Ku波段300W固态发射机的研制

介绍一种新成功研制的Ku波段固态发射机,该发射机采用波导合成技术,对4个80w末级功率模块进行功率合成,获得300W以上的峰值功率,发射机最大脉冲宽度为120μs,最大占空比为30％,合成效率大于93．7％。     

全离子注入C波段功率单片放大器及内匹配功率单片放大器

报道了全平面C波段功率单片放大器及四单片合成放大器研究结果。单片放大器采用全离子注入工艺，均匀性好，平均成品率40％，可靠性高。工作频率4．7—5．2GHZ，中心频率5．0GHz处输出功率2．5W，增益15dB，功率附加效率31．5％。单片放大器芯片面积2．8mm×2．0mm，四路合成的4×MMIC频率范围不变，中心频率4．95GHz处输出功率8．2W，增益13dB，功率附加效率26％，四路合成效率接近80％。实验结果与理论预测基本吻合。     

3.5GHz 65W硅脉冲大功率晶体管研制

介绍了采用梳状发射极自对准工艺研制的硅微波脉冲大功率晶体管的实验结果。在3．5GHz频率下,该晶体管脉冲输出功率65W,功率增益7dB,集电极效率35％（脉冲宽度100微秒,占空比5％）。     

S波段530W固态脉冲遥测发射机

本文介绍了一个S波段的小型化固态脉冲遥测发射机的研制情况。为了提高输出功率,我们采用了四路微波功率合成技术,射频脉冲输出功率可达530W,合成效率为90％。该发射机除具有脉冲分辨率高和能发射多种宽度射频脉冲等技术特点外,还具有体积小,重量轻、耗电少,占空比高等优点,它不但能发射常规遥测信号,还能发射特快组脉冲信号和特快宽度信号,特别适合于环境条件恶劣和高可靠性要求的各种飞行试验中。     

输出功率可调的 P 波段固态发射机设计

介绍了一种应用于 P 波段,具有输出增益可调的固态发射机.它是建立在其他输出功率可调发射机的基础上,运用了输入功率相位可调,输出功率矢量合成的原理.文中首先分析了其技术指标、系统组成和工作原理.发射机可工作于最大脉宽 300μs,最大占空比 15%.在无相位差的条件下,可获得 4.5 kW 的峰值功率.通过调节前级放大器中的移相器的相位,输出端可获得 20 dB 的动态增益范围.实际测试数据与理论数据基本一致.     

C波段600W固态发射机的研制

介绍一种新研制成功的高功率跟踪雷达发射机,该发射机综合了我们先前研制的同类固态发射机的优势,采用4个200 W末级功率模块进行功率合成,获得600 W以上的峰值功率,其最大脉冲宽度为120μs,最大占空比为40%。实测结果表明,无论是输出功率、体积尺寸还是可靠性方面都有了很大的提高。     

X波段固态功率放大器的研制

介绍一种新型X波段固态功率合成放大器,其为脉冲工作方式,采用4个30 W末级功率放大模块,通过混合方式进行功率合成,得到80 W以上的峰值输出功率。最大脉冲宽度200μs,最大占空比40%。实测结果表明,无论是输出功率、体积尺寸大小,还是散热、可靠性等方面都有较大的提升。     

毫米波高密度脉冲功率合成放大器设计

提出一种新颖的多层结构功率合成方法,具有密度高、插入损耗小的优点。相比传统双面合成方案,该技术在同样体积内理论上可将合成路数扩展1倍,实现输出功率增长3 dB,因而非常适合应用在对功放体积、重量有严格限制的平台中。通过对该高密度功率合成电路进行理论分析与仿真优化,在8 mm波段设计了一个具有4层电路形式的2×4路功率合成放大器。无源实测结果显示,30~37 GHz频率范围内的合成效率高于91%。放大器采用8只典型输出功率16 W的GaN MMIC单片合成,按35μs脉宽、10%占空比条件进行有源测试,在34~36 GHz频率范围内得到了最小123 W的功率输出,功率增益大于14.9 dB,功率附加效率高于21.7%。     

