纳米压印技术的最新进展

总结了纳米压印技术的最新进展,其中包括压印工艺、图形赋形方法以及纳米压印技术应用三方面最新的研究成果。在压印工艺的发展方面,大面积滚轴压印的发明最具有产业化意义,它不仅解决了常规平板压印很难大面积压印成型的困难,而且整个过程是一种柔性压印过程,降低了成本,提高了压印效率,但是最小特征尺寸还有待提高;在图形赋形方法的改进中,聚合物探针阵列技术集微米和纳米成型技术于一身,压印效率高,应用前景广阔;在压印技术应用的发展中,光伏电池、电子存储设备以及传感器等为纳米压印技术的应用提供了新的领域。     

电磁辅助纳米压印

纳米压印技术是最近十几年提出的新的图形转移技术,此技术有产量高、成本低和工艺简单的优点,因此得到了飞速的发展。传统的纳米技术有热塑纳米压印技术、紫外固化纳米压印技术和微接触纳米压印技术。近几年又出现了纳米压印技术的新方法,如金属薄膜直写技术、滚轴式纳米压印技术、气压辅助纳米压印技术和静电辅助纳米压印技术。主要介绍利用静电辅助压印技术和气压辅助纳米压印技术相结合的一种新型纳米压印方法,并利用仿真软件Ansys进行仿真,通过仿真实验和理论研究,证明此方法是可行的。     

纳米压印光刻模版制作技术

在下一代光刻技术中,光刻的成本越来越高,这使得工业界开始寻找新的技术。纳米压印作为非光学的下一代光刻技术,具有分辨率高、成本低、产率高等诸多优点,因而可能应用于将来的半导体制造中。同时,纳米压印也可以用于微机电系统(MEMS)和其他纳米结构的图形复制。纳米压印光刻技术主要包括热压印、紫外固化压印和微接触法压印。介绍了在这3种纳米压印光刻技术中,压印模版制作的制作工艺和模版表面的防粘连处理,并且讨论3种压印方法适用的不同领域。     

纳米压印技术进展及应用

半导体加工几十年里一直采用光学光刻技术实现图形转移,最先进的浸润式光学光刻在45 nm节点已经形成产能,然而,由于光学光刻技术固有的限制,已难以满足半导体产业继续沿着摩尔定律快速发展.在下一代图形转移技术中,电子束直写、X射线曝光和纳米压印技术占有重要地位.其中纳米压印技术具有产量高、成本低和工艺简单的优点,是纳米尺寸电子器件的重要制作技术.介绍了传统纳米压印技术以及纳米压印技术的新进展,如热塑纳米压印技术、紫外固化纳米压印技术、微接触纳米压印技术、气压辅助纳米压印技术、激光辅助压印技术、静电辅助纳米压印技术、超声辅助纳米压印技术和滚轴式纳米压印技术等.     

纳米压印用压印胶的研究进展

纳米压印需采用压印胶进行图案转移,作为压印技术的关键材料,压印胶的性能直接影响到纳米压印的质量。根据压印技术的工艺特点对压印胶进行了分类,介绍了纳米压印用热压印胶和紫外压印胶的发展研究现状和性能优缺点,分析了目前压印胶存在的主要问题,并指出压印胶的研究主要是提高压印胶的脱模性能、固化速率以及简化工艺,主要列举了含氟硅类压印胶、双表面能压印胶的性能特点,并展望了未来的发展方向。     

纳米压印光刻技术--下一代批量生产的光刻技术

纳米压印光刻技术已被证实是纳米尺寸大面积结构复制的最有前途的下一代技术之一。这种速度快、成本低的方法成为生物化学、μ级流化学、μ-TAS和通信器件制造以及纳米尺寸范围内广泛应用的一种日渐重要的方法,如生物医学、纳米流体学、纳米光学应用、数据存储等领域。由于标准光刻系统的波长限制、巨大的开发工作量、以及高昂的工艺和设备成本,纳米压印光刻技术可能成为主流IC产业中一种真正富有竞争性方法。对细小到亚10nm范围内的极小复制结构,纳米压印技术没有物理极限。从几种纳米压印光刻技术中选择两种前景广阔的方法——热压印光刻(HEL)和紫外压印光刻(UV-NIL)技术给予介绍。两种技术对各种各样的材料以及全部作图的衬底大批量生产提供了快速印制。重点介绍了HEL和UV-NIL两种技术的结果。全片压印尺寸达200mm直径,图形分辨力高,拓展到纳米尺寸范围。     

纳米压印技术的工艺和图形精度研究

纳米压印技术通过压印实现了纳米结构的图形转移,具有分辨率高、效率高、成本低的优点。通过对纳米压印过程中影响图形精度的一些因素进行分析,提出了相应的解决方法。结合研制的NIL-01型压印机进行工艺实验,给出纳米压印工艺实验的结果,并对结果进行了分析。试验表明：考虑到影响压印图形精度的各种因素,采用镀有Cr的SiO2模版和NIL-01型压印机,用热压印技术可以压印出具有100nm特征尺寸的PMMA图形。     

纳米压印技术的研究进展

纳米压印技术由于具有操作简单、高分辨率、成本低、重复性高等优点,近年来受到国内外研究机构的高度重视.本文主要介绍了目前主流的几种纳米压印技术,并简要概述了纳米压印技术的研究现状和应用前景.     

