用光截止法测量Hg_(1-x)Cd_xTe的横向组分均匀性

本文提出一种测量Hg_(1-x)Cd_xTe横向组分均匀性的简便方法。该方法以相当可靠的黑体辐射公式为基础,利用Hg_(1-x)Cd_xTe样品本身的光截止特性,测量样品的截止波长,再用E_(?)-X经验公式求出样品的组分X。通过对样品的二维扫描,可求得Hg_(1-x)Cd_xTe横向组分的面分布。透光因子的定义     

用光截止法测量Hg_(1-x)Cd_xTe的横向组分均匀性

本文以相当可靠的黑体辐射公式为基础,利用Hg_(1-x)Cd_xTe样品本身的光截止特性测量样品的截止波长,再用E_g-x经验公式求出样品的组分(?)对样品进行二维扫描,获得了Hg_(1-x)Cd_xTe样品横向组分的面分布。测得的组分均方根偏差与电子探针的测量结果符合得很好。     

用红外光吸收法测定Hg_(1-x)Cd_xTe的组分

本文用测量本征吸收光谱的方法,确定Hg_(1-x)Cd_xTe的禁带宽度Eg值,再根据Eg与x的关系来确定x值。在Hg_(1-x)Cd_xTe的本征吸收光谱上,Eg能量值出现在陡峭的指数吸收边和平坦的本征吸收带交界区域。利用本征吸收光谱确定Eg,需要对Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品进行测量,样品厚度一般为10μm左右。我们用PE983红外分光光度计在室温下测量了七个已知组份的     

晶格匹配的GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y异质结实验研究

本文报告了采用两种液相外延方法在制备GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs异质结时向三元系材料掺入少量P,使Ga_(1-x)Al_xAs变成Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y。用X射线双晶和单晶衍射法分别测量了一系列样品,得出最佳晶格失配降到1×10~(-5),相应的失配应力为1.4×10~7达因/(厘米)~2。用俄歇电子谱仪测量Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y的组分X,Y值,导出了X值和Y值的计算公式,得出样品的实验结果。在同一系统大致相同的条件下作了掺P和不掺P的比较,证明掺入最佳P量能大大改善异质结的质量,可望制得高效率长寿命的双异质结激光器。     

Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应分布研究

研究了Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应的均匀性,用可调谐连续Pb_(1-x)Sn_xTe激光测量稳态光电导,用GaAs/GaAlAs脉冲激光激发瞬态光电导.将两束激光会聚成直径约250μm的光斑,使两光斑恰位于光导型地Hg_(1-x)Cd_xTe样品前表面的同一点上,测量了样品光电导响应分布和相应光生载流子寿命分布.实验表明,稳态光电导响应分布的均匀性大大低于光生载流子寿命分布的均匀性,并对结果进行了讨论.     

用电解质电反射率法测量Hg_(1-x)Cd_xTe化学配比的变化:形貌研究

本作者研制了一种独特的方法,即利用电解质电反射率(以下称EER法)测量Hg_(1-x)Cd_xTe晶体表面上随位置而改变的局部组分x。这种技术是非破坏性的,可在室温下使用。它灵敏到足以测定x≈0.2～0.3样品中组分Δx≈0.002的变化,其空间分辨     

Si1-x Gex:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响

用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-x Gex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-x Gex:C缓冲层生长温度对样品结构特征的影响.结果表明:Si1-x Gex:C缓冲层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低.这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关;在Si1-x Gex:C缓冲层上外延生长的Ge薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低.     

用红外光吸收法测定Hg_(1-x)Cd_xTe组分

在室温下测量了组分x=0.170～0.443的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,并采用参考文献[4][5]中的方法确定其禁带宽度,发现与禁带宽度相当的能量处的吸收系数为α(E_g,300K)=500 5600x。把该式作为用红外光吸收法测定Hg_(1-x)Cd_xTe组分的工作曲线,先测出未知组分的Hg_(1-x)Cd_xTe厚样品的吸收边,并延长到α(E_g,300K)处,得到E_g(300K)后,即可求得待测组分:     

光调制吸收测量HgCdTe载流子寿命及其干涉效应

用光调制红外吸收技术测量了Hg_(1-x)Cd_xTe(0.23相似文献   

Fe（1—x）CoxSi2薄膜的光学性质实验研究

用反应沉积法（RDE）制备了一系列铁钴硅化物好Fe(1-x)CoxSi2薄膜,样品中掺杂的Co含量由卢瑟福背散射（RBS）确定。本文研究了样品的光学性质：室温下在0．26－4．80eV的光子能量范围内,用椭圆偏振光谱仪测量了样品的复介电函数谱。实验发现,Fe(1-x)CoxSi2薄膜的介电函数强烈地依赖于薄膜的状态:a)对于β的Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱在红外低能区呈现出干涉峰,对应于半导体态;b）对于同时存在β相和∑相的混合相Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱呈现出半导体和金属的混合态特征;c)对于∑的Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱呈现出明显的金属态特征。XRD实验结果表明,样品介电函数谱的差异来源于薄膜中不同的Fe-Si相,而与样品中掺Co量的多少并无一定关系。     

