凌特混频器简化3G无线基站接收器设计

凌特公司新的高线性度有源下变频RF混频器极大地降低了3G蜂窝基站的成本并简化其设计。LT5527RF混频器具有延至3．7GHz的工作频率范围。在1．9GHz时，LT5527具有23．5dBm的IIP3(输入3阶截取)线性度、213dB转换增益和12．5dB噪声指标．从而满足了3G蜂窝基站和其他高性能无线基础设施接收器的动态范围要求。     

用于IEEE 802.11 b/g/n WLAN的高线性度功率放大器

基于2μm的InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种可应用于IEEE802.11 b/g/n无线局域网(WLAN)的高线性度射频功率放大器.为了提高射频功率放大器的线性度,采用了负反馈镜像电路提供直流工作点,设计了良好的输入、输出和级间匹配电路来提高射频功率放大器的线性输出功率.流片结果表明,在工作电压为3.3V时,射频功率放大器的1 dB线性压缩输出功率(P1dB)可达27 dBm,当误差向量幅度(EVM)为3％时,2.4 GHz64 QAM激励下,输出功率可达19.8 dBm,满足标准规范要求.     

一种高线性度CMOS混频器的设计

采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度.采用TSMC 0.18 μm RF CMOS模型进行了电路仿真.仿真结果:在电源电压为1.8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10.3 dBm,输入1dB压缩点(P-1dB)为-3.5 dBm,增益为9.2 dB,单边带噪声系数为17 dB.     

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RF VGA提供增益和功率控制单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)能提供1MHz～3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围,集成了宽带放大器和衰减器,具有60dB动态增益和衰减范围(大约+20dB增益和-40dB衰减),22dBm输出功率水平(1dB压缩点),在1GHz频率和8dB噪声系数下具有+31dBm输出三阶截点。ADIhttp://www.analog.com具有超低抖动的时钟AD951x系列时钟分配芯片集成了低相位噪声的PLL频率合成器内核、可编程分频器和可调延迟单元电路。器件具有亚皮秒抖动的低相位噪声时钟输出,LVPECL时钟输出达800MHz,附加抖动小…     

应用于WLAN InGaP/GaAs HBT线性功率放大器

设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4~2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=+5V、VReg=VPdown=+2.85V双电源供电条件下,测试频点为2.45GHz时,线性增益为35dB,1dB压缩点处输出功率为34.5dBm,此时效率为37.5%。输出功率为27dBm时,EVM(误差矢量幅度)值小于3%(输入信号为WLAN 802.11g 64QAM 54 Mb/s),可以满足WLAN应用对线性度的需求。     

用于802.11a/HiperLAN和HiSWANa接收机的两级低噪声放大器设计

本文分析了一个小型(6mm×15mm)两极、低噪声、无限稳定的放大器设计,用于802.11a、HiperLAN2和HiSWANa接收机应用。在5.5GHz时,放大器具有22.2dB增益、1.4dB噪声系数、线性输出功率(P-1dB) 11.5 dBm、三阶输出截距点(OIP3) 28 dBm,频率覆盖目前北美、欧洲和日本无线局域网络规定使用的5 GHz频谱部分。     

用于W-LAN的5.8GHz InGaP/GaAs HBT MMIC线性功率放大器

介绍了一种应用于W-LAN系统的5.8 GHz InGaP/GaAs HBT MMIC功率放大器。该功率放大器采用了自适应线性化偏置电路来改善线性度和效率,同时偏置电路中的温度补偿电路可以抑制直流工作点随温度的变化,采用RC稳定网络使放大器在较宽频带内具有绝对稳定性。在单独供电3.6 V电压情况下,功率放大器的增益为26 dB,1 dB压缩点处输出功率为26.4 dBm,功率附加效率(PAE)为25%。三阶交调系数(IMD3)在输出功率为26.4 dBm时为-19 dBc,输出功率为20 dBm时低于-38 dBc,在1 dB压缩点处偏移频率为20 MHz时邻道功率比(ACPR)值为-31 dBc。     

