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以一种高压电源的前置稳压电路作为研究对象,重点分析稳压控制电路的抗中子抗辐射能力。对导致中子辐照前后输出电压变化量的因素进行分析,并对关键元器件晶体管进行辐照效应分析和试验验证,提出了晶体管优化和采用达林顿晶体管结构2种加固措施。通过电路仿真和制作样机,得到在1 MeV等效中子2×1013 n/cm2中子注量后的仿真和实测结果与理论分析值相吻合,验证了抗辐射加固措施的有效性。 相似文献
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由于隔离型DC/DC的安全性、隔离性等特征,该类器件广泛应用于多个电子、工业领域,本文主要介绍了隔离型DC/DC在高压电压电流源中的应用。本文将隔离型双输出DC/DC引入设计,利用DC/DC的隔离特性,将电压电流源的次级输出作为DC/DC器件参考地,将DC/DC器件的两路输出电压作为相关运算放大器的电源电压。常规高压电压电流源设计中需要大量采用高压运算放大器,采用此方案可使用较少的高压运算放大器及更低的成本实现相同功能,同时降低高压电源对PCB电路板上信号的影响。通过实际测量,文中方案输出稳定、精度高,满足设计与使用要求。文中用功能图纸对此类应用进行了详细说明。 相似文献
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本文探讨了降低线性集成稳压电源的功耗和提高它们的抗辐射能力的技术途径。介绍了一种新型稳压器电路,以低功耗电流放大器为其基础,改电压控制型为电流控制型,使电路在满载情况下,输入输出最小压差降到1V左右;并具有良好的启动保护功能,纹波抑制比可达70db以上;当输出电压V_o=12V时,其效率的典型值为90%。 为了尽量提高这种电路的抗辐射能力,在设计电路时就注意到了降低有源元件与无源元件的数量比,使电路设计尽量简化。并充分注意到光电流补偿单元的设置和增益裕量的限度。采用了介质隔离技术和晶体管归一化的标准设计,在工艺参数的设计中采用特殊加固晶体管的设计方法。使该电路的抗中子能力比初步加固的器件提高一倍左右,抗γ瞬时辐照能力提高二倍以上。 相似文献
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设计了一种快速高精度脉冲输出DC/DC变换器。分析了电路工作原理,对电路各个子模块的功能及拓扑选择分别进行了阐述。该电路采用独特的两级稳压结构,消除了因脉冲输出特性导致的输出电压波动。测试结果表明,电路启动时间、关断时间及输出电压精度等参数均达到设计输出要求。 相似文献
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以CRT为像源的平视显示系统对高压电源的性能、效率、体积、重量等有很高的要求,PWM型高压开关电源因为具有体积小、重量轻、效率高等优点而获得了广泛的应用。对PWM型高压电源的原理、单元电路等进行详细的介绍。电路采用逆变方式,从27 V直流电压,经过功率变换、升压变压、倍压整流等环节产生所需要的高电压。电压的稳定调节通过安置在负反馈通道中的脉宽调制器SG1525A实现,其基本原理是,采样电路对输出电压进行采样,与基准电压进行比较后,引起PWM产生的方波宽度改变,控制功率变换器中开关管的通断时间,使得输出电压向相反方向改变,从而使输出电压保持稳定。 相似文献
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为强化DC/DC变换技术的实践教学,基于多绕组变压器和反激电路原理,开发一套DC/DC变换器教学系统。设计变换器的拓扑结构,分析工作原理及控制策略,计算变换器系统参数,建立数字仿真模型,设计变换器主电路、输出电压采样电路、开关管驱动电路等来搭建变换器实验平台。实验教学应用表明,该变换器实现宽输入/输出电压范围功能的同时,能够提高学生的电力电子技术综合实践能力。 相似文献
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一般的DC/DC变换器集成电路由控制器、MOSFET开关管及一些功能电路组成.近年来,DC/DC变换器采用了同步整流技术,又集成了同步整流的MOSFET.凌特公司最近开发出一种微型降压式DC/DC模块,它不仅集成了控制器、开关及同步整流MOSFET及各种功能电路,并且还把可输出10A电流的电感器、软启动电容器做在一个贴片式IC中,外部只要接上输入、输出电容器及一个设定输出电压的电阻就成为完整的DC/DC模块电源.本文介绍这种微型DC/DC模块LTM4600及其应用电路. 相似文献
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针对DC-DC升压器存在效率低,纹波电压较大,输出电压不稳定等问题,文中开发和设计了一种具有恒定输出电压的DC-DC升压转换器的方法。通过升压电路和电压反馈技术,将波动的输入电压变成恒定的直流电压输出。该设计通过将转换器的输出电压与参考电压相比较,两者的差值会产生一个PWM信号控制升压器的通断时间,从而达到恒定电压输出。仿真结果显示,该实验电路能在频率为20 kHz的连续导通模式中工作,产生24 V的恒定输出电压,输出功率为100 W。 相似文献
