劳寿命作出预测。首先进行了瞬态热分析,得出了芯片的热通量变化图,在此基础上进行模拟并通过Coffin-Manson定律预测功率MOSFET管的热疲劳寿命。结果表明,TO-263器件功率MOSFET管的热疲劳失效循环总数为6 113。     

功率MOSFET的特性分析及应用

本文介绍了功率MOSFET的结构特点;着重分析了功率MOSFET的开关特性、驱动要求、(dv)/(dt)特性、功率损耗及其保护。同时对国内外应用功率MOSFET研制的高频开关电源的电路及指标进行了介绍。另外,还讨论了功率MOSFET的另一种应用,即用功率MOSFET代替肖特基二极管作低压同步整流器。     

实际应用条件下Power MOSFET开关特性研究(下)

从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的MOSFET驱动电路具有指导意义。     

功率MOSFET参数测试仪的设计

功率MOSFET参数测试仪是用来测试功率MOSFET电特性参数的仪器设备（如阈值电压、跨导等）。以单片机为核心，介绍功率MOSFET参数测试仪的原理、设计及实现，设计了电特性参数测试的具体电路，编写了测试控制程序，通过对设计出的测试仪系统进行实验和调试，可以准确测量功率MOSFET的阈值电压、跨导、栅源漏电流、零栅压漏极电流及耐压。     

沟槽负斜角终端结构的耐压机理与击穿特性分析

对常用的场限环(FLR)和正、负斜角终端结构的耐压机理进行了简要分析,讨论了其结构参数的优化方法.基于GTR台面终端结构,在功率MOSFET中引入了一种类似的沟槽负斜角终端结构.利用1SE软件对其耐压机理和击穿特性进行了模拟与分析.结果表明,采用沟槽负斜角终端结构会使功率MOSFET的耐压达到其平行平面结击穿电压的92...     

横向结构深结功率MOSFET漂移区的优化设计

本文用解析方法找出了具有横向结构和深结的功率MOSFET漂移区中的电场分布。从这个分析出发,推导出了能取得最小串联电阻并保证有一定结击穿电压的偏置栅功率MOSFET中漂移区的最佳均匀表面掺杂浓度和掺杂深度。提出了这类MOSFET的设计规则。同计算机模拟的结果进行了比较,结果表明,这些结论对某些实际结构是合理的。     

基于Matlab/Simulink的SiC MOSFET建模与分析

针对现阶段SiC MOSFET建模研究无法应用在电机控制系统领域的现状,提出了一种基于Matlab/Simulink的SiC MOSFET仿真电路模型。对功率器件的动态特性和静态特性进行综合分析,采用非分段受控电流源模型模拟功率器件静态特性,具体分析SiC MOSFET的开关过程,同时采用曲线拟合的方法对影响器件开关过程的非线性电容进行表征,在Matlab/Simulink中建立SiC MOSFET等效电路模型。为了验证模型准确性,将仿真结果与数据手册中的数据进行比较分析,仿真结果表明所建模型可以较为准确地描述SiC MOSFET动、静态特性,开通时间和关断时间误差均小于7%,对比结果验证了模型的准确性和有效性。建立的模型为SiC MOSFET在电机控制策略仿真及应用领域提供了参考依据。     

同步整流功率MOSFET特性及研究现状

为了降低开关电源的功率损耗,同步整流技术采用功率MOSFET替代肖特基二极管,实现了更高的整流效率。简要介绍了同步整流技术的原理,并结合原理,深入分析了应用于同步整流的功率MOSFET与常规功率MOSFET在电学特性上的差异。总结了近年来同步整流功率MOSFET领域的研究进展。     

纳米级MOSFET的模拟

利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型，编制了流体动力学半导体器件模拟程序，并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟。模拟结果表明，改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求，用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计。     

低Rds(on)P沟道技术

功率MOSFET常用于便携和无线产品中，其应用包括电池保护、负载管理和DC-DC转换等。对于这些应用，功率MOSFET最重要的特性便是其漏极－源极导通电阻Rds(on)。Rds(on)较小的功率MOSFET能够延长电池寿命，提高功率转化效率。同时，便携产品(如手机以及PDA等)的尺寸也在缩小，因此需要减小功率MOSFET的封装尺寸。近年来，为同时减小Rds(on)和封装尺寸，生产这些功率MOSFET的硅技术有了很大的改进，功率MOSFET是典型的立式器件，漏极位于芯片的底部，源极和栅极位于上部表面。功率MOSFET经两次扩散过程制成，先进行一次体…     

