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相似文献
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1.
微波单片集成电路和射频集成电路频率和集成度的提高使设计复杂化,对计算机辅助设计的依赖性更强,元器件行为的精确描述和仿真器的功能是设计精度的关键所在.本文对微波单片集成电路和射频集成电路设计的计算机辅助设计问题进行了论述,着重讨论了元器件模型和仿真器功能在微波射频集成电路设计中的问题和应用.  相似文献   

2.
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单片射频微波集成电路技术与设计单片射频微波集成电路技术与设计内容提要:RFIC和MMIC技术为许多微波/毫米波通信、雷达、传感等系统提供了关键的核心元器件。  相似文献   

3.
无线通信产业的巨大成长意味着对于无线设备的元器件和组件的测试迎来了大爆发,包括对组成通信系统的各种RFIC和微波单片集成电路的测试。这些测试通常需要很高的频率,普遍都在GHz范围。本文讨论了射频和微波开关测试系统中的关键问题,包括不同的开关种类,RF开关卡规格,和有助于测试工程师提高测试吞吐量并降低测试成本的RF开关设计中需要考虑的问题。  相似文献   

4.
主要介绍MICRF102单片集成电路的性能指标,引脚功能及应用电路.最后给出外围元器件的选择方法及PCB环形天线的设计考虑.  相似文献   

5.
数控单片移相器的设计技术具有较大的特殊性与复杂性,必须依靠计算机辅助设计提高设计的准确性.对数控单片移相器的计算机辅助设计问题进行了论述,着重讨论了电路设计效率的提高及电磁场验证等问题,为数控单片移相器的研制提供了实用的解决方案.应用这一研究成果,成功开发出高性能X波段单片五位数字移相器.  相似文献   

6.
主要介绍MICRF102单片集成电路的性能指标,引脚功能及应用电路。最后给出外围元器件的选择方法及PCB环形天线的设计考虑。  相似文献   

7.
在现代微波市场上,砷化镓微波单片集成电路(GaAs MMIC)在其性能和尺寸方面所拥有的优势正在得到证实。然而,将微波单片集成电路(MMIC)嵌入现有的混合电路,由于提供偏置和射频阻抗匹配需要大量的外部元件,因而价格往往是昂贵的。本文叙述另一种工艺——多层厚膜处理工艺,能使MMIC芯片偏置和匹配所需的所有电容、电阻以及附加的元件全部集成在内。MMIC能直接装在这种“单片”混合电路上,产生一个廉价嵌入型“单片集成”放大模块。  相似文献   

8.
介绍了氮化镓微电子器件的优势和现状。提出将GaNHEMT作为微波器件用于混合微波集成电路(MIC)和微波单片集成电路(MMIC),在射频输出功率、器件优值等方面,均具有明显优点,并列举了成功的例子。为了加快发展MMIC,必须解决好几个关键问题,即提高材料质量和尺寸,完善制造工艺,克服器件电流下降、增益过早饱和与射频输出功率退化等现象。  相似文献   

9.
根据从1996年国际微波会议和微波与毫米波单片集成电路会议上了解的情况,本文综述了单片微波集成电路当前的技术进展和值得注意的动向。  相似文献   

10.
本文介绍了由TN0—FEL开发的应用于有源相接阵雷达的专用单片微波集成电路的成果。这里将展示这些单片微波集成电路在各个雷达系统中的应用。单片微波集成电路满足了实现诸如“灵巧的肌肤”概念的现在和将来的相接阵拓扑结构的需要。单片微波集成电路的功能表现为以下几方面:集成高度射频控制电路、宽带、大增益、高效率固态功率放大器和用于雷达接收前端处理机的集成可调微波滤波器。介绍了用于幅度和相位控制的各种单片微波集成电路。对线性矢量调制器、变增益放大器、移相器和全集成多功能芯片的设计、制作、性能和应用作了介绍。还介绍了采用最新砷化镓MMIC工艺制作的样品。所描述的大功率放大器符合将来的有源相接阵的性能要求。作为一个典型的例子,对输出功率超过10W的X波段MESFET和HEMT功率放大器的开发进行了介绍。这些放大器拟被作为替代TR组件中传统的驱动和高功率放大器级联电路的一种选择。对可调带阻滤波器和带通滤波器进行了介绍,其焦点放在宽带收发组件中如何减少电磁干扰的影响。通过采用一个可调窄带滤波器实现了宽带前端频带外功率压缩点的重要改进。然而不能因采用这些滤波器而降低雷达的性能,因此要求滤波器应满足以下要求:低噪声系数、低成本、小尺寸、良好的功率推进性能和易于控制。介绍了具备这些条件并且用在MESFET和HEMT工艺制造的X波段单片微波集成电路可调滤波器。  相似文献   

