化学汽相淀积法制备的氧化铁透明光刻掩模

在氧化气氛中用分解五羰基铁的方法在玻璃基片上形成2600埃厚的Fe_2O_3薄膜。采用标准的光致抗蚀剂工艺以稀盐酸作腐蚀剂,获得具有1微米图形的透明掩模。     

五羰基铁性能介绍

五羰基铁是我们生产羰基铁粉的中间产品,它的生产方法是用多孔性还原铁块与一氧化碳在高温高压下合成的。 Fe 5CO=Fe(CO)_5 没有经过提纯处理的五羰基铁是含有杂质的,主要杂质有:四羰基铁、八羰基钴、硫化羰基铁钴、四羰基镍等。我们自前出售的产品就是属于这一类型。 五羰基铁的用途,主要是用其制造羰基铁粉,把它加在汽油里,用作抗震剂;也可以作为低压合成丁醇催化剂;国外还用它制造九羰基铁。由于五羰基铁具有高蒸汽压,在气相中容易输送,又有低的分解温度,是一种比较理想的铁源。目前广泛用它制作氧化铁薄膜的半透明光刻掩模,采用这种方法具有设备简单、制作周期短,产量大,成本低等优点。     

氧化铁掩模的涂敷法制备及其复印与照相

一 引言 近年来,氧化铁选择透明掩模越来越普遍地应用于半导体平面器件的生产中。据认为它具有许多优越性:1.选择透明,反射率低,可以方便套刻,改善线条边缘,提高分辨率。2.由于氧化铁膜是无定型结构,针孔很少。3.耐用。 但是,目前的氧化铁版大都是CVD法制造的,制造过程中总觉得有一个五羰基铁毒害的缺点。 最近,新材料聚乙烯二茂铁在苏州地区化工中心试验所投入生产,为使用涂敷法制造氧化铁版创造了良好的条件。我们于七七年下半年对此作了一系列的试验。今年以来投入集成电路和光电器件生产中使用,大部替代了我们原来制造使用的氧化铬掩模。我们部分保留了氧化铬版,准备在长期的大生产中对二者进行比较。     

用聚乙烯二茂铁制备半透明掩模

随着半导体工业的迅速发展,具有易对准、针孔少、反光小、边缘锐度高、抗磨性能好、分辨率高等优点的氧化铁半透明掩模也迅速发展起来。制备氧化铁掩模的方法有许多种,归纳起来,主要有下述三种:(1)由五羰基铁[Fe(CO)_5]的化学汽相淀积(CVD);(2)反应溅射法;(3)金属有机化合物的热分解。用聚乙烯二茂铁(以下简称 PVFc)制备半透明掩模就是金属有机化合物热分解的一种。     

羰基铁材料太赫兹光谱研究

为了评估羰基铁材料在太赫兹波段的屏蔽性能,采用太赫兹时域光谱技术分别对参考样品、0.5 mm羰基铁样品和1mm羰基铁样品进行了透射光谱测量。分析表明,随着羰基铁样品厚度的增加,太赫兹时域光谱脉宽增加、峰值减小,频域光谱范围减小。羰基铁样品的最大屏蔽效能为66 dB左右。0.5 mm和1 mm羰基铁样品的屏蔽效能大于60dB的区间分别是0.76 THz～1.46THz和0.49THz～1.48THz。     

采用悬挂金属掩模制作约瑟夫逊隧道结

正 1.引言 近几年来由于约瑟夫逊隧道结在许多方面得到应用,特别是在新一代超级电子计算机上得到了应用,所以人们对制作小面积隧道结的技术产生了浓厚的兴趣。制作软金属超导隧道结,以IBM为代表已形成一套完整的工艺。但要用他们的办法重复地制作出实用的隧道结,必须有高级的专用设备和丰富的技术积累。一般单位在短期内是难以达到这样的技术水平的。1982年Gundlach(西德马克斯-普朗克学会)发表的文章仍在使用刀片制作的金属掩模。我们也曾经使用过这种掩模,但是用一般形式的金属掩模制作隧道结时,在氧化层势垒形成以后,必须打开镀膜机的钟罩,以便转换掩模制作上电极。这样氧化层势垒就容易受到大气污染。 为了克服这一缺点,我们用刀片拼装成的悬挂金属掩模来制作隧道结。这一技术具     