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介绍应用于低电压大电流DC-DC的高频多相数字控制芯片的设计。该芯片采用电压模式控制、数字比例-积分-微分(PID)控制算法,由可编程电压基准源、窗口ADC、数字PID电路以及数字脉宽调制(DPWM)电路组成。该芯片提供1MHz开关频率、四相PWM信号输出、5bit电压识别(VID)码控制系统的输出电压,实现从1.1V到1.85V可调。芯片在0.35μm工艺下流片。实验结果证实了芯片的性能与设计方法的正确性。 相似文献
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An analog/digital reconfigurable automatic gain control(AGC) circuit with a novel DC offset cancellation circuit for a direct-conversion receiver is presented.The AGC is analog/digital reconfigurable in order to be compatible with different baseband chips.What’s more,a novel DC offset cancellation(DCOC) circuit with an HPCF(high pass cutoff frequency) less than 10 kHz is proposed.The AGC is fabricated by a 0.18μm CMOS process.Under analog control mode,the AGC achieves a 70 dB dynamic range with a 3 dB-bandwidth larger than 60 MHz.Under digital control mode,through a 5-bit digital control word,the AGC shows a 64 dB gain control range by 2 dB each step with a gain error of less than 0.3 dB.The DC offset cancellation circuits can suppress the output DC offset voltage to be less than 1.5 mV,while the offset voltage of 40 mV is introduced into the input.The overall power consumption is less than 3.5 mA,and the die area is 800×300μm~2. 相似文献
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555时基芯片及其在A/D转换中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了555时基芯片的功能、主要特性,以及555芯片在0~10Hz、0~10 kHz、10 Hz~10 kHz V/F(电压/频率)转换电路及其在测量中的应用,并给出了实验数据,结果表明,由555芯片组成的转换电路具有价格低、精度高、线性好等特点. 相似文献
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提出了一种基于DSP TMS320F2812数字控制的平均电流型交错并联升压型功率因数校正(Boost PFC)变换器。重点提出了150 kHz/Phase开关频率下的控制算法与改进的采样算法,并对电压、电流双环数字控制回路进行分析与PI补偿设计。基于Matlab/Simulink对并联交错Boost PFC数字控制系统进行建模仿真,并制作300 W输出功率的样机,成功对Boost PFC控制系统进行了验证与实现。 相似文献
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提出了一种基于0.25 μm BCD工艺、适用于高压降压型DC-DC转换器的新型电平位移电路.该电路使用了耐压60 V的高压DMOS器件(HVNMOS、HVPMOS)、耐压5V的低压CMOS器件(LVNMOS、LVPMOS),以及耐压5V的三极管器件(BJT).分析了降压型DC-DC转换器对电平位移电路的特殊要求;基于对两种常见电平位移电路的分析,提出了一种新型的电平位移电路.电路仿真结果显示,与之前的电路相比,新型电路结构具有响应快速、功耗低、输出电平精确、可靠性高等优点. 相似文献