基于GaN 的3. 4~ 3. 6 GHz 高增益Doherty 功率放大器

基于两级功率放大器架构,设计了一款平均输出功率为37 dBm(5 W)的高增益Doherty 功率放大器。 该器件通过增加前级驱动功率放大器提高Doherty 功率放大器的增益,采用反向Doherty 功率放大器架构,将λ/4 波 长传输线放置在辅助功放后端,相位补偿线放置在主功放前端,并使主功放输出匹配网络采用双阻抗匹配技术实现 阻抗变换,如此可扩宽功率放大器的工作带宽。连续波测试结果显示:3. 4~3. 6 GHz 工作频段内,饱和输出功率在 44. 5 dBm 以上,功率饱和工作点PAE 在43. 9%以上;在平均输出功率(37 dBm,5 W)工作点,回退量大于7. 5 dB,功 率附加效率PAE 为36. 8%以上,功率增益在31 dB 以上。     

RF LDMOS器件与高效率功率放大器设计

为满足人们高速通信的需求,多载波、宽带已经成为新的发展方向,这对功率器件和放大器需要提出新的要求。文中基于改进后CMOS工艺模块,针对GSM基站频段,通过对RF LDMOS版图的优化,制备了实际的RF LDMOS芯片,使用负载牵引系统测出器件在940MHz时P3dB压缩点输出功率52.6dBm,效率72%。并使用负载牵引系统测量出的数据制作了一款工作于920~960MHz的高效率功率放大器,通过对匹配电路地优化,P1dB压缩点达到52.7dBm,P1dB压缩点效率为65%,在功率回退8dB时效率为32.8%,线性增益18dB。     

一种1.9 GHz高性能功率预放大器的设计

介绍了一个基于0.35μm CMOS 6层金属工艺,采用片外阻抗匹配网络的两级AB类功率预放大器。电路在3.3 V电源电压下工作,静态电流为18 mA。测得功率预放大器的功率增益为10 dB,最大有6 dBm输出功率到50Ω负载。采用片上线性化技术,功率预放大器在1.9 GHz频率获得了很好的线性度:输出三阶截点OIP3=9.4 dBm,输出1 dB压缩点OP1 dB=-0.6dBm。     

RFMD推出新款GSM功率放大器

美国RF Micro Devices(RFMD)公司针对GSM蜂窝手机制造商的需求,推出一款3V GSM功率放大器RF2318。它采用RFMD的砷化镓异质结双晶体二级管工艺制成,具有高功率、高效率的特点,工作频率为880～950MHz,效率高达57%。RF2138具有功率控制输出功能(控制范围:70dB)。在供电电压为3.5V时,RF2138可提供 35dBm的输出功率,输入阻抗为50Ω。由于采用砷化镓异质结双极晶体管工艺,仅需单个 3V电     

用于WiMAX的高线性度1W和2W放大器

可以支持750MHz～3．9GHz频带,ALM～31X22功率放大器内置有源偏压电路并且不需射频匹配器件。在典型的5V和400mA偏压条件下,ALM-31122可以在900MHz下带来31．6dBm输出功率（P1dB）、47．6dBm的OIP3和15.6dB增益。ALM-31222则可以在2GHz时提供31．5dBmP1dB、47．9dBm OIP3和14．9dB增益的输出。     

NEC公司1．5 W GaAs MMIC SPDT开关

NEC的UPG2179TB SPDT GaAs MMIC开关提供在0．5GHz～3GHz的宽频带内的高隔离、低插入损耗性能、理想的线性度，而且靠2．5V～5．3V工作。P1 dB为 32 dBm(典型值)(2GHz)，3V隔离度为27dB(典型值)(2GHz)，3阶截获点为 60 dBm(3V)。该UPG21769TB的设计用于频率高达3GHz的蜂窝和无绳电话等手持装置、802、11b／g、     