占空比和羰基铁含量对镍铁氧体@羰基铁核壳粉体吸波性能的影响

针对镍铁氧体@羰基铁核壳粉体–石蜡复合体系,探讨了占空比和核壳粉体中羰基铁体积分数对其等效介电常数的影响,并预测了其吸波性能。研究结果表明:随着占空比和羰基铁体积分数的提高,复合体系的等效介电常数会有明显的增大;在相同的占空比下,随着羰基铁体积分数的提高,体系反射率有一个先减小后增大的过程,当羰基铁体积分数为30%时,反射率最小,达到–34 dB,吸收峰逐渐向低频移动;当羰基铁体积分数相同时,随着占空比的提高,反射率会逐渐变大,同时吸收峰也会朝低频移动。     

光掩模涂层的薄膜分析

<正> 半导体生产中的光刻工艺要求使用能确定器件某种特征的高质量的掩模材料。除了要求掩模材料能阻挡光刻操作所必需的光化辐射外(主要是紫外线),对掩模材料的要求可能是完全不同的。对各类掩模的基本要求是薄膜要耐用、耐划、热稳定性好、与玻璃的粘附性好、以及能抵抗有机清洗剂或溶剂的浸蚀,没有针孔等。最通用的材料是在钠钙玻璃或硼硅玻璃板上的700～1000埃厚的铬。铬掩模较早地取代了照相乳剂掩模,因为不透光层较薄、较硬,以及线条清晰。超大规模集成电路(VLSI)微型化的趋势,结合由电子束制造主掩模和投影复印,也已增加了对掩模材料的要求。发展 VLSI 的重点放在低缺陷密度和无针孔的材料上。增加图形的复杂性和使用正性抗蚀剂导致了大量掩模的大范围不透明,因此定位更     

采用离子注入法制作高精度掩模版

日本电气公司最近研制采用离子注入法制作高精度掩模版的技术,去年12月已在华盛顿举行的国际电子器件会议上发表。在集成电路和LSI制造工艺中,用于光刻工艺的掩模版是使用银乳剂的乳胶掩模和使用金属铬、氧化铬、氧化铁等金属或金属氧化物形成暗区的所谓硬掩模。采用贴紧或者投影的方法,让这些光掩模与涂敷了光刻胶的硅片相叠合,并用紫外线曝光,经过显影,光掩模上的电路图形就复印在硅片上。由于乳胶掩模使用了卤化银,     

BaTiO3掺杂羰基铁粉复合材料吸波性能研究

BaTiO3介电材料在微波频段具有良好的介电频散特性,可通过在羰基铁粉吸收剂中掺杂BaTiO3改良其频散特性。采用固相合成法在不同温度下制备了BaTiO3粉体,测试表明,制备的BaTiO3粉体形成了单一的四方相晶体结构,具有很高的纯度和结晶度、较好的频散特性。在羰基铁粉中掺杂不同含量的BaTiO3粉体,使用同轴线方法测试了复合粉体在2～18GHz频段范围内的介电常数和磁导率,基于传输线理论计算获得了复合粉体的反射系数,对比结果显示：BaTiO3粉体的掺入,明显改进了羰基铁粉介电常数的频散特性,有效地提高了低频波段（2～5GHz）的吸收性能,含有4％BaTiO3（质量分数）的样品在3GHz处的反射系数达到-8dB。适当比例BaTiO3和羰基铁的混合粉体有望成为性能优越的低频波段吸波材料。     

激光直写制作二元光学元件掩模研究

介绍了激光直写技术制作二元光学元件铬版掩模的原理,分析了影响铬版上铬膜氧化程度的因素,研究了铬版上 刻写掩模图案时激光能量与刻写半径之间的关系,总结了利用激光直写方法刻写二元光学元件铬版掩模过程中激光能量的 形成方法。     

一种新型掩模——离子注入法制作高精度掩模版试制小结

本文叙述一种新型硬掩模——采用离子注入法制作的高精度掩模。此种掩模制作工艺简单,其分辨率、抗药性、表面耐磨性、图形完整性等,均优于目前广泛使用的其它硬掩模。尤其是,它具有与与电子束曝光、x 射线曝光技术相结合的潜在优越性,可以期待今后在超 LSI 中采用。在我们研制工作中,已经制出多种集成电路的掩模,部分产品在工艺线上试用。效果良好。     

