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《中国无线电电子学文摘》2006,(4)
O462.32006040228多碱光阴极玻璃基底表面处理研究/曾桂林,周立伟,李晓峰(北京理工大学光电工程系)//激光与红外.―2005,35(7).―508~511.论文探索了光阴极玻璃基底的热清洁和离子清洁对提高光阴极灵敏度的影响。通过不同玻璃基底玻璃成分的研究,证明玻璃中的碱金属的含量会影 相似文献
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正 光阴极必须有一个窗口,让入射光透过它,然后投射到光阴极表面上;此外,由于光阴极很薄(厚度约几百埃到一千多埃),不能自支持,因此,必须有一个支持它的基底。在反射式光阴极的器件内,光阴极的窗口与基底是分开的;而在透射式光阴极的器件内,光阴极的窗口同时也是光阴极的基底。 光阴极的窗口(基底)材料通常都采用玻璃(包括普通玻璃,透紫外玻璃,纤维光学玻 相似文献
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本文分析了改进型四碱光阴极[Cs.Rb]Na_2KS~b的发射机理,提出了四碱光阴极的复合表面模型。该模型对提高光阴极灵敏度、改善光光电器件的性能都有很高的实用价值,并对上述实验结果给予了满意的解释。 相似文献
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利用XPS分析了GaAs光阴极高温退火、激活前后表面组分的变化,结合光阴极退火过程中通过四级质谱仪获取的CO2、H2O、O、As、Cs等分压曲线,比较、讨论了两次退火机理的差异。提出第二次加热的目的不仅在于清洁光阴极表面,更重要的是促使第一次激活在光阴极表面形成的偶极层向更稳定的结构转化,Cs2O偶极子在高温下与GaAs本底反应生成了可在光阴极表面稳定存在的GaAs-O-Cs偶极子,形成主要由键合强的GaAs(Zn)--Cs+、GaAs-O-Cs偶极子及靠范德瓦尔斯力附着在光阴极表面的Cs2O偶极子构成的偶极层。根据这一结论,解释了光阴极两次激活过程中光电流变化规律的差异。对理解光阴极激活及表面光电发射模型具有重要意义。 相似文献
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《电子科技文摘》2001,(2)
0101974X 光二极管阴极灵敏度标定[刊]/黄天暄//强激光与粒子束.—2000,12(4).—455~458(D)在北京正负电子对撞机同步辐射装置3WIB 光束线上标定了一批 X 光二极管的灵敏度。应用一个简单的模型描述真空 X 光二极管光阴极发射光电子的机制。同时,阴极表面粗糙度、氧和碳沾污可以解释金属光阴极的实际灵敏度曲线与模型预测的偏离。参5Y2000-62185-138 0101975采用曲线拟合优化方法确定 HSPICE IGBT 的动态参数=Determination of dynamic parameters for HSPICE 相似文献
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正 (一)前言 在常用的光阴极(Ag-O-Cs,Sb-Cs,Sb-K-Na-Cs)中,每一种光阴极均有其光谱响应曲线(工作波段)。各种光阴极的光谱响应曲线的形状各异,阈(长波截止波长)也各异。但短(短波起始波长)则取决于窗口玻璃材料对短波波长的透过率。总之,常用光阴极的光谱响应曲线随光阴极的材料而异,是无法预先设计的 相似文献
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研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响.通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品.其中一组采用了均匀掺杂的单层结构,Be掺杂浓度为1×1019cm-3;另一组采用了变掺杂的多层结构,从衬底开始Be的掺杂浓度依次为1×1019,7×1018,4×1018和1×1018cm-3.负电子亲和势光电阴极通过在高真空系统中交替通入Cs和O激活得到.在线光谱响应测试曲线表明,多层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度比单层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度至少提高了50%.两种结构的GaAs样品表现出不同的表面应力情况. 相似文献
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透射式光阴极的厚度,直接影响光阴极的光电子发射效率和光谱响应。本文讨论了光学吸收和光电子逸出深度与多碱光阴极厚度的关系;从理论上分析了透射式多碱光阴极的最佳厚度。并提出了确定最佳厚度的监测和计算方法。最后给出了多碱光阴极在几个给定工作波长的最佳厚度。 相似文献
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《红外技术》2018,(2):189-192
为了探究Cs、O激活电流对透射式GaAsP光阴极光谱响应特性的影响,通过光谱响应测试仪测试不同Cs、O电流激活后的透射式GaAsP光阴极光谱响应曲线,结果表明,随着铯氧蒸发电流比的减小,GaAsP光阴极光谱曲线的形状会发生一定的改变,长波响应能力逐渐降低、短波响应能力逐渐提高。利用双偶极层模型理论,分析认为铯氧蒸发电流比的改变影响了GaAsP光阴极表面势垒的形状,使得不同激发能量的光电子通过隧道效应穿越表面势垒宽度发生变化,从而影响GaAsP光阴极光谱响应特性。根据此现象对进一步提高GaAsP光阴极在530 nm特征波长的量子效率具有积极的意义。 相似文献