11.
李明 《现代雷达》2012,34(9):8-15
文中主要探讨雷达射频/微波集成电路的发展及其应用.介绍了现代雷达的发展趋势、雷达射频系统的演变历程以及目前国内外相关的射频集成电路的最新成果,讨论了射频片上系统(SoC)的未来趋势.针对现代主流的有源相控阵雷达,介绍了几种可行的系统级射频芯片的集成方向,最后强调了系统级射频集成电路测试在设计中的重要性,并给出一种基于模块化结构的自动测试设备(ATE)测试平台方案.  相似文献   

12.
杨建军  刘英坤 《半导体技术》2010,35(3):205-208,281
随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽技术、Si高阻衬底技术、SiGe技术等对Si基微波单片集成电路发展的影响,并列举了一些典型的应用。最后展望了Si基微波单片集成电路的发展前景。  相似文献   

13.
阐述了单片微波集成电路测试系统的工作原理,测试方法和自动测试程序。  相似文献   

14.
采用多芯片模块(MCM)技术开发小型Ku-band信道放大器和C-BAND低功率模块,并将这种技术用于下一代的卫星通讯元件中,使用MCM技术使元器件耗用量降低70%,元件成本降低60%。MCM技术可使我们将很多微小单片集成电路(MMIC),微波集成电路(MIC),集成电路(IC)和其它类型的器件组装到一个封装中,同时保证设计的柔性,还可将这项技术用于许多卫星通讯元件中,本阐述了MCM的设计原理,应用和生产,硬件成果及对其的评估。  相似文献   

15.
本文对用微波宽带功率单片集成电路的功率合成技术和实现方法进行了讨论,并用 Ku 波段宽带微波功率单片集成电路合成出功率大于 200W、频带宽度大于 30%Ku 波段固态放大器。对合成中的关键技术进行了分析。  相似文献   

16.
回顾了第一代波导立体电路、第二代微波混合集成电路和第三代微波单片集成电路与多芯片组件的发展,介绍了第四代片上系统、系统级封装和封装级系统,对比总结了各自的关键技术、特点和应用,并对微波集成电路今后的发展趋势做出展望。  相似文献   

17.
高速宽带应用的毫米波CMOS集成电路   总被引:3,自引:1,他引:3  
近年来,随着可应用于几个Gb/s无线通信的非许可60GHz频段的开放,低成本的毫米波单片集成电路已成为研究和开发的热点。论文简述了CMOS射频集成电路的发展历史,介绍了IEEE 802.15.3工作组提出的60GHzISM毫米波工作频段的特性,阐述了毫米波CMOS集成电路设计的若干关键技术。  相似文献   

18.
设计S波段相控阵雷达发射-接收组件,其重点在设计可与微波单片集成电路结构相容的射频元件。  相似文献   

19.
在目前国内的电子装备中,使用了大量的进口电子元器件,因此对进口元器件的采购一直影响着研制工作的进度、成本及可靠性.本文介绍了美国国防部供应中心最新公布的半导体器件(分立器件、混合集成电路、单片集成电路)QML厂商、生产线以及产品的实际状况等.  相似文献   

20.
会议地址:Baltimore,Maryland(美国) 会议日期:1986年6月2至4日征文内容: ·微波生物效应和医学应用·计算机辅助设计·固态器件与电路·微波系统·砷化镓单片集成电路  相似文献   

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