用于半透明掩模的氧化铁薄膜的化学汽相淀积

在制造集成电路的光刻工艺中,需要一套掩模来确定光致抗蚀剂材料上的图象,以便用来形成电路图形。常用的乳胶版和铬版有一些缺点。乳胶版容易产生划痕。铬版在可见光下是不透明的,因而套刻困难。人们希望有一种耐用的掩模,它至少在可见光下是部分透明的,而在光致抗蚀剂曝光时用的紫外光下是不透明的。为此目的,有人提出了一些适合于制版用的过渡金属氧化物,并肯定了氧化钒—氧化铁混合物最能满足制作这种掩模的要求。他     

相移掩模清洗结晶控制

在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端(线宽0.18μm以下)集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模(Phase Shift Mask)制作过程中,掩模表面结晶(Haze)问题较难控制。为了控制和解决相移掩模表面结晶问题,提高成品率,主要讨论了不同的清洗工艺(Recipe)对相移掩模结晶的影响。然后通过实验验证了通过优化清洗工艺(Recipe),可以明显改善相移掩模表面结晶问题,达到控制相移掩模表面结晶的目的。     

集成电路掩模缺陷的检查

16.1、序言在集成电路制造工艺中,如果集成电路的图形尺寸超过了光的波长,那么用于光刻的光掩模今后也将继续使用。集成电路掩模的检查项目中,包括掩模材料的平面度、图形尺寸和重复节距等的尺寸精度及有无缺陷等。这些项     

硅各向同性深刻蚀中的多层掩模工艺

掩模制备是硅各向同性刻蚀中的一项重要工艺.要实现深刻蚀,掩模必须满足结构致密、强度大及抗腐蚀性好的要求.一般光刻胶掩模无法在刻蚀液中较长时间地保持其掩蔽性能,很难实现深刻蚀;而金属掩模也容易出现针孔及裂纹等缺陷.因此提出使用Su-8负性光刻胶结合铬金属制备多层掩模.这种掩模结构制备工艺简单,经济实用;提高了掩模在高速刻蚀时的掩蔽性能,实现了深刻蚀.实验表明,其能满足300μm以上深刻蚀的要求,可用于硅及玻璃等材料的微加工.     

相移掩模保护膜残留胶清洗方式研究

相移掩模(Phase Shift Mask)在实际使用过程中,往往会因为保护膜沾污、损坏或者因为掩模结晶(Haze)等问题需要返回掩模工厂进行重新贴膜。重新贴膜时需要先去除保护膜并清洗。传统的清洗方式是采用硫酸+双氧水(SPM)来进行清洗。不过对于相移掩模来说,SPM清洗方式容易造成硫酸根残留,进而造成产品Haze问题,影响产品使用。通过采用不同的清洗方法进行对比和优化实验,找出了最佳的非SPM方式去除保护膜残留胶的方法。     

在半导体光掩模制备工艺中超微粒干版的使用条件

随着半导体中、大规模集成电路的飞速发展,光刻掩模的制备手段和使用材料都发生了巨大变革,乳胶掩模版几乎已全为金属掩模、表面敷有防止反射膜的掩模以及橙色透明金属氧化物的掩模所取代。但是在初缩、精缩的过程中母版的制作及在通常的光学照相系统中,暂时还找不到更理想的替代物。所以,如何提高乳胶干版的质量,找出最佳的使用工艺成为从事制版工作的人们不断探讨的课题。本文仅对乳胶掩模版的制备工艺提出一些方法和意见。     

日本专利

1.双掩模曝光方法公开号:昭54—64476作者:松井健太郎等二人申请日期:昭和52年10月31日内容提要:通过掩模对半导体园片上的光致抗蚀剂膜进行曝光的时候,使用的掩模是设有同样图形的多块掩模,这样,即使其中一块掩模的不透明膜上存在损伤也不会影响曝光质量。具体方法是:在硅片的表面先制作SiO_2膜,再涂敷光致抗蚀剂     

多重旋转对称结构光子晶格的实验研究

采用光诱导光子晶格的方法,利用3孔、4孔、5孔、8孔和12孔掩模在掺铁铌酸锂晶体中写入多重旋转对称结构的二维光子晶格。基于干涉理论,对多孔掩模干涉图样进行了数值模拟。通过实验成功地观测到了3孔、4孔、5孔、8孔和12孔布里渊区和远场衍射,并分析了布里渊区与远场衍射的对应关系,实验结果表明光子晶格图样和数值模拟一致。传统观测布里渊区的方法需要使用旋转漫反射器,观测布里渊区和写入晶格是不同的光路,而本方法只需在写入光路中加入衰减器便可观测到布里渊区,较之前的诸方法更为简单、稳定、易于调节。