用于WiMAX的高线性度1W和2W放大器

可以支持750MHz～3．9GHz频带,ALM－31x22功率放大器内置有源偏压电路并且不需射频匹配器件。在典型的5V和400mA偏压条件下,ALM－31122可以在900MHz下带来31．6dBm输出功率（P1dB）、47．6dBm的OIP3和15．6dB增益。ALM－31222则可以在2GHz时提供31．5dBmP1dB、47．9dBm OIP3和14．9dB增益的输出。另外,ALM－31322在3．5GHz下可以提供31dBmP1dB、47．7dBm OIP3以及13．2dB的增益。     

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集成电路IntegratedCircuits可支持医学和工业电子设备的ADCAD7980PulSAR是16位ADC,以1MS/s采样速率工作时具有7.5mW的功耗,在10kS/s时具有75μW的功耗。其他性能包括:2LSB的积分线性误差(INL)最大值以及20kHz处91.5dB的信噪比(SNR);采用LFCSP封装、QFN封装以及MSOP封装。ADI电话:021-5150-3000http://www.analog.com适用于WCDMA基础结构的功率放大器AP622是一个频率范围是2110～2170MHz的二级功率放大器模块,采用13mm×29mm×4.1mm,符合RoHS标准的法兰盘封装。其P1dB为35dBm,增益为28dB;WCDMA输出功率23dBm时,…     

用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器

报道了一种性能良好的SiGe功率放大器,具有用于无线通信的前景.在B类模式下工作时,输出功率可以达到30dBm.在AB类模式下,电源电压为4V工作时,1dB压缩点输出功率(P1dB)为24dBm,输出功率三阶交截点(TOI)为39dBm.最大的功率附加效率(PAE)和在1dB压缩点的功率附加效率分别达到34%和25%.处理CDMA信号时的邻道功率抑制超过42dBc,符合IS95标准.     

功率附加效率为52%的功率放大器

据《日经工卜夕卜口。夕又》1996年第9－2期报道，三菱电机公司新开发了在3．4V电源电压下，功率附加效率为52％的功放模块。在52％的附加效率时的输出功率为31．0dBm（1．26W），增益为25dB，线性增益为25．5dB，测定频率为940．5MHZ，工作频率范围是925、956MHz。该功率放大器的外形尺寸为11．3minX14．2minX27mm（约0．4cm勺，晶体管采用了AIGaAs／InGaAsHEMT，其单位栅党的跨导是原有产品的1．6倍，栅长仍为07pm。功率附加效率为52%的功率放大器@孙再吉…     

用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器

报道了一种性能良好的SiGe功率放大器,具有用于无线通信的前景.在B类模式下工作时,输出功率可以达到30dBm.在AB类模式下,电源电压为4V工作时,1dB压缩点输出功率(P1dB)为24dBm,输出功率三阶交截点(TOI)为39dBm.最大的功率附加效率(PAE)和在1dB压缩点的功率附加效率分别达到34%和25%.处理CDMA信号时的邻道功率抑制超过42dBc,符合IS95标准.     

高增益高线性度CMOS偶次谐波混频器设计

设计了一种能应用于GPS接收机的偶次谐波混频器,在RF输入端采用了电流复用电路提高混频器的转换增益和线性度,在LO输入端采用了倍频技术.同时,该拓扑结构还具有低功耗的优点.仿真结果表明:在1.8V电源电压下,RF频率1.575GHz,LO频率0.7895 GHz,LO功率为-5 dBm时,该混频器的转换增益为20.848 dB,三阶交调截至点为-2.297 dBm.表现出了高增益、高线性度的性能.     

13.7～14.5GHz内匹配型GaAs大功率器件

经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dBm时,在f=13.7～14.5 GHz频段内,输出功率Po＞42dBm(15.8W),功率增益Gp＞7dB,功率附加效率PAE＞35%,两管芯合成效率大于90%,其中在14.3GHz频率点,输出功率达到42.54dBm(17.9W),增益7.54dB.