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正 (一)引言 迄今,在所有Sb的碱金属化合物光阴极中,性能最好的是Sb-K-Na-Cs光阴极,灵敏度最高达680A/lm,人阈为0.95m。延长人阈是光阴极的研究与生产者所关心的问题,本文就此问题提出讨论 相似文献
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定向离子清洗对基片表面性质的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
为提高高功率激光薄膜的抗激光损伤能力,研究了定向离子清洗对玻璃基片表面性质的影响。用End-Hall型离子源在不同清洗参数下对K9玻璃基片进行了清洗,用光学显微镜验证了基片的二次污染和离子的清洗效果,用静滴接触角仪测量了基片在离子清洗前后对水滴的接触角,用原子力显微镜和轮廓仪分别观测了不同参数的离子清洗前后的基片表面形貌和粗糙度,分析了基片清洗后表面性质如清洁、表面能、接触角、表面粗糙度、表面形貌的变化机理。研究表明定向离子清洗可有效去除二次污染、增加基片表面能、控制基片表面粗糙度和表面形貌,是一种有效改善基片表面性质的处理方法。 相似文献
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超二代和三代像增强器是两种不同技术的像增强器,其在光电阴极、减反膜、离子阻挡膜以及阴极电压方面存在区别。在极限分辨力方面,尽管三代像增强器GaAs光电阴极的电子初速小、出射角分布较窄以及阴极电压较高,但目前两种像增强器的极限分辨力均相同,三代像增强器GaAs光电阴极的优势在现有极限分辨力水平下并未得到发挥。在信噪比方面,尽管GaAs光电阴极具有更高的阴极灵敏度,但因为较高的阴极电压以及离子阻挡膜透过率的影响,使得两种像增强器的信噪比基本相同,三代像增强器GaAs光电阴极高灵敏度的优势也未得到发挥。在增益方面,尽管三代像增强器具有更高的阴极灵敏度以及较高的阴极电压,但超二代像增强器通过提高微通道板的工作电压来弥补阴极灵敏度以及阴极电压的不足,因此在现有像增强器增益的条件下,两种像增强器的增益完全相同。在等效背景照度方面,由于三代像增强器GaAs光电阴极的灵敏度更高,因此在相同光电阴极暗电流的条件下,三代像增强器可以获得更低的等效背景照度,所以三代像增强器较超二代像增强器具有更高的初始对比度。在光晕方面,由于三代像增强器光电阴极的灵敏度较高,同时具有离子阻挡膜,因此理论上讲,三代像增强器较超二代像增强器具有更高的光晕亮度,但实际的情况是两种像增强器的光晕亮度基本相同。在杂光方面,GaAs光电阴极具有减反膜,因此杂光较超二代像增强器低,所以三代像增强器的成像更清晰,层次感更好。在带外光谱响应方面,由于超二代像增强器Na2KSb(Cs)光电阴极的带外光谱响应高于三代像增强器,因此在近红外波段进行辅助照明时,超二代像增强器较三代像增强器成像性能更好。在低照度分辨力方面,具有相同性能参数的超二代和三代像增强器具有相同的低照度分辨力。需要注意的是,这是在标准A光源测试条件下所得出的结论。当实际的环境发射光谱分布与标准A光源发射光谱分布不相同时,两种像增强器的低照度分辨力将会不同。 相似文献
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影响清洗效果的因素分析 总被引:1,自引:0,他引:1
首先,通过仪器分析,对产品表面的颗粒进行分析归类,确认颗粒主要为玻璃渣、灰尘、托盘残渣。然后,利用正交设计实验,对清洗工序影响清洗效果的因素进行实验分析,最终确定影响清洗效果的主要因素为超声波、洗剂类型、清洗时间。 相似文献
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ZnO 薄膜是一种新型的宽带隙透明氧化物薄膜材料,具有优良的物理和化学特性。在微光像增强器中具有多方面的潜在应用。通过对ZnO 材料晶格参数等的研究, 发现可以作为制备高质量GaN 紫外光电阴极的缓冲层。通过对ZnO 能带的研究,发现ZnO 本身还可以独立的作为负电子亲和势光电阴极材料,一旦p 型ZnO 制备获得成功,将更有利于形成负电子亲和势光电阴极。此外,采用蒙特卡罗模拟的方法发现ZnO 薄膜比传统的Al2O3 防离子反馈膜对碳等正离子具有更强的阻挡作用,有可能取代Al2O3 薄膜用于制备三代微光器件防离子反馈膜。ZnO 薄膜还具有较高的二次电子发射系数和适合的电阻率,可以用来制备Si 微通道板打拿极。 相似文献
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激光清洗轮胎模具表面橡胶层的机理与工艺研究 总被引:8,自引:1,他引:7
研究了运用脉冲激光清洗橡胶轮胎印字模具表面橡胶层的工艺参数与机理.结果表明,工艺参数适当时,脉冲激光能完全清洗模具表面而不损伤基体.激光清洗存在着清洗阈值和损伤阈值.在起始清洗阈值和完全清洗阈值之间,清洁率随着激光能量密度的升高而增大.在完全清洗阈值与损伤阈值之间,基体表面清洁率保持100%而且不受任何损伤.激光清洗橡胶的机理有二:一为激光产生的高温导致橡胶表层瞬间燃烧和气化;二为橡胶深层受热振动和激光脉冲的热冲击作用使铝片表面橡胶颗粒飞溅. 相似文献