基于SoC的机载显示器视频图形融合处理系统

为了满足机载显示器对综合视频图形处理技术的需求,提出了一种基于SoC嵌入式处理平台的机载视频图形融合显示与视频记录系统实现方法。该方法以SoC为核心搭建硬件平台,使用SoC内部集成ARM处理器和视频图形协处理单元执行图形生成算法与外视频采集,配合SoC片上高速存储和显示接口,采用双缓存与多线程并发机制实现视频图形融合显示和外视频实时记录。本方法支持多种格式分辨率的视频源采集和大分辨率图形同步生成。实验结果表明,采用该系统技术后机载显示器采集1024×768分辨率外视频同时生成1920×1080分辨率图形时,融合处理后帧率可达45 fps,能够满足机载显示器实时显示需求。     

小型化低功耗机载显示器图形系统设计与实现

为了满足机载显示器图形生成系统的小尺寸、低功耗需求,提出了一种基于龙芯2K1000的全国产图形生成与处理方案。该方案以2K1000为核心构建硬件平台,使用2K1000内部集成的中央处理器、图形处理器、显示控制器,以及外部的内存实现图形的计算生成和双缓存显示,配合国产可编程逻辑器件实现图形与外视频的叠加显示及机载通信总线扩展。软件上采用航空专用的国产天脉操作系统,基于天脉操作系统设计了关键的图形显示驱动、帧存驱动、显示控制器驱动。实验结果表明,在输出1 024 pixel×768 pixel分辨率显示时,典型机载图形画面帧率达到35 frame/s,整体功耗约10 W。该方案扩展性强、功耗低,满足实时显示需求,在机载显示器领域有着广泛的应用空间。     

基于SOPC的机载显示器图形实时生成技术

目前以DSP或GPU为核心、FPGA为协处理器的机载显示器图形生成技术无法满足低成本、低功耗的应用场合。针对此现状,文章提出了一种基于SOPC的图形生成技术。该技术以SOPC为核心,搭建图形生成的硬件平台,使用SOPC内部集成的NiosⅡ软核处理器执行图形生成算法运算,并协同可编程逻辑资源完成对帧存的乒乓操作,实现图形数据的实时生成。与传统方法相比,该技术无需DSP或GPU芯片,可以明显降低产品的成本和功耗。实验结果表明,采用该技术后机载显示器可以生成640×480分辨率的图形,帧频为26fps,能够满足机载显示器实时显示的需求。     

基于渐变纹理贴图的机载图形显示抗锯齿方法研究

为了提高机载综合显示器图形画面的生成速度和画面质量,文章对基于渐变纹理贴图的机载图形显示抗锯齿方法进行了研究。首先,介绍了几种提高画面显示质量的图形反走样方法;其次,提出了基于纹理贴图的抗锯齿方法,可在保证画面生成速度的前提下,提高机载图形画面的显示质量;最后,对机载图形显示技术的发展做了展望。对比实验结果表明,文章提出的基于纹理贴图抗锯齿的机载图形软件开发方法,不仅具备开发难度小、速度快的特点,而且具有更好的抗锯齿效果。     

光栅扫描显示系统三种画面设计的软件考虑

光栅扫描显示系统的软件可分为二类.一类是生成专用图形的专用图形程序包.另一类是生成特殊画面的应用程序.平显画面、EADI画面的生成程序均属后一类.本文对光栅扫描显示系统的静态、伪动态和动态三种画面的软件设计,作了详细讨论.介绍了利用两个帧缓冲存贮体实现动态画面显示的方法.分析了影响动态画面质量的几个因素.     

彩色液晶显示器在压铸机实时压射控制器中的应用

介绍了一种型号为TFT6448-5.7的彩色液晶显示器在压铸机实时压射控制器中的应用.文章结合该型号液晶在压铸机实时压射控制器设计中的应用,对基于DSP的图形液晶显示的研究做了一定的探讨,分析了基于DSP的图形液晶显示器的硬件电路以及程序设计.利用CCS开发环境,完成了显示程序的编写和调试.此外,笔者还提供了该项目中核心处理芯片TMS320C2812型号DSP和彩色液晶TFT6448-5.7的连接电路,方便对照和理解程序.     

一种编码式保密显示器设计

提出了一种编码式保密显示器。显示器和液晶眼镜分别设置一个密码，用该密码的各位控制显示器的显示画面和液晶眼镜的开闭状态。密码的某位为0时，显示器显示原图像，液晶眼镜开启；密码的某位为1时，显示器显示原图像的反转图像，液晶眼镜关闭。实现了显示器与眼镜的一一对应来确保机密。     

基于滚动输出模式的高速雷达视频显示处理方法

随着雷达重频和显示器显示分辨率的提高,当前VRAM的速度已经不能满足雷达视频的实时刷新要求。针对该问题,本文提出一种采用滚动输出模式的视频输出处理方法。通过实验验证,该方法在保证高数据率和高分辨率的前提下实现了雷达视频画面流畅刷新。     

ARINC661多显示器座舱系统中的UA画面处理技术

近年来,机载航电系统承担的任务越发多元化,系统中的单个显示器已经不能满足任务需求,多显示器集成的座舱显示系统(CDS)已然成为一种趋势。在这种情况下,多个显示器是否可以正确响应操作,并且准确地显示信息就显得尤为重要。基于ARINC661规范,研究和实现了一种基于图层和会话机制的多显示器画面处理方法。研究了ARINC661座舱显示系统的运行机制,明确了CDS与用户应用(UA)的交互方式,对图层逻辑进行了较为深入的研究,探究了多显示器画面中事件的处理机制,通过UA在图层与各个显示器之间建立会话机制,最终实现显示器画面的处理,使得机组人员正确获取相关任务信息。仿真显示试验表明,该设计合理,运行可靠。     