一种宽带幅相一致脉冲MPM的研究

介绍了一种宽带幅相一致脉冲微波功率模块(MPM),该MPM包含脉冲高压电源、行波管和固态放大器.该MPM输出功率大于300 W,占空比大于50％,效率大于30％,重量小于2 kg.测试表明该MPM具有体积小、重量轻、效率高、保护措施完善、具备自动检测功能等特点,适用于舰载和机载应用场合.     

毫米波脉冲体效应二极管

报导了脉冲输出大于1W的8mm体效应二极管，给出了器件结构和参数设计及其电参数研究。器件最佳性能为36．5GHz下，脉冲输出功率1．5W。用于8mm脉冲锁相放大器中，获得了增益13dB，输出大于0．66W，带宽大于1．5GHz的结果。     

X波段400 W GaN内匹配功率管北大核心CSCD

报道了X波段脉冲输出功率超过400 W的GaN HEMT内匹配功率管。该器件内部包含了4只14.4mm栅宽GaN HEMT管芯。输入输出同时采用了一级L-C阻抗变换和两级微带阻抗变换器。该器件在9.0~10.0GHz频带内,在漏极电压为50V、脉冲宽度100μs、占空比10%测试条件下,输出功率达到了400 W以上,功率增益大于9dB,附加效率高于37.7%,带内峰值输出功率450 W。     

两段级联内插差异损耗功率箝制掺铒光纤放大器

针对全光网中信道路径不同所引起的功率失衡问题 ,设计了一种利用商用光纤波分复用器实现两段级联内插差异损耗环的功率箝制掺铒光纤放大器 (EDFA)光路结构 ,并从理论和实验上研究了光路结构参数对放大器动态范围和噪声特性的影响。得出损耗插入最佳位置在 6 0 %附近 ,最佳插入损耗大小 5～ 8dB依抽运功率和光纤长度而定。所研制的功率箝制EDFA在信号波长 15 5 3nm处 ,动态范围大于 2 0dB ,动态范围内平均输出功率超过2 90 μW。     

S波段平衡式限幅放大器设计

采用混合集成电路工艺,设计了一款小尺寸限幅低噪声放大器(LNA)。优化了限幅电路设计,明显缩小了电路体积。低噪声放大器采用负反馈结构,以改善增益平坦度。采用平衡式结构,提高限幅器的功率容量和放大器的1 dB压缩点输出功率(P-1 dB)。设计制作了Lange电桥,作为平衡式限幅放大器的输出电桥。该放大器工作电压5 V,电流151 mA,测试结果显示,在频带2.7~3.0 GHz内,噪声系数小于1.5 dB,小信号功率增益大于36 dB,增益平坦度小于0.6 dB,输入输出驻波比小于1.3,P-1 dB大于13 dBm。该限幅放大器能够承受脉冲功率300 W、脉宽300μs和占空比为30%的信号,外形尺寸为27 mm×18 mm×5 mm。     

基于波导合成高效高集成度Ku波段发射机

提出了一种基于BB180波导HT合成与双BB180波导转BJ180ET合成相结合的Ku波段高效波导合成方案。波导合成实现了高效率,BB180波导形式实现合成结构轻小型化。首先利用HFSS软件分析两种波导合成器三维模型,给出了仿真结果。在工程设计中采用GaN功率芯片构成放大器小模块单元,输出峰值功率25W。170W功放采用8个模块单元合成。发射机采用4个170W发射功放波导合成,在Ku波段输出功率600W(占空比19%),总合成效率在80%,附加效率达到18%。在结构设计上,170W功放、电源模块、波导合成器采用叠层结构组装,大大减小了发射机空间,实现了发射机高集成度。合理的结构及热设计保证了发...     