高频横向功率MOSFET器件的特性评述

高频横向功率MOSFET是目前用于高压集成、功率集成的重要器件。本文对该器件的特性进行了评述。提供了各种LDMOS结构及其发展趋势,评述了不同结构的特性并与其它功率MOS器件进行了比较。     

双极双栅MOS晶体管静态特性解析模型的模拟与分析

提出了一种应用于VHF和UHF的新型功率电子器件－双极双栅MOS晶体管（BDGMOSFET）,该结构是在单栅MOSFET一侧引入双极型压控晶体管（BJMOSFET）,使之在正向工作时具有MOSFET和BJT的工作特性,通态电较小,同时,减少了寄生双极晶体管效应,改善了频率特性。文章对其静态特性的解析模型进行了详细研究,在该模型基础上运用通用电路模拟软件PSPICE的多瞬态分析法模拟了BDEMOSFET的直流特性,结果表明,在同等条件下,BDGMOSFET的电流密度比双栅MOSFET提高大约30％。     

基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程.开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程.在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加.米勒平台区对应着最大的负载电流.可变电阻区功率MOSFET漏极减小到额定的值.     

RF功率MOSFET产品及其工艺开发

本文简述了RF功率MOSFET器件的应用,分析了以LDMOSFET工艺为基础的RF功率MOSFET的功能特性、产品结构和制造工艺特点。文中结合6寸芯片生产线,设计了产品的制造工艺流程,分析了制造工艺的难点,并提出了解决方案。     

D类MOSFET在发射机射频功放中的应用

分析了MOSFET的开关特性，阐述了D类MOSFET在数字化调幅发射机射频功放电路中的应用方法，并对MOSFET的维护和测试进行了说明。     

[原创]T PWD13F60高密度600V功率驱动器解决方案

ST公司的PWD13F60是集成了栅极驱动器和四个N沟功率MOSFET(双半桥配置)高密度功率驱动器.功率MOSFET有320 mΩ的RDS(on)和600V漏-源击穿电压,主要用在工业和家用电器的马达驱动器,工厂自动化,HID镇流器,电源单元和DC/DC与DC/AC转换器.本文介绍了PWD13F60主要特性,框图,典型应用电路图,以及评估板EVALPWD13F60主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图.     

采用经验方法的功率MOSFET的SPICEⅡ子电路模型

功率MOSFET的精确模型对于CAD电路模拟并不广泛适用。本文介绍一种与SPICEⅡ软件相匹配并适合MOSFET端子测量的功率MOS子电路模型。本工作选择SPICEⅡ作为电路模拟程序,是因为它有普遍的使用价值,尽管也存在其固有的局限性。这些局限性可通过电路方法予以回避。鉴于子电路模拟功率MOSFET端予行为带有与SPICEⅡ相同的局限性,故它不同于有关文献中提供的物理模型。然而,它在模拟功率MOSFET的行为,尤其是动态开关性能、第三象限工作、雪崩模式的模拟及二极管恢复波形等方面,优越于先前进行的工作。     

微电子文摘

1 抗辐射加固技术WD93401 n沟功率MOSFET单事件烧毁的温度依赖性=Temperature dependence of single-event burnoutin n-channel power MOSFETs[刊.英]/Johnson.G.H.…//IEEE Trans.Nuel.Sci.-1992.39(6).-1605～1612对n沟MOSFET的单事件烧毁(SEB)与温度的依赖关系进行了实验研究和分析。文章介绍了实验所得的数据。实验表明,功率MOSFET对SEB的敏感度随温度的增加而下降。对以前报道的描述SEB机理的解析模型作了修改,以便把温度变化包括进去。修改后的模型已证明与实验趋势相一致。参9(微言)     

6H-SiC埋沟MOSFET的C-V解析模型研究

研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压特性,建立了解析模型.具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系,考虑了SiO2/SiC界面态及pn结对电容-电压特性的影响.对模型进行了仿真分析验证,结果表明:在假设界面态密度分布均匀条件下,由于对界面态做了简化处理,因而在耗尽模式及夹断模式下的C-V特性计算结果与实验结果有所差异.