纳米器件的一种新制造工艺——纳米压印术

纳米压印术可以用于大批量重复性地制备纳米图形结构。此项技术具有操作简单、分辨率高、重复性好、费时少,成本费用极低等优点。本文介绍了较早出现的软刻印术的两种方法———微接触印刷法和毛细管微模制法。详细讲述了纳米压印术(主要指热压雕版压印法)的各步工序———压模制备、压印过程和图形转移,以及用于压印的设备、纳米图案所达到的精确度等,还简述了纳米压印术的另一方法———步进-闪光压印法。最后,通过范例介绍了纳米压印术在制作电子器件、CD存储器和磁存储器、光电器件和光学器件、生物芯片和微流体器件等方面的应用。     

基于专利分析的全球纳米光电技术发展趋势研究

首先对全球纳米光电技术的发展概况进行了概述。然后,基于德温特专利数据库,利用汤姆森数据分析器（TDA）及其他分析工具,以全球纳米光电技术领域的专利为研究对象,从宏观、中观、微观三重视角,对专利的全球年度申请量、技术生命周期、重点国家/地区专利申请态势、技术布局及领先机构研发重点等进行了分析,揭示了全球纳米光电技术的研发和竞争态势。     

浅谈技术研发过程中专利的管理与利用

从专利的含义和特性入手,简述了专利的申请决策事项,探讨企业在技术研发过程中如何进行专利的管理和利用,并为企业在专利技术开发和保护方面提供相应的建议。     

支持技术创新的专利检索与分析

介绍了目前专利检索和分析的主要研究工作,包括专利的可检索性、技术现状检索和相关性检索方法等,以及专利地图分析、新颖度分析和PatentDom专利分析框架等分析方法。最后基于深度学习的思想,讨论了新一代的支持技术创新的专利检索方法、专利论文检索方法以及专利趋势分析方法。     

OLED公司专利许可与诉讼情况浅析

本文详细介绍了OLED公司之间的授权、交叉许可和诉讼行为,为我国相关企业在国际化进程中突破知识产权门槛提供参考。OLED授权专利组合主要由柯达公司(小分子)、英国剑桥显示技术公司CDT(高分子)、美国环宇显示公司UDC(磷光等)等持有。友达光电和三星电子,飞利浦和欧司朗,出光兴产与LG Display、索尼、TDK都签署了关于OLED技术的专利交叉许可协议。OLED领域也出现了专利诉讼,随着OLED产业化的成熟,各国公司之间为争夺市场,OLED专利纠纷将继续增多。我国企业要加入OLED产业化战局,在注重专利布局、获取与国外巨头进行专利交叉许可筹码的同时,也要积极争取某些"绕不开"的基础专利的授权,降低被诉风险。     

从通信企业角度谈标准与专利

从现代企业发展和竞争的角度和层次探讨标准和专利问题。主要涉及标准的作用和意义、标准的产生、专利的申报和保护、标准和专利的关系、基本专利和从属专利,以及标准和专利对企业的意义等。此外,还介绍了企业标准和专利战略及相关组织等。     

全球LED产业技术专利检索分析

选择"七国两组织"专利数据库,采集1985年1月1日至2008年12月31日期间的全球LED技术专利文献,建立专利数据库.再选择广东专利信息服务平台分析系统分别从专利申请总量、重点专利技术和重点专利持有人等方面,对LED产业技术专利进行了深入分析,并分析了国际LED产业技术专利现状,提出了发展我国LED专利的策略.     

Intel与AmberWave专利诉讼解析

本文通过分析Intel与AmberWare的市场份额、涉讼专利之专利权转让信息、涉讼专利之专利类型,对Intel与AmberWave的专利诉讼进行详细解析,并得出结论,即,为有效减低专利诉讼所造成的不利影响,IC厂商应积极建立上下游厂商紧密的合作关系。     

电池管理系统专利布局分析

本文介绍了电池管理系统（BMS）的关键技术,分析国外重点企业对BMS的研究情况、相关专利申请与布局情况,特别是在中国的专利布局态势,了解目前BMS的技术难点与热点的专利情况,对目前BMS的发展进行了比较深入的分析。     

当前中国的LCD产业专利策略分析

回顾并分析了夏普与东元之间发生专利纠纷的背景、过程及解决的策略,结合LCD产业的专利分布及技术壁垒,提出我国LCD产业的专利策略。     

办公软件文档格式专利分析

为确定"标文通"修订工作在专利方面的工作策略,需检索办公软件文档格式相关的专利,并分析其对"标文通"修订工作的影响,阐述了办公软件专利分析的四阶段技术路线,并重点分析了专利检索和专利分析的技术方案和实施方法。     

全球LED信号显示技术专利态势分析

选择THOMSON（汤姆森）集团的DWPI（德温特世界专利索引）英文专利数据库,采集1965年1月1日到2008年12月31日期间的LED信号显示技术专利文献．建立英文专利数据库;再选择Derwent Innovation Index（德温特创新专利索引）专利分析系统,分别从专利申请总量、重点专利技术和重点专利持有人等方面。对LED信号显示技术专利进行深入的分析,并对比分析国内外LED信号显示技术专利的现状．提出发展我国LED信号显示技术的专利策略。