4H-SiC MESFET工艺中的高温氧化及介质淀积技术

采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压,同时也提高了器件的输出功率及功率增益,为器件长期稳定可靠工作奠定了工艺基础。采用此技术后,单胞20 mm左右栅宽器件在2 GHz脉冲条件下(脉冲宽度300μs,占空比10%)输出功率达78 W,比原工艺的器件输出功率提高了20 W以上,功率增益提高了1.5 dB,达到8.9 dB左右,功率附加效率也从23%提升到32%,初步显示了该工艺技术在制备4H-SiC微波功率器件中的优势。     

1kHz全光纤双程结构掺Yb3+脉冲光纤放大器

以1KHz低重复频率的脉冲激光为信号光源,实验研究了全光纤双程结构的脉冲光纤放大器.利用光纤声光调制器(AOM)滤除了放大过程产生的放大自发辐射光(ASE),并测量了该ASE功率;分析了低重复频率及双程结构对放大器输出特性的影响;研究了抽运光功率对输出脉冲宽度和脉冲峰值功率的影响.在注入信号激光波长1060nm、脉冲宽度10.2ns、峰值功率0.58W时,获得放大脉冲激光的脉冲宽度7.9ns、峰值功率245.2W,对应增益26.3dB.     

预驱动功率放大器

用于基站的砷化镓异质结构双极晶体管(GaAs HBT)预驱动功率放大器RF3807和RF3809的输出功率为0．5W和2W，可在CDMA、GSM、DCS、PCS及UMTS频率中工作。在UMTS频带中运行的RF3807在线性运行模式下提供了 28．5dBm输出功率(OP1dB)、高功效(OP1dB时为40％)、高线性( 42dBmOIP3)和增益(14．5dB)，在输出功率为 17dBm时可获得-60dBc的邻道功率(ACPR)。     

808nm准连续600W高功率半导体激光芯片研制

通过设计极低损耗808nm半导体激光芯片外延结构,实现腔内损耗小于0.5cm~(-1)。采用该高效率外延结构研制出高峰值功率808nm巴条芯片,巴条的填充因子为85%,包含60个发光点,发光区宽度为140μm,腔长为2mm。在驱动电流为500A,脉冲宽度为200μs,重复频率为400 Hz,占空比为8%的工作条件下,该芯片的准连续(QCW)峰值输出功率为613 W,斜率效率达1.34 W/A,峰值波长为807.46nm,光谱半峰全宽为2.88nm。任意选取5只芯片,在准连续300 W(占空比8%)条件下进行了寿命验证,芯片寿命达到3.63×109 shot,定功率300W下电流变化小于10%,达到商业化水平。     

固态调频广播发射机功放常见故障与维护措施

本文主要讲解1．2kW的原理和常见故障的处理过程。1．2kW功率放大器作为调频广播发射机的末级功率放大器在87—108MHz频率范围内输出功率不小于1kW,采用强制风冷散热,激励器输出5W的射频信号RF经一段同轴5011电缆送入前级30W功放,放大后的RF输出功率通过微带线4路功率分配器,分为4路幅度相同,相位相同的信号进入4个300W功放模块分别放大。再经微带4路功率合成器合成,合成后的信号通过低通滤波器滤波和定向耦合器后输出至天线或负载。     

微波脉冲功率合成放大器的研制与应用

本文以双极晶体管ＲＺ２８３３Ｂ４５Ｗ为例，简单介绍了按阻抗匹配法设计的微波脉冲功率放大器，输出功率５２Ｗ，增益为７．１６ｄＢ。将两路同样的放大器进行功率合成，输出功率可达９５Ｗ，合成效率为９０％以上。利用多路功率合成可得到更大的输出功率。本文还简单介绍了利用功率合成技术制作的Ｓ波段脉冲遥测发射机，此机采用ＦＭ－ＡＳＫ调制方式，有缓变、特快和波形三个传输通道，是一种有应用前途的脉冲遥测发射机。