先进相移掩模(PSM)工艺技术

先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形。通过相位移掩模(PSM)技术可以显著改善图形的对比度,提高图形分辨率。相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料,通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀,并对相移、缺陷等进行分析和检测,确保能达到设计要求。     

玻璃微透镜阵列的制作工艺研究

对以玻璃为基材的微透镜阵列的制作工艺进行了研究,得出了影响微透镜阵列制作的三个主要因素:玻璃组分、腐蚀方法以及抗蚀掩模层材料。并通过实验详细分析了这三者对实验结果的影响。根据分析结果,选择合适的材料和工艺方法,获得了效果较好的玻璃微透镜阵列,为玻璃微透镜阵列的制作提供了依据和方法。     

孤立接触孔掩模显影工艺优化

掩模(Mask)生产过程中,孤立接触孔经过显影之后的量测值(ADI)会比设计值偏大,往往会超出线条容差值(CD Tolerance)的范围,影响掩模生产质量;主要总结了工艺生产线影响显影结果的因素,然后通过几组对比试验讨论各个参数对显影结果的影响;最后通过实验验证了通过优化各个参数值,使孤立接触孔显影之后的量测值(ADI)能够满足实际生产质量要求,可以将线条偏差值控制在CD Tolerance范围以内。     

相移掩模清洗结晶控制

在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端(线宽0.18μm以下)集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模(Phase Shift Mask)制作过程中,掩模表面结晶(Haze)问题较难控制。为了控制和解决相移掩模表面结晶问题,提高成品率,主要讨论了不同的清洗工艺(Recipe)对相移掩模结晶的影响。然后通过实验验证了通过优化清洗工艺(Recipe),可以明显改善相移掩模表面结晶问题,达到控制相移掩模表面结晶的目的。     

非等平面AlGaN紫外探测器阵列挡光技术研究

介绍了SiO_2/PI_1/Al/PI_2挡光技术的原理及其制作工艺过程.通过采用SiO_2/聚酰亚胺(PI_1)/Al/PI_2挡光技术,实现了真正意义上的日盲紫外成像.此技术主要应用于日盲型AlGaN紫外焦平面阵列.

Abstract：

Introduced are the principles and manufacturing process of the SiO_2/PI_1/Al/PI_2 light-avoiding technology, which is adopted to realize solar-blind UV imaging. It is mainly used for solar-blind AlGaN UV focal plane array.