已知晶体电子衍射指标化中的实际问题

电子衍射是晶体结构分析最为常用的实验技术之一,电子衍射花样能直接反映晶体倒易点阵的特征。但利用传统方法对电子衍射花样进行指标化相当耗时、繁杂。为此,本文基于一些常用软件和DM插件对指标化过程中衍射点间距的测量、晶面间距的计算和米勒指数的指认等环节进行实例分析,对指标化过程中的一些常见问题进行可行性讨论,以期实现更为便捷的衍射分析。     

晶体位错处理对X射线衍射性能的影响

为提高晶体对波长为0.1~20 nm的X射线的衍射效率,通过特殊工艺对特定晶体表面进行位错处理。将云母、α-石英和LiF晶体劈成80 mm×10 mm的晶体薄片,其中LiF晶体厚度研磨到1 mm,其余三种晶体厚度为0.2 mm。将LiF晶体加热到400 ℃,然后用椭圆型折弯机进行多次弯曲,自然冷却降到室温,使晶格发生位错现象。在波长为0.154 nm的Cu靶X射线衍射仪上进行衍射试验,经晶体后利用成像板或X射线CCD获得衍射谱线,其中Mica球弯晶获得多级衍射谱线,经过表面处理的LiF晶体获取的X射线光子数比未处理的高2倍。结果表明晶体表面经过位错处理后提高了衍射效率,更适合X射线诊断研究。     

二维全息光栅的夫琅和费衍射

为了对光栅的衍射性能有更深入的了解,对振幅型光栅的衍射进行了研究。通过对振幅型一维和二维全息光栅的夫琅和费衍射进行观测,拍摄了光栅衍射的夫琅和费衍射图样。从结果发现二维光栅的主极大分布并非两个一维光栅主极大分布的简单相加,而是在二维平面内形成的规则分布,其分布规律与矩孔衍射图样的光强分布有着相似之处。实验结果可以据衍射理论很好地解释,因此,理论与实验是完全一致的。     

声表面波电视中频滤波器衍射分析及补偿

介绍了衍射效应的分析方法,讨论了2种衍射补偿的方法——BLIR匹配校正方法和最小二乘法。针对衍射对滤波器频率响应造成的影响和衍射补偿的结果进行了仿真,并对这2种衍射补偿方法的优缺点作了比较。仿真结果表明衍射得到了有效的补偿。     

SAW滤波器衍射分析及补偿

介绍了用角谱理论计算声表面波（SAW）滤波器衍射的算法,基于该算法提出了一种SAW滤波器的衍射补偿方法。最后给出了孔径为11λ的数字电视用声表现波滤波器（SAWF）的衍射计算补偿结果。     

衍射花样及其近似描述

导出了描述夫琅和费衍射的正确公式,讨论了菲涅耳衍射和夫琅和费衍射的物理意义、两者间的逻辑关系,以及倾斜因子ｋ（θ）对衍射花样的影响。指出一些傅里叶光学文献中的“菲涅耳衍射公式”和“夫琅和费衍射公式”均只能在观察距离ｚ不太小也不太大的近轴范围内近似成立,ｚ越大成立的角范围越小,当ｚ趋向于∞时,成立的角范围趋向于零。     

液晶衍射光栅的理论分析

在液晶指向矢计算的基础上,得到了向列相液晶在电场下折射率分布和相位延迟。并在矩形光栅和正弦相位光栅的基础上,分析了液晶衍射光栅对入射光一级衍射情况及其衍射效率,得到了15°左右的衍射角,且衍射效率达到40%。     

低频液体表面波衍射条纹的不对称性

为了对低频液体表面波衍射条纹强度及位置进行分析,用低频信号发生器驱动振子,产生稳定的液体表面波,一束激光照射液面,表面波对光形成了位相型光栅,产生了清晰的衍射图样.过中心沿水平方向对衍射图样进行线性扫描,得到了衍射条纹强度随位置的变化曲线及各级衍射条纹的中心位置及强度值,发现了衍射条纹强度及位置具有明显的不对称分布.理论上给出了衍射条纹强度与表面波之间的关系,并且对衍射条纹位置的近似条件及半角宽度进行分析,分别解释了在斜入射的情况下衍射条纹位置及强度的不对称分布.理论上推导出在垂直入射的情况下,衍射条纹的位置及强度是对称分布的.理论与实验结果比较吻合.     

多矩孔菲涅耳衍射的数值模拟

本文由衍射积分公式出发,利用数值模拟方法对多矩孔的菲涅耳衍射进行分析,基于菲涅耳衍射积分法,提出了一种针对多矩孔菲涅耳衍射的数值算法,同时给出了相应的Matlab程序以及仿真结果。从数值分析结果可以看出,该研究结果对于实验验证和计算较为复杂的多矩孔菲涅耳衍射现象具有重要的理论参考意义。     

球面波照射下夫朗和费衍射公式和成立条件的修正

本文认为文献[1]～[7]对球面波照明下的夫朗和费衍射的若干近似处理方法不是十分妥当的。并从标量衍射理论的瑞利—索末菲公式出发，导出了描述通过照明波会聚或发散中心并与衍射屏平行的观察面所接受到的衍射花样的夫朗和费衍射公式，且详细讨论了其成立条件。指出当衍射距离满足远场条件时，公式在源点或场点或两者均非傍轴的情况下亦成立；当衍射距离z0较近时，公式仅在源点(可处于非傍轴位置)附近的小区域成立，但距离越远，成立的范围越大。在场点、源点均傍轴的特殊情况下，此公式可退化为文献[1][6][7]的结果。