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厚膜多层布线工艺,又称为二次集成技术.其特点是在氧化铝陶瓷基片上装配厚膜多层电路装置.其方法是将电路的导体图形和绝缘玻璃层连续通过丝网漏印、烧结在基片上.二层或更多层导线通过玻璃绝缘层,一层层地进行隔离.同时,在绝缘介质层中的窗口和通道上把TTL、ECL、MOS等硅集成半导体电路,采用键压工艺,组装在厚膜多层布线的窗口中以实现二次集成完成电路的整个功能. 相似文献
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本文介绍了一种高频大功率变换器的设计,详细阐述了这种大功率变换器采用的关键技术。该产品采用厚膜混合集成工艺,裸芯片组装,产品性能可靠,测试结果满足指标要求。 相似文献
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采用SiCMESFET对和厚膜混合集成技术,设计,制作了一种运算放大器,并在350℃下进行了测试,在25~350℃温度范围内对这种放大器成功地进行了测试。放大器的增益大于60dB,共模抑制比大于55dB,在整个温度范围内偏移电压从139mV,变化到159mV,这些结果证明了采用SiCMESFET和厚膜混合集成技术实现高温电路设计和组装的可行性。 相似文献
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<正> 我厂设计、生产的H-W_J~Y型系列厚膜混合集成稳压电源是厚膜混合集成电路的典型产品之一。在国内最先采用厚膜功率集成技术和工艺,应用于通用性很广泛的直流稳压电源之中,因而可以使得原来由分立元器 相似文献
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随着微波技术的发展,混合微波集成越来越受到人们的重视。介绍了制造混合MIC电路的制作质量要素,即工艺控制难点所在。文章从厚膜,薄膜,微波印制,微组装以及表面组装五个大的方面进行了阐述。 相似文献
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<正> 成都电子工业部第十研究所利用厚膜混合集成技术试制成功10MHz微型恒温晶体振荡器。该器件体积小,功耗低,能使石英振荡器处在零温度点范围的温度,从而获得较好的频率稳定性。振荡器将厚膜振荡电路、温控电路以及石英晶体谐振器三部分组装集成于16×16×5.4 mm的金属盒内,采用电阻焊进行全密封。这就保证了石英晶体谐振器能长期稳定地工作。器件使用双列直 相似文献
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本文介绍了一种厚膜浊合集成正交信号比较器的工作原理及电路设计,并详细叙述了在厚膜多层布线基板上组装高功耗ECL器件的结构设计方法,以避免形成局部电路热积累。 相似文献
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随着厚膜电路技术的发展,混合集成电路的集成度越来越高,要求提高混合集成电路陶瓷基片布线密度,而陶瓷基片双面布线是提高集成密度的较好方式之一.双面布线需要在厚膜陶瓷基片上制作通孔,并对通孔进行导体填充,以实现陶瓷基片正反两面电性能导通和散热等功能,而制作性能良好的导体孔柱是厚膜工艺的难点.重点介绍了通过优化填孔设备压力参... 相似文献
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为了实现小体积、高可靠性的温度控制,设计了一种厚膜混合集成的温度控制电路,它通过控制热电致冷器(TEC)电流的方向和大小,将激光器管芯的温度控制在一个恒定的值上,实现了稳定激光器波长、控制波长精度、提高光纤陀螺的精确度和稳定度的目的。电路采用厚膜工艺制造,全裸芯片和表面贴装元件组装,缩小了体积,提高了可靠性。经实际应用,该电路不仅安全可靠地实现了温度控制功能,而且能在恶劣的使用环境下安全工作,适合军、民两用; 相似文献
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本文采用厚膜传感技术研制电容式感压元件,并通过厚膜混合集成技术和工艺交叉将信号处理电路集成在感压元件上成为一体,进行电容式压力传感器的厚膜集成化研究。结果表明,研制成的新型厚膜电容式集成压力传感器,线性达到0.5%,迟滞小于0.5%,重复性好。具有受分布电容、寄生电容影响小,抗干扰能力强,精度高,抗过载、耐腐蚀等特点。 相似文献
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<正> 厚膜混合集成稳压电源是功率集成电路的一大门类。现在国产的集成稳压电源有厚膜电源、薄膜电源、固体电源及固体三端子电源等,它们的特点是小型、轻量、集成度高、可靠、使用方便。我厂生产的厚膜混合 相似文献
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<正> 电子工业部第八九五厂研制和生产的十一种厚膜混合集成稳压电源,最近通过创优鉴定。 1-6型4伏至24伏1安系列厚膜混合集成稳压电源,一九七八年荣获全国 相似文献
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在厚膜集成电源误差放大电路设计中,采用标准的片式元器件,运用表面组装工艺,使产品制作中工艺方便灵活,成品率大大提高,以片式电阻的贴装弥补了多次印刷工艺带来的成品率下降的缺点。同时介绍贴装技术中再流焊工艺的使用经验,总结了再流焊对电路设计的要求及其优点,说明了表面组装技术用于厚膜电路是一种切实可行的方法。 相似文献
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介绍了一种12位A/D转换器。就电路的工作原理、设计特点及测试结果等方面进行了探讨。电路在标准双极工艺生成单片IC的基础上,采用了陶瓷基板上的多芯片厚膜组装工艺、双层金导带布线、多芯片混合组装及大腔体管壳的储能点焊等技术,在21mm×41mm的陶瓷基板上混合组装了8个集成电路芯片、7个贴片电容和8个厚膜电阻。经测试,电路转换时间小于20μs,最大线性误差和最大微分线性误差为0.012%FSR。电路采用32引出端双列直插全金属平底管壳(MP32)封装,在±15V、+5V电源下电路总功耗低于900mW。 相似文献
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<正> 一、引言目前混合集成电路的集成度不断提高,工艺也日臻完善。芯片移植的技术国外已在生产中广泛采用,并把它列为工艺能力的重要标志之一。由于采用了芯片移植和微型载片移植技术,使混合集成电路步入了中大规模混合集成的领域。厚膜混合集成比薄膜混合集成价廉,制造方便,独石电容、小型云母电容等也可通 相似文献
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本文介绍了一种用于引爆系统的自激振荡电路,采用厚膜混合集成工艺制造。同时,简要叙述了试制具有抗辐射能力的混合电路的研制思想。 相似文献