FFT—LCD残像原理与分析（基础篇）

残像是TFT-LCD的一种显示特性,主要表现为当液晶显示器长时间显示同一个画面,在把画面切换到下一个画面时,原先的画面会残留在下一个画面中。文章基础篇系统地介绍TFT-LCD残像的分类、发生机理、试验条件、判定方法和对策方向,为改善相应的显示残像问题提供较佳的处理方案。     

紧套光纤和单芯紧套光缆的开发

本介绍了紧套光纤、单芯紧套光缆的设计思想和制造工艺要点。     

双等比CMOS缓冲器的设计

双比CMOS缓冲器可分为双等比和双变比CMOS缓冲器，文章对双等比CMOS缓冲器进行了设计研究，提出了它的一种次优实验方法，双等比CMOS缓冲器容易取得对称的传播延迟，可以在较小的面积与功耗下取得和等比CMOS缓冲器相等的传播延迟，使用0．35um工艺参数的HSPICE模拟结果证实了双等比CMOS缓冲器的性能。     

基于IP网络的动态部分缓冲共享方案

本文基于IP网络提出了一种分组丢弃控制方案——动态部分缓冲共享.和已有的静态部分缓冲共享方案相比,新方案根据分组丢弃行为对控制阈值进行动态调整,从而对网络流量的变化具有更优的适应性.同时新方案也避免了复杂的阈值设置问题,任意设定的初始阈值都不会影响系统稳态性能.实验结果显示,新方案可以保证稳定的相对丢失率性能,并且在相同的流量条件下比原有方案具有更低的抖动延迟.     

光纤型缓存器的研究进展

对评价全光缓存器的技术指标作了评述,指出数字光缓存器并不仅仅起拷贝作用,而且要满足同步以及读写控制等要求.阐述了前向型、反馈型、SBS慢光型以及光纤光栅等不同结构的光纤型全光缓存器的原理、优缺点以及存在问题,指出目前尚没有任何一种全光缓存器达到比较理想的功能与指标,应该向一个综合的全光缓存系统发展.     

宽带接入系统中以太网业务的适配

文章提出一种在ATM综合宽带接入系统中支持以太网业务接入的方案,对其中点对点和点对多点以太网互连的协议转换过程和缓存机制作了较为详细的阐述。     

VBR MPEG-2业务统计复用特性的研究

VBR MPEG－2业务是ATM网络中的重要视频业务类型。本文建立了两个流体流视频复用模型，对其信元丢失率和传输延时特性进行了定性分析，得到了一些重要结论。通过对VBR MPEG－2业务进行复用仿真，验证了这些结论，并对业务源参数、复用缓冲器容量、业务强度与信元丢失率、传输延时特性之间的关系进行了分析。对ATM交换机和复用器的设计与性能分析具有一定指导意义。     

共享式光缓存中的控制策略

在光分组交换（0PS）节点结构中,由光纤延迟线（FDL）所构成的光缓存是解决光分组冲突的一种非常有效的方法。对于共享式FDL光缓存,由于FDL竞争的出现会导致光缓存性能的恶化。为了有效利用光缓存,需要对光缓存资源的分配进行有效的控制。为此,针对共事式FDL光缓存,提出一种有效的光缓存控制策略,即有限贪婪模式（limited greedy mode,LGM）缓存控制策略。使用仿真实验的方法对LGM的性能进行了评估。     

酞菁铜缓冲层对有机太阳能电池开路电压的影响

用p型有机半导体材料酞菁铜作为阴极缓冲层制作了器件结构为氧化铟锡/酞菁锌/碳六十/酞菁铜/铝的有机小分子太阳能电池, 对器件进行电学测量发现酞菁铜缓冲层的厚度对器件的开路电压有明显影响.基于半导体器件物理分析了光照下测量得到的电流-电压曲线, 由拟合结果得到的器件参数表明高理想因子导致了器件开路电压升高, 其原因为器件的输运特性不只受酞菁锌与碳六十形成的p-n结影响, 还与酞菁铜缓冲层与铝电极形成的肖特基接触有关.研究表明在有机太阳能电池器件中引入一个合适的缓冲层/阴极肖特基结可以提高器件的开路电压.     

一种基于RTCP反馈的3G流媒体速率控制算法

在3G流媒体业务中,缓存数据溢出严重地影响了多媒体画面质量和媒体播放的流畅性,降低了用户对流媒体业务感知的满意度。为了解决这个问题,根据3GPP PSS提出的反馈机制,阐述了一种基于RTCP反馈信息的3G流媒体速率控制算法。通过计算机仿真证明,该算法不仅有效防止了缓存数据上溢,而且保证了发送效率,避免了缓存数据欠载,从而实现了高质量的流媒体服务。     

MBE生长InGaAs／n0.32≤x≤0.52Al1—xAs MM—HEMT材料

在GaAs衬底上利用分子来外延技术生长了不同In组分的Metamorphic HEMT(简称MM—HEMT)。通过对MM—HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参数、生长条件和结构参数进行优化，得到了具有良好电学性能的MM—HEMT材料，其二维电子气迁移率和浓度指标与国外同期水平相当。